一种密封盖结构及湿法刻蚀设备制造技术

技术编号:17602697 阅读:45 留言:0更新日期:2018-03-31 14:58
本实用新型专利技术公开了一种密封盖结构及湿法刻蚀设备,适用于盖合湿法刻蚀设备的处理槽,属于集成电路制造技术领域,处理槽具有向上的开口,密封盖结构包括:伸缩单元,设置于开口两侧,伸缩单元设置有一处于伸出状态的第一位置及一处于缩回状态的第二位置;密封盖本体,连接于伸缩单元上,并于伸缩单元处于第二位置时封盖开口,以及于伸缩单元处于第一位置时使开口打开;驱动装置,连接伸缩单元用以驱动伸缩单元伸出以及缩回。上述技术方案的有益效果是:在处理槽的两侧各设置伸缩装置,伸缩装置分别连接密封盖本体的两侧,使得密封盖开闭动作均匀受力,延长密封盖的使用寿命,减少由于密封盖开闭异常而导致报废的晶圆,提高生产效率,降低维修成本。

A sealing cover structure and a wet etching equipment

【技术实现步骤摘要】
一种密封盖结构及湿法刻蚀设备
本技术涉及集成电路制造
,尤其涉及一种适用于盖合湿法刻蚀设备的处理槽的密封盖结构及湿法刻蚀设备。
技术介绍
在半导体制造工艺中,为了将晶圆上的掩膜上的图形转移到下埋层上,需要对晶圆进行刻蚀工艺。下埋层的某些部分经过与刻蚀机发生化学反应被去除,而其余部分由于掩膜层的保护没有接触刻蚀剂从而得以保留。目前,最主要的刻蚀方法有两种:湿法刻蚀和干法等离子刻蚀。在湿法刻蚀中,刻蚀剂是液态化学混合物,其与晶圆衬底发生化学反应,产生可溶性物质,从而溶解于溶液中。处理槽作为湿法刻蚀工艺的主要设备,通常晶圆放置于处理槽中,利用处理槽的刻蚀液中浸没一段特定的时间,便可刻蚀晶圆上不需要的材料层。处理槽上设置有密封盖,在处理槽处于密闭状态时,开始对晶圆进行处理。通常处理槽具有向上的开口,密封盖盖合在开口上,处理槽的一侧设置有气缸,气缸的活塞杆连接密封盖,通过活塞杆的伸缩带动密封盖打开或再次盖合处理槽的开口。但是上述密封盖结构中,使用单根活塞杆承载密封盖,密封盖单侧受力,长时间使用后会使密封盖未连接活塞杆的一侧向下倾斜,导致密封盖开闭出现异常,从而引发机台报警,进一步导致处理槽内的晶圆因处理超时过刻蚀而报废;另外,使用单根活塞杆承载密封盖也会导致活塞杆变形或过度磨损,造成密封盖的使用寿命减短。
技术实现思路
根据现有技术中存在的上述问题,现提供一种密封盖结构及湿法刻蚀设备,适用于盖合湿法刻蚀设备的处理槽,所述处理槽具有向上的开口,所述密封盖结构包括:伸缩单元,设置于所述开口两侧,所述伸缩单元设置有一处于伸出状态的第一位置及一处于缩回状态的第二位置;密封盖本体,连接于所述伸缩单元上,并于所述伸缩单元处于第二位置时封盖所述开口,以及于所述伸缩单元处于所述第一位置时使所述开口打开;驱动装置,连接所述伸缩单元用以驱动所述伸缩单元伸出以及缩回。较佳的,上述密封盖结构中,所述驱动装置为气缸及油缸中的一种。较佳的,上述密封盖结构中,所述伸缩单元为活塞杆。较佳的,上述密封盖结构中,所述驱动装置设置有一对,一对所述驱动装置设置于所述开口两侧。较佳的,上述密封盖结构中,还包括轨道,所述轨道设置于所述开口的至少一侧,所述密封盖本体的至少一侧边缘可滑动的嵌设于所述轨道内。还包括一种湿法刻蚀设备,其中,包括上述任一所述的密封盖结构。上述技术方案的有益效果是:通过在处理槽的两侧各设置伸缩装置,伸缩装置分别连接密封盖本体的两侧,使得密封盖开闭动作均匀受力,延长密封盖的使用寿命,减少由于密封盖开闭异常而导致报废的晶圆,提高生产效率,降低维修成本。附图说明图1是本技术的较佳的实施例中,一种密封盖结构的结构示意图;图2是本技术的较佳的实施例中,处理槽关闭时的结构示意图;图3是本技术的较佳的实施例中,处理槽打开时的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明,但不作为本技术的限定。本技术的较佳的实施例中,如图1-3所示,一种密封盖结构,适用于盖合湿法刻蚀设备的处理槽1,处理槽1具有向上的开口,密封盖结构包括:伸缩单元2,设置于开口两侧,伸缩单元设置有一处于伸出状态的第一位置及一处于缩回状态的第二位置;密封盖本体3,连接于伸缩单元2上,并于伸缩单元2处于第二位置时封盖开口,以及于伸缩单元处于第一位置时使开口打开;驱动装置4,连接伸缩单元2用以驱动伸缩单元2伸出以及缩回。上述技术方案中,通过驱动装置4,来驱动设置于处理槽1的开口两侧的伸缩单元2,进而由伸缩单元2移动密封盖本体3于第一位置以及第二位置之间移动,从而实现密封盖本体3处于第一位置时处理槽1打开,密封盖本体3处于地二位置时处理槽1的开口被封盖。由于伸缩单元2安装在开口的两侧,因此由伸缩单元2移动密封盖本体3时使密封盖本体3受力均匀,不易出现单边磨损的情况。本技术的较佳的实施例中,驱动装置4为气缸及油缸中的一种。本技术的较佳的实施例中,伸缩单元2为活塞杆。本技术的较佳的实施例中,驱动装置4设置有一对,一对驱动装置设置于开口两侧。以下,以采用油缸的实施例进行说明,在处理槽1的两侧各设置一个油缸,每个油缸均具有一个可伸缩的活塞杆,两个油缸的活塞杆分别连接密封盖本体3的两侧,通过油缸的活塞杆伸出以及缩回,带动密封盖本体3封盖和打开处理槽1的开口。如图2所示,当活塞杆处于收缩状态时,密封盖本体3封盖处理槽1的开口;如图3所示,在打开处理槽1时,两个油缸同时驱动活塞杆向外伸出,带动密封盖本体3,使密封盖本体3离开处理槽1的开口处,使得处理槽1的开口被打开。由于两个活塞杆分别设置在密封盖本体3的两侧,使得密封盖本体3在开闭动作时受力均匀,延长密封盖的使用寿命,减少由于密封盖本体3开闭异常而导致报废的晶圆,提高生产效率,降低维修成本。本技术的较佳的实施例中,如图3所示,还包括轨道,轨道设置于开口的至少一侧,密封盖本体3的至少一侧边缘可滑动的嵌设于轨道内。上述技术方案中,通过在处理槽1上设置导轨,将密封盖本体3的边缘嵌设于轨道内,可以起到支撑密封盖本体3的作用,另外起到固定密封盖本体3的作用,使得密封盖本体3只能定向运动,避免在密封盖本体3在运动过程中偏向,不能完全密封处理槽1的开口的隐患。本技术的技术方案中,还包括一种湿法刻蚀设备,该湿法刻蚀设备使用上述的密封盖结构。以上所述仅为本技术较佳的实施例,并非因此限制本技术的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...
一种密封盖结构及湿法刻蚀设备

