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本发明公开一种改善深硅刻蚀侧壁粗糙度的方法，包括以下步骤：沉积步骤，在刻蚀所形成的高深宽比结构的侧壁上沉积一定厚度的硅层；刻蚀步骤，对所述硅层进行各向同性刻蚀；以及判断步骤，判断侧壁粗糙度是否达到预设值，若判断为侧壁粗糙度尚未达到预定值则返...
该专利属于江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。

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