一种抗干扰半导体结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰半导体结构
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种抗干扰半导体结构。
技术介绍
半导体在使用时，因半导体未设置有抗干扰装置或抗干扰能力不强，容易被外部元器件干扰，也会干扰外部元器件正常运动，给使用者带来不便。原有的半导体结构，未设置有抗干扰装置或抗干扰能力不强，半导体芯片在工作时，容易对外部元器件产生干扰，外部元器件也容易对半导体芯片干扰，长时间使用时，半导体不能正常工作，给使用者带来不便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种抗干扰半导体结构，以解决上述
技术介绍
中提出的原有的半导体结构，未设置有抗干扰装置或抗干扰能力不强，半导体芯片在工作时，容易对外部元器件产生干扰，外部元器件也容易对半导体芯片干扰，长时间使用时，半导体不能正常工作，给使用者带来不便的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种抗干扰半导体结构，所述半导体结构包括半导体干扰组件和干扰层组件，所述半导体干扰组件包括半导体芯片、辅助互感器、半导体集成板和半导体芯片安装板；半导体芯片安装板的表面由内向外依次包覆有铝、铜及石墨烯，其制备工艺具体为：a：将半导体芯片安装板基体进行...
【技术保护点】
一种抗干扰半导体结构，其特征在于：所述半导体结构（100）包括半导体干扰组件（10）和干扰层组件（20），所述半导体干扰组件（10）包括半导体芯片（11）、辅助互感器（12）、半导体集成板（13）和半导体芯片安装板（15），所述半导体集成板（13）的上表面固定设置有半导体芯片安装板（15）；所述半导体芯片安装板（15）的表面由内向外依次包覆有铝、铜及石墨烯，其制备工艺具体为：a：将半导体芯片安装板（15）基体进行铣面，将包铝板与半导体芯片安装板（15）基体焊接在一起，通过热轧工艺对半导体芯片安装板（15）基体完成铝包覆工艺；b：对包覆过的半导体芯片安装板（15）基体进行除油...
【技术特征摘要】
1.一种抗干扰半导体结构，其特征在于：所述半导体结构（100）包括半导体干扰组件（10）和干扰层组件（20），所述半导体干扰组件（10）包括半导体芯片（11）、辅助互感器（12）、半导体集成板（13）和半导体芯片安装板（15），所述半导体集成板（13）的上表面固定设置有半导体芯片安装板（15）；所述半导体芯片安装板（15）的表面由内向外依次包覆有铝、铜及石墨烯，其制备工艺具体为：a：将半导体芯片安装板（15）基体进行铣面，将包铝板与半导体芯片安装板（15）基体焊接在一起，通过热轧工艺对半导体芯片安装板（15）基体完成铝包覆工艺；b：对包覆过的半导体芯片安装板（15）基体进行除油处理，除油液的组成为：无水碳酸钠（Na2CO3）40-60g/L，磷酸钠（Na3PO4·12H2O）40-60g/L，硅酸钠（Na2SiO3·9H2O）5-20g/L，OP-10乳化剂1-3ml/L，30-40℃，除油时间为5-10分钟；c：对半导体芯片安装板（15）基体进行亲水处理，亲水处理液的组成为：乙腈（C2H3N）10-20%，二氯甲烷（CH2Cl2）5-10%，N,N-二甲基甲酰胺（C3H7NO）70-85%，30-40℃，亲水时间为3-5分钟；d：对半导体芯片安装板（15）基体进行粗化处理，粗化液的组成为：氢氟酸（HF40%）100-250ml/L，氟化氢铵（NH4·HF2）10-20g/L，室温，粗化时间3-5分钟；e：对半导体芯片安装板（15）基体进行胶体钯活化，胶体钯溶液的组成为：二氯二氨钯（Pd(NH3)2Cl2）0.05-1.0g/L，盐酸10-60ml/L，锡酸钠（Na2SnO3·3H2O）0.4-0.8g/L，氯化钠（NaCl）100-150g/L，30-35℃，活化时间为3-5分钟；f：对半导体芯片安装板（15）基体解胶后进行化学镀处理，沉积铜溶液组成为：硫酸铜（CuSO4·5H2O）10-15g/L，乙二胺四乙酸二钠（EDTA·2Na）29-44g/L，乙醛酸（C2H2O3）7-12g/L，亚铁氰化钾10-20mg/L，a,a’-联吡啶10-30mg/L，pH13-14，30...
【专利技术属性】
技术研发人员：张跃宏，
申请(专利权)人：镇江佳鑫精工设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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