【技术保护点】
一种密封盖结构,适用于盖合湿法刻蚀设备的处理槽,所述处理槽具有向上的开口,其特征在于,所述密封盖结构包括:伸缩单元,设置于所述开口两侧,所述伸缩单元设置有一处于伸出状态的第一位置及一处于缩回状态的第二位置;密封盖本体,连接于所述伸缩单元上,并于所述伸缩单元处于第二位置时封盖所述开口,以及于所述伸缩单元处于所述第一位置时使所述开口打开;驱动装置,连接所述伸缩单元用以驱动所述伸缩单元伸出以及缩回。

【技术特征摘要】
1.一种密封盖结构,适用于盖合湿法刻蚀设备的处理槽,所述处理槽具有向上的开口,其特征在于,所述密封盖结构包括:伸缩单元,设置于所述开口两侧,所述伸缩单元设置有一处于伸出状态的第一位置及一处于缩回状态的第二位置;密封盖本体,连接于所述伸缩单元上,并于所述伸缩单元处于第二位置时封盖所述开口,以及于所述伸缩单元处于所述第一位置时使所述开口打开;驱动装置,连接所述伸缩单元用以驱动所述伸缩单元伸出以及缩回。2.如权利要求1所述的密封盖结构,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴智翔张弢刘鹏
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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