The invention discloses a LDMOS device, including: body region drift region by a gate structure; the gate dielectric layer and the polysilicon gate is formed by stacking, source and drain regions are composed of P+; the hole injection region is formed in the drain region of the lateral drift region; hole injection zone depth is greater than the drain region the depth of a charge storage region; composed of N type doped region in the accumulation layer is formed in a region; hole injection hole in the device is turned on to provide injection to reduce the resistance, charge storage area for blocking hole drift. The doping concentration in the charge storage area is larger than that in the drift region and the doping concentration in the charge storage area is smaller than that in the bulk area. The depletion of the drift region is decided by the doping concentration in the body region and the drift region. The invention can reduce the conduction resistance of the device, while maintaining a good breakdown voltage.
【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件
本专利技术涉及一种半导体集成电路,特别是涉及一种LDMOS器件。
技术介绍
如图1所示,是现有LDMOS器件的结构示意图;现有LDMOS器件包括:N型掺杂的漂移区102。所述漂移区102由深N阱组成。所述深N阱形成于半导体衬底101表面。较佳为,所述半导体衬底101为P型掺杂。所述半导体衬底101为硅衬底。P型掺杂的体区103,所述体区103的结深小于所述漂移区102的结深,所述体区103和所述漂移区102横向交叠。由栅介质层104和多晶硅栅105叠加形成的栅极结构,所述多晶硅栅105覆盖所述体区103的表面且所述多晶硅栅105的第二侧面延伸到所述漂移区102的表面;被所述多晶硅栅105所覆盖的所述体区103表面用于形成沟道,被所述多晶硅栅105所覆盖的所述漂移区102为积累层区域。较佳为,所述栅介质层104为栅氧化层。由N+区组成的源区106形成于所述体区103表面并和所述多晶硅栅105的第一侧面自对准。由N+区组成的漏区107形成于所述漂移区102表面并和所述多晶硅栅105的第二侧面相隔一段距离。在所述体区103的表面还形成有由P+区组成的体引出接触区108。所述源区106和所述体引出接触区108都通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极。所述漏区107都通过接触孔连接到由正面金属层组成的漏极。所述多晶硅栅105的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极。图1所示的现有器件的导通电阻为:Rsp=Rcs+Rch+Ra+Rdrift+Rcd;其中Rsp表示导通电阻,Rcs为源接触电阻;Rch为沟道电阻;Ra为积累层电阻,也即被多晶硅栅105 ...
【技术保护点】
一种LDMOS器件,其特征在于,包括:N型掺杂的漂移区;P型掺杂的体区,所述体区的结深小于所述漂移区的结深,所述体区和所述漂移区横向交叠;由栅介质层和多晶硅栅叠加形成的栅极结构,所述多晶硅栅覆盖所述体区的表面且所述多晶硅栅的第二侧面延伸到所述漂移区的表面;被所述多晶硅栅所覆盖的所述体区表面用于形成沟道,被所述多晶硅栅所覆盖的所述漂移区为积累层区域;源区形成于所述体区表面并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准;漏区形成于所述漂移区表面并和所述多晶硅栅的第二侧面相隔一段距离;在所述漏区的外侧的所述漂移区中形成有由P+区组成的空穴注入区;所述空穴注入区的深度大于所述漏区的深度;在所述积累层区域中形成有由N型掺杂区组成的电荷存储区;所述空穴注入区在器件导通时提供空穴注入以减少导通电阻,所述电荷存储区用于对空穴漂移进行阻挡;所述电荷存储区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度以及所述电荷存储区的掺杂浓度小于所述体区的掺杂浓度,使器件截止时所述漂移区的耗尽由所述体区和所述漂移区的掺杂浓度决定。
【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件,其特征在于,包括:N型掺杂的漂移区;P型掺杂的体区,所述体区的结深小于所述漂移区的结深,所述体区和所述漂移区横向交叠;由栅介质层和多晶硅栅叠加形成的栅极结构,所述多晶硅栅覆盖所述体区的表面且所述多晶硅栅的第二侧面延伸到所述漂移区的表面;被所述多晶硅栅所覆盖的所述体区表面用于形成沟道,被所述多晶硅栅所覆盖的所述漂移区为积累层区域;源区形成于所述体区表面并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准;漏区形成于所述漂移区表面并和所述多晶硅栅的第二侧面相隔一段距离;在所述漏区的外侧的所述漂移区中形成有由P+区组成的空穴注入区;所述空穴注入区的深度大于所述漏区的深度;在所述积累层区域中形成有由N型掺杂区组成的电荷存储区;所述空穴注入区在器件导通时提供空穴注入以减少导通电阻,所述电荷存储区用于对空穴漂移进行阻挡;所述电荷存储区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度以及所述电荷存储区的掺杂浓度小于所述体区的掺杂浓度,使器件截止时所述漂移区的耗尽由所述体区和所述漂移区的掺杂浓度决定。2.如权利要求1所述的LDMOS器件,其特征在于:所述空穴注入区的结深小于等于所述漂移区的结深。3.如权利要求1或2...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜树范,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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