干法蚀刻气体以及干法蚀刻方法技术

本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。

Dry etching gas and dry etching method

The invention relates to a dry etching gas, which contains the purity is 99.5 mass% or more, each metal component and mixed in the gas of Fe, Ni, Cr, Al and Mo concentration and 500 quality of PPB following 1,3,3,3 tetrafluoropropene. For the dry etching gas, further optimization of nitrogen content of 0.5 vol% or less, the water content is 0.05 mass%, in the use of plasma dry etching gas and dry etching of the plasma gas, can improve the etching selectivity relative to the mask of silicon material.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】干法蚀刻气体以及干法蚀刻方法
本专利技术涉及包含1,3,3,3-四氟丙烯的干法蚀刻气体以及干法蚀刻方法。
技术介绍
近年来由于半导体制造技术的微细化，加工接触孔等时的技术难易度提高，要求氧化硅等的加工材料层相对于光致抗蚀剂膜的高蚀刻选择性。因此，通过从使用的材料、装置、加工方法等多方面的研究进行技术开发。根据这样的状况，作为可以对应于最先进的干法蚀刻工艺的干法蚀刻用气体，开发了1,3,3,3-四氟丙烯(专利文献1)。对于该化合物，作为硅系材料的蚀刻气体，与现在工业上通用的四氟化碳、六氟-1,3-丁二烯、氟相比，对于硅系材料可以以高长宽比、低侧面蚀刻率进行蚀刻，得到良好的接触孔加工形状，确认到了其的有用性。此外，1,3,3,3-四氟丙烯的臭氧破坏系数为零，且为低GWP(全球变暖系数)，因此与通常用于蚀刻剂的全氟烃类、氢氟烃类相比，为对于地球环境的负担小的材料。1,3,3,3-四氟丙烯具有碳-碳双键，可以利用等离子体使碳-碳键一部解离而进行聚合物化，在蚀刻中在光致抗蚀剂膜等蚀刻掩模上使碳氟化合物的聚合物堆积，防止掩模的蚀刻，使蚀刻对象与掩模的蚀刻选择性提高。因此，1,3,3,3-四氟丙烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.06 JP 2015-0777751.一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3-四氟丙烯。2.根据权利要求1所述的干法蚀刻气体，其中，氮含量为0.5体积％以下。3.根据权利要求1或2所述的干法蚀刻气体，其中，水分含量为0.05质量％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的干法蚀刻气体，其特征在于，所述各金属成分的浓度之和为300质量ppb以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的干法蚀刻气体，其特征在于，所述各金属成分源自在1,3,3,3-四氟丙烯的合成反应时所使用的金属催化剂、或制造中所使用的金属制设备。6.根据权利要求1～5中任一项所述的干法蚀刻气体，其特征在于，进一步包含添加气体和非活性气体。7.根据权利要求6所述的干法蚀刻气体，其特征在于，所述添加气体为氧化性气体。8.根据权利要求1～7中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村阳介，藤原昌生，大森启之，八尾章史，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP