System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 射频开关及射频终端制造技术_技高网

射频开关及射频终端制造技术

技术编号:42640806 阅读:46 留言:0更新日期:2024-09-06 01:37
一种射频开关及射频终端。所述射频开关包括:射频端口;天线端口;天线电路;信号传输支路,位于所述射频端口及所述射频接地端口之间或者位于所述射频端口及所述天线端口之间,用于控制传输射频信号;其中,所述信号传输支路包括两个以上级联的开关管单元及公共偏置电阻,其中,所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口中至少一端的至少一级的开关管单元与所述公共偏置电阻的第二端连接,其它开关管单元与所述公共偏置电阻的第一端连接;所述公共偏置电阻的第二端为所述公共偏置电阻远离所述射频端口的一端。采用上述方案,可以改善射频开关的ESD窗口效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路,具体涉及一种射频开关及射频终端


技术介绍

1、射频开关是用于控制射频信号传输路径的控制器件之一,在无线通信、电子对抗、雷达系统及电子测量仪器等许多领域有广泛用途。

2、射频开关的射频端口与天线端口之间,一般采用串联开关支路及并联开关支路来控制射频信号传输路径。其中,并联开关支路一般具有较大尺寸而具有较强的静电释放(electro-static discharge,esd)能力,故射频开关通常利用其并联开关支路作为esd自泄放通路,而不额外引入esd模块,由此可以最大程度不引入射频寄生效应而不影响射频性能,且不增加额外的芯片面积成本。

3、然而,射频开关在进行esd扫描测试时会出现esd窗口效应。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题是:如何改善射频开关的esd窗口效应。

2、为解决上述问题,本专利技术实施例提供了一种射频开关,所述射频开关包括:

3、射频端口;

4、天线端口;

5、天线电路;

6、信号传输支路,位于所述射频端口及所述射频接地端口之间或者位于所述射频端口及所述天线端口之间,,用于控制传输射频信号;

7、其中,所述信号传输支路包括两个以上级联的开关管单元及公共偏置电阻,所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口中至少一端的至少一级的开关管单元与所述公共偏置电阻的第二端连接,其它开关管单元与所述公共偏置电阻的第一端连接;

8、所述公共偏置电阻的第二端为所述公共偏置电阻远离所述射频端口的一端。

9、在一种可能的实施例中,与所述公共偏置电阻第二端连接的开关管单元,是所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口的连续k级开关管单元,其中,k为正整数且小于所在信号传输支路中开关管单元的一半。

10、在一种可能的实施例中,k=1。

11、在一种可能的实施例中,所述信号传输支路为第一信号传输支路,位于所述射频端口及所述射频接地端口之间,所述第一信号传输支路与所述射频端口并联连接。

12、在一种可能的实施例中,所述信号传输支路为第二信号传输支路,位于所述射频端口及所述天线端口之间,所述第二信号传输支路与所述射频端口及天线电路串联连接。

13、在一种可能的实施例中,所述射频开关包括两个所述信号传输支路,分别为第一信号传输支路及第二信号传输支路,其中,所述第一信号传输支路与所述射频端口并联连接;所述第二信号传输支路与所述射频端口及天线电路串联连接。

14、在一种可能的实施例中,所述开关管单元,包括:nmos管、栅极偏置电阻、通路电阻以及体极偏置二极管;其中,所述栅极偏置电阻位于所述nmos管的栅极;所述通路电阻的一端与所述nmos管的漏极连接,另一端与所述nmos管的源极连接;所述体极偏置二极管与所述nmos管的衬底连接。

15、在一种可能的实施例中,所述射频开关还包括:模拟与数字控制电路,与所述公共偏置电阻的第二端连接,适于控制所述信号传输支路的通断。

16、在一种可能的实施例中,所述射频端口为两个以上,任意射频端口与所述天线端口之间均设置有所述信号传输支路。

17、在一种可能的实施例中,任意射频端口与射频接地端口之间均有所述信号传输支路。

18、本专利技术的实施例还提供了一种射频终端,所述射频终端包括上述任一种所述的射频开关。

19、与现有技术相比,本专利技术实施例的技术方案具有以下优点:

20、应用本专利技术的方案,在沿静电释放方向上,通过将信号传输支路紧邻输入端口或输出端口中至少一端的至少一级的开关管单元与公共偏置电阻的第二端连接,由此可以降低信号传输支路中至少一级的开关管单元的栅极耦合电压,使得信号传输支路中至少一级的开关管单元在静电泄放过程中保持关闭状态,从而可以使得信号传输支路中其它开关管单元因没有足够的沟道电流而不发生切换失效,最终改善射频开关的esd窗口效应。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频开关,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,与所述公共偏置电阻第二端连接的开关管单元,是所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口的连续k级开关管单元,其中,k为正整数且小于所在信号传输支路中开关管单元总数量的一半。

3.如权利要求2所述的射频开关,其特征在于,k=1。

4.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述信号传输支路为第一信号传输支路,位于所述射频端口及所述射频接地端口之间,所述第一信号传输支路与所述射频端口并联连接。

5.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述信号传输支路为第二信号传输支路,位于所述射频端口及所述天线端口之间,所述第二信号传输支路与所述射频端口及天线电路串联连接。

6.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述射频开关包括两个所述信号传输支路,分别为第一信号传输支路及第二信号传输支路,其中,所述第一信号传输支路与所述射频端口并联连接;所述第二信号传输支路与所述射频端口及天线电路串联连接。

7.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述开关管单元,包括:NMOS管、栅极偏置电阻、通路电阻以及体极偏置二极管;其中,所述栅极偏置电阻位于所述NMOS管的栅极;所述通路电阻的一端与所述NMOS管的漏极连接,另一端与所述NMOS管的源极连接;所述体极偏置二极管与所述NMOS管的衬底连接。

8.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,还包括:模拟与数字控制电路,与所述公共偏置电阻的第二端连接,适于控制所述信号传输支路的通断。

9.如权利要求1至8任一项所述的射频开关,其特征在于,所述射频端口为两个以上,任意射频端口与所述天线端口之间均设置有所述信号传输支路。

10.如权利要求1至8任一项所述的射频开关,其特征在于,任意射频端口与射频接地端口之间均有所述信号传输支路。

11.一种射频终端,其特征在于,包括权利要求1至10任一项所述的射频开关。

...

【技术特征摘要】

1.一种射频开关,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,与所述公共偏置电阻第二端连接的开关管单元,是所述信号传输支路紧邻输入端口或输出端口的连续k级开关管单元,其中,k为正整数且小于所在信号传输支路中开关管单元总数量的一半。

3.如权利要求2所述的射频开关,其特征在于,k=1。

4.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述信号传输支路为第一信号传输支路,位于所述射频端口及所述射频接地端口之间,所述第一信号传输支路与所述射频端口并联连接。

5.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述信号传输支路为第二信号传输支路,位于所述射频端口及所述天线端口之间,所述第二信号传输支路与所述射频端口及天线电路串联连接。

6.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述射频开关包括两个所述信号传输支路,分别为第一信号传输支路及第二信号传输支路,其中,所述第一信号传输支路与所述射频端口并联连...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴若凡何军
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1