一种生成PIP电容的工艺方法及PIP电容技术

本发明专利技术公开了一种生成PIP电容的工艺方法及PIP电容，包括沉积第一层多晶硅，通过光阻定义并蚀刻所述第一层多晶硅形成第一多晶硅层，沉积第二层多晶硅，通过光阻定义并蚀刻所述第二层多晶硅形成若干个彼此独立分立的第二多晶硅层，且第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层共同组成电容下极板，然后形成介电质层和电容上极板，形成电容结构，本发明专利技术通过第二层多晶硅的设置，在不增加电容大小的情况下扩展了上下极板的面积，从而增加了PIP电容的电容量，在增加电容极板的面积的同时未增加电容的整体面积，且可控性和可设计性良好，适用于批量生产。

A process method for generating PIP capacitance and PIP capacitance

The invention discloses a method of generating process of PIP capacitor and a PIP capacitor, including the deposition of the first polysilicon layer, a first polysilicon layer is formed by the first polysilicon layer and etching the photoresist definition, depositing a second layer of polysilicon, the photoresist is defined and etching the polycrystalline silicon layer second is formed with a plurality of second independent discrete polysilicon layer with each other, and the first polysilicon layer and a plurality of second polysilicon layer composed of capacitance, then forming a dielectric layer and the capacitance plate, forming a capacitor structure, the invention through second layers of polysilicon in the extended settings, upper and lower plate area without increasing the size of the capacitor case, thereby increasing the capacitance PIP capacitor, whole area capacitance does not increase the increase in capacitance plate area at the same time, and the controllability and good design, suitable for mass production.

【技术实现步骤摘要】
一种生成PIP电容的工艺方法及PIP电容
本专利技术涉及半导体元器件工艺领域，尤其是一种生成PIP电容的工艺方法，以及所生成的PIP电容结构。
技术介绍
PIP电容是集成电路芯片中常用的无源器件，现有实践或在先技术中，PIP电容是集成电路中常用的无源器件，常用于射频和模拟电路中噪声发射与频率调制的器件。PIP电容具有由多晶硅形成的下电极和上电极，上下电极之间介电质由氮化硅或氧化硅构成。在器件需要大电容的情况下，通常通过增加上下极板的面积来实现，参见附图1-5，简单步骤及流程如下：(1)Si衬底1表面生长多晶硅层P2；(2)通过光阻定义并使用干法蚀刻多晶硅层P2，保留的多晶硅层P2作为电容下极板区域；(3)炉管生长氧化硅加氮化硅层3，作为介电质层；(4)然后生长第二层多晶硅层P1和硅钨化合物；(5)干法蚀刻，去除多余部分，保留的第二层多晶硅层P1作为电容上极板部分。但是，现有工艺中，如果需要增大电容容量，往往采用加大上下极板面积和减薄介电质层的厚度，由于介电质层的在一定厚度下，均匀性变差，所以一般采用增加极板面积的方法。增加极板面积，会显著地增加集成电路的面积从而制约了半导体器件的小型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：包括下述步骤：步骤1：在衬底上沉积第一层多晶硅；步骤2：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第一层多晶硅，形成第一多晶硅层；步骤3：在第一多晶硅层表面沉积第二层多晶硅；步骤4：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第二层多晶硅，在第一多晶硅层上方形成若干个彼此分立的第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层共同作为电容下极板区域；步骤5：在第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层表面沉积氧化硅层和氮化硅层形成的电容介电质层；步骤6：在电容介电质层沉积第三层多晶硅；步骤7：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第三层多晶硅，形成电容上极板区域。

【技术特征摘要】
1.一种生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：包括下述步骤：步骤1：在衬底上沉积第一层多晶硅；步骤2：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第一层多晶硅，形成第一多晶硅层；步骤3：在第一多晶硅层表面沉积第二层多晶硅；步骤4：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第二层多晶硅，在第一多晶硅层上方形成若干个彼此分立的第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层共同作为电容下极板区域；步骤5：在第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层表面沉积氧化硅层和氮化硅层形成的电容介电质层；步骤6：在电容介电质层沉积第三层多晶硅；步骤7：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第三层多晶硅，形成电容上极板区域。2.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：所述衬底材料为Si。3.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：所述步骤1中沉积第一层多晶硅厚度为1000A-2000A。4.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，其特征在于，所述步骤3中沉积第二层多晶硅厚度为300A-500A。5.根据权利要求1所述的生成PIP电容的工艺方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜在凯，周文斌，张磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42