一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法技术

本发明专利技术公开一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法，包括以下步骤：沉积步骤，在刻蚀所形成的高深宽比结构的侧壁上沉积一定厚度的硅层；刻蚀步骤，对所述硅层进行各向同性刻蚀；以及判断步骤，判断侧壁粗糙度是否达到预设值，若判断为侧壁粗糙度尚未达到预定值则返回到上述沉积步骤从而重复上述沉积步骤至所述刻蚀步骤的循环，若判断为侧壁粗糙度已经达到预定值则结束工艺。通过循环执行沉积步骤和刻蚀步骤能够有效改善深硅刻蚀侧壁粗糙度，获得平滑度更高的形貌，同时避免所形成的高深宽比结构的尺寸偏离预设尺寸，满足器件设计需求。

A method to improve the side wall roughness of deep silicon etching

The degree of the invention discloses a method for improving deep silicon etching side wall roughness, which comprises the following steps: deposition steps, formed in the high aspect ratio of silicon etching layer on the side wall of the deposition thickness; etching step for isotropic etching on the silicon layer; and determine steps to judge the side wall whether the roughness reaches the preset value, if the judge for the sidewall roughness has not yet reached the predetermined value is returned to the deposition step and repeat the above steps to the etching step deposition cycle, if the judge for the sidewall roughness has reached a predetermined value end process. Through cyclic execution of deposition steps and etching steps, the side roughness of deep silicon etching can be effectively improved, and the morphology with higher smoothness can be obtained. At the same time, the size of the high aspect ratio structure is deviated from the preset size, which can meet the device design requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法。
技术介绍
随着集成电路和微机电系统(MEMS)技术的不断发展，深硅刻蚀技术应运而生，以满足3D封装技术的硅通孔刻蚀(TSV)和微机电系统硅衬底加工需求。目前半导体制造领域主流的深硅刻蚀技术主要有湿法刻蚀和干法等离子刻蚀。湿法刻蚀硅的技术例如采用KOH等碱性液进行刻蚀，由于其对光刻胶不具有选择性以及对硅的晶向选择性腐蚀等限制，所以应用领域受到限制。而干法刻蚀被广泛应用于硅通孔刻蚀和微机电系统等领域。干法刻蚀方法中，博世(bosch)工艺以其高刻蚀速率，高深宽比刻蚀能力(超过50:1)，对掩膜的高选择比(超过100:1)脱颖而出。博世工艺的特点为以下两步循环获得刻蚀深度：(a)刻蚀步骤：在该步骤中通常采用SF6或NF3对Si基进行各向同性刻蚀硅。这些气体刻蚀硅基底具有很高的刻蚀速率，但是由于刻蚀为各向同性，导致侧壁形貌很难控制。为了减少对侧壁的刻蚀，引入了钝化步骤。(b)钝化步骤：一般以C4F8作为沉积气体，沉积保护膜钝化已经刻蚀的侧壁，从而在后续刻蚀过程中保护侧壁不被刻蚀，得到高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法，在完成深硅刻蚀的工艺后对侧壁进行平坦化处理，其特征在于，包括以下步骤：沉积步骤，在刻蚀所形成的高深宽比结构的侧壁上沉积一定厚度的硅层；刻蚀步骤，对所述硅层进行各向同性刻蚀；以及判断步骤，判断侧壁粗糙度是否达到预设值，若判断为侧壁粗糙度尚未达到预定值则返回到上述沉积步骤从而重复上述沉积步骤至所述刻蚀步骤的循环，若判断为侧壁粗糙度已经达到预定值则结束。

【技术特征摘要】
1.一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法，在完成深硅刻蚀的工艺后对侧壁进行平坦化处理，其特征在于，包括以下步骤：沉积步骤，在刻蚀所形成的高深宽比结构的侧壁上沉积一定厚度的硅层；刻蚀步骤，对所述硅层进行各向同性刻蚀；以及判断步骤，判断侧壁粗糙度是否达到预设值，若判断为侧壁粗糙度尚未达到预定值则返回到上述沉积步骤从而重复上述沉积步骤至所述刻蚀步骤的循环，若判断为侧壁粗糙度已经达到预定值则结束。2.根据权利要求1所述的改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述硅层的沉积厚度根据所述侧壁粗糙度进行设定。3.根据权利要求2所述的改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述硅层的沉积厚度与所述粗糙度值相同。4.根据权利要求1～3中任一项所述的改善...

【专利技术属性】
技术研发人员：许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32