半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在衬底的表面形成图案化的第一TEOS层作为硬掩膜层；使用硬掩膜层刻蚀衬底，以形成深沟槽；在图案化的第一TEOS层的表面和深沟槽的内壁上形成第二TEOS层；向深沟槽底部的衬底内注入离子，以形成沟道停止层；去除图案化的第一TEOS层和第二TEOS层；在深沟槽的内壁和衬底的表面形成第三TEOS层，深沟槽内壁的第三TEOS层和衬底表面的第三TEOS层的厚度相同；第三TEOS层反应形成隔离氧化层，隔离氧化层的表面平整；向深沟槽内填充多晶硅，多晶硅同时覆盖隔离氧化层的表面，研磨多晶硅，以在深沟槽内形成栅极。本发明专利技术减少了多晶硅的残留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

1、浅沟槽隔离(sti)是一种广泛用于预防集成电路器件间串扰的隔离技术。随着对器件抗击穿性能要求的提升，传统的浅沟槽隔离技术已经不能隔离满足要求。

2、深沟槽隔离(dti)技术应运而生，目前已经广泛运用于包括bcd的在内的多种工艺中。深沟槽隔离技术是一种常用于高电压芯片设计中的隔离技术。深沟槽隔离是指在半导体芯片中设计深槽，并在深槽内填充绝缘材料，以形成高电压的绝缘障壁，以隔离相邻器件。深沟槽隔离技术可以有效地隔离芯片中不同电压的器件，减少器件之间的电磁干扰，提高芯片的稳定性和可靠性。此外，使用深沟槽隔离技术还可以在同一芯片内实现不同电压的电路，减少芯片的面积和功耗。深沟槽隔离技术的实现需要解决许多工艺问题，如深槽的加工、填充绝缘材料、平整化等。因此，深沟槽隔离技术的研究和发展需要具备专业知识和细致的工程操作。

3、目前深沟槽隔离技术已广泛应用于各种高电压器件和电路设计中，如ldmos(laterally diffused metal oxide semicond本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底的表面形成图案化的第一TEOS层的方法包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在图案化的所述第一TEOS层和深沟槽的内壁上沉积形成第二TEOS层。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二TEOS的厚度为7000埃～13000埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底的表面形成图案化的第一teos层的方法包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在图案化的所述第一teos层和深沟槽的内壁上沉积形成第二teos层。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二teos的厚度为7000埃～13000埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离氧化层包括二氧化硅。

7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：严强生，崔燕雯，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：