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本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在衬底的表面形成图案化的第一TEOS层作为硬掩膜层；使用硬掩膜层刻蚀衬底，以形成深沟槽；在图案化的第一TEOS层的表面和深沟槽的内壁上形成第二TEOS层；向深沟槽底部的衬底内注入离子，以形成沟道停...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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