博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法技术
Monitoring method of etch end of BOSCH process and the method of BOSCH etching
The invention discloses an etching end point monitoring method for BOSCH process and a BOSCH etching method, which can more accurately determine the etching end point and avoid substrate damage caused by excessive etching. In the BOSCH process, OES signals are continuously monitored and obtained, which is characterized by processing the OES signals at each etching step or every deposition step, so as to determine the etching terminal.
【技术实现步骤摘要】
博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种博世刻蚀方法以及博世工艺的刻蚀终点监测方法。
技术介绍
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(PlasmaTechnology)在半导体制造领域中正起着举足轻重的作用。等离子体技术通过使工艺气体激发形成的等离子体被应用在许多半导体工艺中，如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。对等离子体处理工艺来说，其准确度直接关系到元件的特征尺寸。随着半导体器件特征尺寸缩小，以及半导体制造过程中所用的等离子体处理工艺步骤的数量和复杂性的迅速增加，对等离子体处理工艺控制的要求变得更加严格，这就需要采用实时监控的手段来控制工艺过程的关键阶段。以等离子体刻蚀工艺为例，在等离子体刻蚀过程中，一个关键的问题是当被刻蚀的介质层被刻蚀掉之后，应当及时停止等离子体刻蚀，以避免下层介质层受到等离子体的刻蚀而损伤，从而造成器件的失效。因此，精确判定等离子体刻蚀工艺终点(endpoint)以避免因刻蚀不足或刻蚀过度导致元器件失效就变得日益重要。现有技术...
【技术保护点】
一种博世工艺的刻蚀终点监测方法，所述博世工艺包括交替进行的刻蚀步骤与沉积步骤，在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，以此来确定刻蚀终点。
【技术特征摘要】
1.一种博世工艺的刻蚀终点监测方法，所述博世工艺包括交替进行的刻蚀步骤与沉积步骤，在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，以此来确定刻蚀终点。2.如权利要求1所述的刻蚀终点监测方法，其中，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位对所获得的OES信号进行处理，包括：计算出所获得的每一刻蚀步骤的OES信号的平均值；根据所述平均值来确定刻蚀终点。3.如权利要求2所述的刻蚀终点监测方法，其中，根据所述平均值来确定刻蚀终点，包括：将所述平均值与一阈值进行比较，当某一刻蚀步骤的平均值超出所述阈值时，则停止刻蚀。4.如权利要求2所述的刻蚀终点监测方法，其中，根据所述平均值来确定刻蚀终点，包括：根据各个平均值之间的差值或比值，来确定刻蚀终点。5.如权利要求1所述的刻蚀终点监测方法，其中，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位对所获得的OES信号进行处理，包括：计算相邻刻蚀步骤与沉积步骤的所述平均值的比值；根据所述比值来确定刻蚀终点。6.如权利要求1所述的刻蚀终点监测方法，其中，刻蚀步骤通入的气体包括SF6，沉积步骤通入的气体包括C4F8。7.如权利要求6所述的刻蚀终点检测方法，还包括：采集基片表面的光波长信号，以确定基片表面的气体是刻蚀气体或沉积气体；根据基片表面的气体种类，发送指示信号至射频功率源，指示所述射频功率源调节至与基片表面的气体相匹配的功率条件。8.一种博世刻蚀方法，包括：将基片置于反应腔内；执行刻蚀步骤：向所述反应腔内持续通入...
【专利技术属性】
技术研发人员：严利均，黄智林，王红超，刘身健，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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