声波器件制造技术

一种可小型化的声波器件。所述声波器件的某些示例包括：衬底；IDT电极，设置在所述衬底上方；布线电极，设置在所述衬底上方且连接到所述IDT电极；密封体，密封激励空间，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及密封墙，设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分。所述布线电极的外周包括突起。在一示例中，所述布线电极包括设置在所述衬底的上表面上的第一布线电极和设置在所述第一布线电极的上表面上的第二布线电极，所述第二布线电极的外周具有突起。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
多个方面和实施例涉及用于各种电子设备的声波器件。相关申请的交叉引用本申请依据美国法典第35卷第119节和PCT第8条主张2014年7月31日提交的题为“声波器件”的共同未决日本专利申请No.2014-155795的优先权，其通过引用整体合并于此以用于所有目的。
技术介绍
通常，声波器件是众所周知的，其可作为用作无线通信设备的分路滤波器(branchingfilter)或高频滤波器的电子部件。日本专利申请公开No.2012-109925描述了常规声波器件的例子。引文列表专利文献专利文献1：日本专利申请公开No.2012-109925
技术实现思路
常规的声波器件难以小型化，因为小型化会使叉指换能器电极(IDT电极)的激励区域更靠近声波器件的密封构件，这会影响激励特性。多个方面和实施例涉及提供一种声波器件，其相对于具有可比拟的特征和/或性能的常规声波器件的尺寸而言可被小型化。根据某些实施例，一种声波器件包括：衬底；设置在所述衬底上方的IDT电极；连接到所述IDT电极的布线电极，所述布线电极的外周具有突起；密封激励空间的密封体，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及设置在所述布线电极上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波器件，包括：衬底；IDT电极，设置在所述衬底上方；密封体，密封激励空间，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；布线电极，设置在所述衬底上方且连接到所述IDT电极，所述布线电极包括形成在所述布线电极的外周上且配置为突出到所述激励空间中的突起；以及密封墙，设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.31 JP 2014-1557951.一种声波器件，包括：衬底；IDT电极，设置在所述衬底上方；密封体，密封激励空间，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；布线电极，设置在所述衬底上方且连接到所述IDT电极，所述布线电极包括形成在所述布线电极的外周上且配置为突出到所述激励空间中的突起；以及密封墙，设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。2.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述布线电极包括：第一布线电极，设置在所述衬底的上表面上；以及第二布线电极，设置在所述第一布线电极的上表面上，所述突起形成在所述第二布线电极的外周上。3.根据权利要求2所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一电介质膜上方。4.根据权利要求2所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极覆盖所述第一电介质膜的外周。5.根据权利要求2所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极且覆盖所述第一布线电极的外周的第一电介质膜。6.根据权利要求5所述的声波器件，还包括覆盖所述布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜，所述密封墙设置在所述第二电介质膜上方。7.根据权利要求1所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述突起设置在所述第一电介质膜的外周上方。8.根据权利要求1-7中的任一项所述的声波器件，还包括：端电极，设置在所述密封体的上表面上；以及连接电极，将所述布线电极连接到所述端电极。9.一种声波器件，包括：压电衬底；IDT电极，设置在所述压电衬底的上表面上；第一布线电极，设置在所述压电衬底的上表面上并且连接到所述IDT电极；第二布线电极，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一布线电极的上表面上，所述第二布线电极包括形成在所述第二布线电极的外周上且配置为突出到激励空间中的突起；以及密封体，密封激励空间，所述IDT电极在激励空间中激发声波，所述密封体包括设置在所述第二布线电极上方的密封墙，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。10.根据权利要求9所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨冈阳介，山路徹，古川光弘，
申请(专利权)人：天工滤波方案日本有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP