一种沟道孔底部刻蚀方法技术

本申请实施例公开了一种沟道孔底部刻蚀方法，该方法在对沟道孔底部进行刻蚀之前，在衬底表面上形成刻蚀保护层。如此，当对沟道孔底部进行刻蚀时，该刻蚀保护层能够保护其下方的硬掩膜层，减少沟道孔底部刻蚀过程对硬掩膜层的损耗，如此可以增加后续制程重复循环使用该硬掩膜层形成工艺窗口的次数。

A method of etching at the bottom of channel holes

The embodiment of the application discloses a bottom hole etching method for the channel hole. The etching protection layer is formed on the substrate surface before etching on the bottom of the channel hole. So, when etching the channel at the bottom of the hole, the hard mask etching protective layer to protect the bottom of the channel, reduce the loss of hole bottom etching hard mask layer, so can increase the subsequent process repeated recycling of the hard mask layer forming process window.

【技术实现步骤摘要】
一种沟道孔底部刻蚀方法
本申请涉及3DNAND存储器件及其制造
，尤其涉及一种沟道孔底部刻蚀方法。
技术介绍
3DNAND存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件，其存储核心区是由交替堆叠的金属栅层和绝缘层结合垂直沟道管组成。相同面积条件下，垂直堆叠的金属栅层越多，意味着闪存器件的存储密度越大、容量越大。目前常见的存储结构金属栅堆叠层数可达数十上百层。3DNAND存储器的制备工艺中，需要首先在衬底上形成由氮化硅(SiN)层和氧化硅(SiO2)层交替层叠的层叠结构；而后，刻蚀层叠结构以形成沟道孔(Channelhole)。在沟道孔刻蚀工艺结束后，需要在沟道孔底部经过外延生长形成一层外延层(该外延层用于形成3DNAND存储器件的源极选通管的沟道，当衬底为单晶硅时，外延层为外延单晶硅)，然后在沟道孔侧壁和底部依次沉积包括ONO(Oxide-Nitride-Oxide)的电荷捕获层、沟道层以及保护性氧化膜；接着采用干法刻蚀工艺来刻蚀沟道孔底部的材料层(包括电荷捕获层、沟道层以及保护性氧化膜)，直至打通沟道孔底部的外延层。因沟道孔形成于3DNAND存储器的层叠结构中，所以，上述形成的沟道孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟道孔底部刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氮化硅层和氧化硅层交替层叠的层叠结构，所述层叠结构的上方形成有硬掩膜层，所述层叠结构内形成有沟道孔，所述沟道孔的底部形成有外延层，在所述外延层之上和所述沟道孔的侧壁上均依次形成有存储单元的电荷捕获层、第一沟道层以及保护性氧化膜；在衬底表面上形成刻蚀保护层；采用干法刻蚀工艺刻蚀沟道孔底部的电荷捕获层、第一沟道层以及保护性氧化膜，直至露出外延层。

【技术特征摘要】
1.一种沟道孔底部刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氮化硅层和氧化硅层交替层叠的层叠结构，所述层叠结构的上方形成有硬掩膜层，所述层叠结构内形成有沟道孔，所述沟道孔的底部形成有外延层，在所述外延层之上和所述沟道孔的侧壁上均依次形成有存储单元的电荷捕获层、第一沟道层以及保护性氧化膜；在衬底表面上形成刻蚀保护层；采用干法刻蚀工艺刻蚀沟道孔底部的电荷捕获层、第一沟道层以及保护性氧化膜，直至露出外延层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀保护层为高聚物膜层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在衬底表面上形成刻蚀保护层，具体采用干法刻蚀系统在衬底表面之上形成高聚物膜层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成高聚物膜层的工艺条件为：反应气体为含碳、氟气体，反应温度在20-30℃之间，反应时间为数分钟。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王猛，陈保友，黄海辉，肖为引，苏恒，刘隆冬，金永群，朱喜峰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42