存储器电路、用于写入位单元的电路和方法技术

本发明专利技术提供了一种电路，该电路包括位线、具有第一电源电压电平的电源节点、具有参考电压电平的参考节点、连接在位线和电源节点之间的传输门以及连接在位线和参考节点之间的驱动器。传输门响应于第一信号将位线连接至电源节点，并且驱动器响应于第二信号将位线连接至参考节点。第一信号基于第一电源电压电平，并且第二信号基于参考电压电平和第一电源电压电平之间的第二电源电压电平。本发明专利技术还提供了存储器电路、用于写入位单元的电路和方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器电路、用于写入位单元的电路和方法
本专利技术的实施例一般地涉及半导体
，更具体地，涉及存储器电路、用于写入位单元的电路和方法。
技术介绍
在一些存储器电路中，存储器阵列工作的电源电压电平(voltagelevel，又称电压等级)高于其他电路工作的电源电压电平。存储器阵列的较高电压电平支持存储器单元的可靠功能，而其他电路的较低电压电平降低了电源需求。通过分别实现电路性能特征，具有多个电源域的电路的总体电路性能能够超过具有单个电源域的电路的性能等级。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种用于写入位单元的电路，包括：第一位线；电源节点，具有第一电源电压电平；参考节点，具有参考电压电平；传输门，连接在所述第一位线和所述电源节点之间；以及驱动器，连接在所述第一位线和所述参考节点之间；其中，所述传输门配置为响应于第一信号，将所述第一位线连接至所述电源节点，所述第一信号基于所述第一电源电压电平，以及所述驱动器配置为响应于第二信号，将所述第一位线连接至所述参考节点，所述第二信号基于所述参考电压电平和所述第一电源电压电平之间的第二电源电压电平。根据本专利技术的另一方面，提供了一种存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于写入位单元的电路，包括：第一位线；电源节点，具有第一电源电压电平；参考节点，具有参考电压电平；传输门，连接在所述第一位线和所述电源节点之间；以及驱动器，连接在所述第一位线和所述参考节点之间；其中，所述传输门配置为响应于第一信号，将所述第一位线连接至所述电源节点，所述第一信号基于所述第一电源电压电平，以及所述驱动器配置为响应于第二信号，将所述第一位线连接至所述参考节点，所述第二信号基于所述参考电压电平和所述第一电源电压电平之间的第二电源电压电平。

【技术特征摘要】
2016.09.30 US 62/402,975;2017.07.21 US 15/656,1471.一种用于写入位单元的电路，包括：第一位线；电源节点，具有第一电源电压电平；参考节点，具有参考电压电平；传输门，连接在所述第一位线和所述电源节点之间；以及驱动器，连接在所述第一位线和所述参考节点之间；其中，所述传输门配置为响应于第一信号，将所述第一位线连接至所述电源节点，所述第一信号基于所述第一电源电压电平，以及所述驱动器配置为响应于第二信号，将所述第一位线连接至所述参考节点，所述第二信号基于所述参考电压电平和所述第一电源电压电平之间的第二电源电压电平。2.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路，其中，所述输入电路包括：NAND门，配置为基于三个输入信号生成第三信号。3.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路，其中，所述第一电源电压电平是存储器电路的存储器域的电源电压电平。4.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路，还包括：第二位线；第二传输门，连接在所述第二位线和所述电源节点之间；以及第二驱动器，连接在所述第二位线和所述参考节点之间；其中，所述第二传输门配置为响应于第三信号将所述第二位线连接至所述电源节点，所述第三信号基于所述第一电源电压电平；以及所述第二驱动器配置为响应于第四信号将所述第二位线连接至所述参考节点，所述第四信号基于所述第二电源电压电平。5.根据权利要求4所述的用于写入位单元的电路，还包括：输入电路，配置为在写入操作期间生成所述第一信号和所述第三信号作为互补对。6.根据权利要求5所述的用于写入位单元的电路，其中，在所述写入操作之外，所述输入电路配置为生成具有第一逻辑状态的所述第一信号和具有所述第一逻辑状态的所述第三信号；所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘卡伊·阿加沃尔，吴经纬，杰米恩·巴拉特库玛·阿塞姆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71