用于集成电路裸片的自对准的方法和装置制造方法及图纸

本公开描述了用于自对准集成电路(IC)裸片的装置和技术。在一些方面中，在基板表面上形成疏水材料的图案。该图案可以暴露基板表面的用于放置IC裸片的区域。然后，将水基溶液施加到该区域，使得液滴形成在基板表面的暴露区域上。IC裸片被放置在水基溶液的液滴上，这使得IC裸片与基板表面的暴露区域对准。然后使液滴蒸发，使得经对准的IC裸片安置在基板表面的暴露区域上。

【技术实现步骤摘要】
用于集成电路裸片的自对准的方法和装置相关申请的交叉引用本公开内容要求于2016年9月6日提交的美国临时专利申请No.62/383,921的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
本文提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的环境的目的。除非另有说明，否则本章节中描述的方法不是本公开的权利要求的现有技术，并且不由于被包含在本章节中而承认是现有技术。在大多数芯片制造工艺期间，集成电路(IC)裸片从硅晶圆被单片化(例如，被分离)并且被安装到裸片载体以用于后续处理。然而，将IC裸片安装到裸片载体常常需要高精度级别以确保裸片相对于彼此或裸片载体本身的正确放置。典型的IC裸片安装设备和机器依赖于机械能力来实现这种裸片放置精度级别。由于这种对机械能力的依赖性，其时常是缓慢而耗时的，所以这些IC裸片安装设备和机器就填充裸片载体而言具有低吞吐量。这些机器的低吞吐量不仅减慢了芯片制造，而且由于每个IC裸片在裸片安装机器和相关设备中花费的延长的时间量也增加了与每个芯片相关联的制造成本。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以用于介绍在具体实施方式和附图中进一步描述的主题。因此，本
技术实现思路
不应被视为描述基本特征，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在基板表面上以一种图案形成疏水材料，所述图案暴露所述基板表面的用于放置集成电路(IC)裸片的区域；向暴露区域施加水基溶液，使得所述水基溶液的液滴形成在所述基板表面的所述暴露区域上；将IC裸片放置在形成于所述基板表面的所述暴露区域上的所述水基溶液的所述液滴上；以及使所述水基溶液的所述液滴蒸发，使得所述IC裸片安置在所述基板表面的所述暴露区域上。

【技术特征摘要】
2016.09.06 US 62/383,9211.一种方法，包括：在基板表面上以一种图案形成疏水材料，所述图案暴露所述基板表面的用于放置集成电路(IC)裸片的区域；向暴露区域施加水基溶液，使得所述水基溶液的液滴形成在所述基板表面的所述暴露区域上；将IC裸片放置在形成于所述基板表面的所述暴露区域上的所述水基溶液的所述液滴上；以及使所述水基溶液的所述液滴蒸发，使得所述IC裸片安置在所述基板表面的所述暴露区域上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上有效地使所述IC裸片与所述基板表面的所述暴露区域自对准。3.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述水基溶液的所述液滴蒸发包括向所述基板或所述水基溶液的液滴施加热。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板的所述暴露区域具有基本上为矩形或方形的形状。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述疏水材料被施加于其中的所述图案被配置成使得所述基板表面的所述暴露区域基本上匹配所述IC裸片的覆盖区。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成在所述基板表面上的所述疏水材料的厚度的范围为从约为1微米至20微米。7.根据权利要求1所述的方法，其中：所述基板表面包括粘合剂材料层；所述方法还包括在所述粘合剂材料层上形成所述疏水材料；以及使所述水基溶液的所述液滴蒸发有效地经由所述粘合剂材料层将所述IC裸片粘附到所述基板表面的所述暴露区域。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述疏水材料包括氮化硅或氧化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板表面或驻留在所述基板表面上的粘合剂层是亲水的。10.一种装置，包括：用于支撑集成电路(IC)裸片载体的固定件；第一模块，所述第一模块被配置成在所述IC裸片载体的表面上形成疏水材料的图案，所述图案暴露所述IC裸片载体的所述表面的亲水区域；第二模块，所述第二模块被配置成将水基溶液的液滴施加到所述IC裸片载体的所述表面的所述亲水区域；第三模块，所述第三模块被配置成将所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上；以及第四模块，所述第四模块被配置成加热所述IC裸片载体以有效地...

【专利技术属性】
技术研发人员：LC·王，M·雅各布斯，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：巴巴多斯,BB