静态随机存取存储器SRAM装置制造方法及图纸

在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。

Static random access memory SRAM device

In one embodiment, a static random access memory SRAM device is provided. The SRAM device comprises: a plurality of memory units; a bit line is coupled to the first group of the plurality of memory cells at the data node; and the first voltage supply line is coupled to the second groups of the plurality of memory units. The SRAM device further includes a first switch, the first voltage supply line is selectively coupled to the first voltage to the first voltage supply line is charged to a first voltage level; and the two switch, the first voltage supply line selectively coupled to the bit line to the bit line precharge to the bit line than the first voltage level small voltage level.

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器SRAM装置
此专利文件中所阐述的技术一般来说涉及静态随机存取存储器SRAM装置，且更具体地说，涉及位线预充电电路及对SRAM装置中的位线预充电的方法。
技术介绍
静态随机存取存储器(SRAM)通常用于电子装置。SRAM单元具有在不需要再新的情况下保存数据的有利构件。SRAM单元可包含不同数目个晶体管，且因此通常由晶体管的数目指代(例如，六晶体管(6T)SRAM、八晶体管(8T)SRAM及诸如此类)。晶体管通常形成用于存储数据位的数据锁存器。可添加额外晶体管以控制对晶体管的存取。SRAM单元通常布置为具有行及列的阵列。通常，SRAM单元的每一行连接到一字线，所述字线确定是否选择当前SRAM单元。SRAM单元的每一列连接到一位线(或一对位线)，此用于将数据位存储到选定SRAM单元中或从选定SRAM单元读取所存储数据位。
技术实现思路
在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器(SRAM)装置。SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。在另一实施例中，提供一种静态随机存取存储器(SRAM)装置。SRAM装置包括：多个存储器单元；第一位线，其耦合到多个存储器单元中的第一组；第二位线，其耦合到多个存储器单元中的第二组；第一电压供应线，其耦合到多个存储器单元中的第一组；第二电压供应线，其耦合到多个存储器单元中的第二组；第一开关，其经配置以将第二电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将第二电压供应线充电到第一电压电平；第二开关，其经配置以将第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将第一电压供应线充电到第一电压电平；第三开关，其经配置以将第二电压供应线选择性地耦合到第一位线以将第一位线预充电到第一位线电压电平；及第四开关，其经配置以将第一电压供应线选择性地耦合到第二位线以将第二位线预充电到第二位线电压电平。在另一实施例中，提供一种静态随机存取存储器(SRAM)装置中的方法。所述方法包括：提供第一开关以用于将第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将第一电压供应线充电到第一电压电平；提供第二开关以用于将位线选择性地耦合到第一电压供应线以将位线充电到比第一电压电平低的第二电压电平；及操作第一开关及第二开关以将位线充电到第二电压电平。附图说明当与附图一起阅读时，从以下详细说明最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种构件未必按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种构件的尺寸。图1是展示根据某些实施例的实例性SRAM电路的框图。图2是展示根据某些实施例的实例性SRAM存储器单元的示意图。图3是图解说明根据某些实施例的在SRAM存储器电路中用于存取存储器单元的实例性方法的程序流程图。图4是图解说明根据某些实施例的在SRAM存储器电路中用于存取存储器单元的另一实例性方法的程序流程图。图5是图解说明根据某些实施例的在SRAM存储器电路中用于存取存储器单元的另一实例性方法的程序流程图。图6是根据某些实施例的含有单个存储器阵列的实例性SRAM的框图。图7是根据某些实施例的具有配置在蝶式架构中的两个存储器阵列的实例性SRAM的框图。图8是根据某些实施例的具有配置在悬空BL阵列架构中的两个存储器阵列的另一实例性SRAM的框图。图9是图解说明根据某些实施例的用于存取存储器单元的SRAM存储器装置中的实例性方法的程序流程图。具体实施方式以下揭露提供用于实施所提供目标物的不同构件的诸多不同实施例或实例。下文阐述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅是实例且并非意欲是限制性的。举例来说，在以下说明中在第二构件上方或在第二构件上形成第一构件可包含其中第一构件及第二构件以直接接触方式而形成的实施例，且还可包含其中额外构件可形成在第一构件与第二构件之间使得第一构件与第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简单及清晰目的且自身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为便于说明，本文中可使用空间相对术语(诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”及诸如此类)以阐述一个组件或构件与另一(些)组件或构件的关系，如各图中所图解说明。所述空间相对术语意欲除各图中所展示的定向以外还涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述语。本文中阐述用于减小并入SRAM电路的SRAM装置及芯片中的功率消耗的技术。在于读取及写入操作期间对位线(BL)充电或放电期间发生SRAM耗散大量总有源功率。因此，减小BL功率消耗可导致经减小SRAM有源功率消耗且因此导致经减小芯片有源功率消耗。可通过将BL预充电到比存储器单元的高电压电平(VDD)小的BL电压电平(VBL)而达成较低BL功率消耗。将BL预充电到小于VDD的VBL还具有改良读取静态噪声裕量的额外益处且可帮助改良SRAMVmin。尤其对于广泛范围的宏观大小及纵横比，形成小于VDD的预充电电压VBL可具有挑战性。本文中阐述用以形成关于宏观大小及纵横比可为恒定的预充电电压的电荷共享方案。图1是实例性SRAM电路10的框图。实例性SRAM电路10包含包括多个存储器或位单元14的存储器阵列12的一部分。高电压供应线(VVDD)16耦合到每一位单元16。位线(BL)18及互补位线(BLB)20分别耦合到每一存储器单元中的数据节点及互补数据节点。位线及互补位线分别具有由位线电容器CBL22及互补位线电容器CBLB24表示的位线电容。高电压供应线(VVDD)16具有由高电压供应线电容器CVVDD26表示的高电压供应线电容。字线28还耦合到每一位单元14。实例性SRAM电路10还包含将位线18及互补位线20选择性地充电到比由高电压源30供应的高电压电平(VDD)小的位线电压(VBL)的开关组。展示第一开关S0、第二开关S1及第三开关S2。可操作第一开关S0以将VVDD16选择性地耦合到高电压源30以将电荷存储在CVVDD26中从而将VVDD16充电到VDD。可操作第二开关S1以将BL18选择性地耦合到VVDD16以允许CBL22共享存储在CVVDD26中的电荷从而将BL18充电到比VDD小的位线电压电平(VBL)。当使CBL22共享存储在CVVDD26中的电荷时，将VVDD16部分地放电到比VDD小的电压电平且因此将BL18充电到比VDD小的位线电压电平(VBL)。可操作第三开关S2以将BLB20选择性地耦合到VVDD16(在此实例中通过S1)以允许CBLB24共享存储在CVVDD26中的电荷以将BLB20充电到比VDD小的互补位线电压电平。在其它实例中，可将第三开关S2较直接地耦合到VVDD16(例如，不通过S1)以允许CBLB24共享存储在CVVDD26中的电荷以将BLB20充电到比VD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器SRAM装置，其包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组；第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。

【技术特征摘要】
2016.08.08 US 15/231,2931.一种静态随机存取存储器SRAM装置，其包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；第一电压供应线，其耦合到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马姆特·辛纳格，郑基廷，廖宏仁，张琮永，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71