低能耗倒装二三极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低能耗倒装二三极管封装结构，采用芯片倒装结构，包含陶瓷基板，其特征在于：陶瓷基板的上表面设置有三块第一导体层；陶瓷基板长边方向，一边有一块第一导体层，另一边有两块第一导体层；在三块第一导体层上方设置有倒装二、三极管芯片，三块第一导体层分别与倒装二、三极管芯片下方的芯片电极连接；陶瓷基板上方还设有用来包覆第一导体层、倒装二、三极管芯片的环氧树脂层。本实用新型专利技术封装结构采用倒装芯片，大幅提高产品制程的可靠性以及制造的生产效率，产品也更轻薄，适合小型化的设计需求；采用的陶瓷基板，显著提升了产品的热传导率，使产品在使用时性能更稳定；封装结构采用贴片形式，提升客户SMT的打件效率。

Low energy upside down two or three pole tube packaging structure

The utility model discloses a low power flip two or three package structure transistor, using flip chip structure, comprising a ceramic substrate, characterized in that the upper surface of the ceramic substrate is provided with a three block of the first conductor layer; the long side direction of ceramic substrate, a first conductive layer on one side, the other side there are two pieces of the first conductive layer in two, flip; transistor chip is arranged above the three block of the first conductor layer, electrode connection chip three block of the first conductor layer and flip two triode chip below; ceramic substrate used for coated epoxy resin also arranged above the first conductive layer, layer two, flip chip transistor. The utility model adopts the flip chip package structure, improve product reliability and manufacturing process of the production efficiency, product design needs more light, suitable for miniaturization; using ceramic substrate, significantly enhance the heat transfer rate of the product, make the product in the use of more stable; SMD package structure form. The efficiency of customer SMT.

【技术实现步骤摘要】
低能耗倒装二三极管封装结构
本技术公开了一种低能耗的二三极管封装结构，采用芯片倒装结构，属于二、三极管封装

技术介绍
目前市场上二、三极管封装技术以铜支架当作载体，以固晶、焊线及模压的技术进行封装，在经过电镀及冲压过程完成封装。在此技术基础封装的二三极管，作业工序比较繁琐，由于采用多种制程使原物料消耗较多，生产效率低，整体成本较高。焊线工艺虽然日趋成熟，但其制程风险以及失效概率还是相对较高。在模压工序上，由于铜支架的结构特性，其溢胶的发生概率亦相对较高。而模压采用的环氧树脂导热效果较差，产品主要依靠铜基板散热，在工作温度较高的时候，产品的性能将会降低。传统焊线封装有高度限制的问题，导致成品厚度无法降低，在客户端组装设计空间占用较多，不适合小型化产品之需求。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种低能耗倒装二三极管封装结构，利用陶瓷基板与倒装二三极管芯片结合，芯片电极在二、三极管芯片下表面，且整个二极管芯片或三极管芯片在陶瓷基板上部而非内部，提高产品的焊接质量，减少产品的生产工序，降低产品的厚度，更加适合客户的小型化产品需求。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：低能耗倒装二三极管封装结构，包含陶瓷基板，其特征在于：陶瓷基板的上表面设置有三块第一导体层；陶瓷基板长边方向，一边有一块第一导体层，另一边有两块第一导体层；在三块第一导体层上方设置有倒装二、三极管芯片，三块第一导体层分别与倒装二、三极管芯片下方的3个芯片电极连接；陶瓷基板上方还设有用来包覆第一导体层、倒装二、三极管芯片的环氧树脂层；陶瓷基板的下表面设置有三块第二导体层，与陶瓷基板上表面的三块第一导体层位置一一对应；在陶瓷基板的侧面设置有三块第三导体层，第三导体层用于连接第一导体层和第二导体层。在第二导体层表面镀镍镀锡以作为产品焊接用电极。该低能耗倒装二三极管封装结构的总厚度为0.8-0.9mm；该低能耗倒装二三极管的电极宽度可达0.8mm；该低能耗倒装二三极管的导体层采用真空溅镀技术镍铬铜合金(或其他导电性质合金)承载。环氧树脂层为环氧树脂黑胶，环氧树脂层将第一导体层、倒装二、三极管芯片完全包覆住。相对于现有技术，本技术的有益效果是：1、本技术的封装结构采用倒装芯片，大幅提高产品制程的可靠性以及制造的生产效率，产品也更轻薄，适合客户小型化的设计需求；2、本技术采用的陶瓷基板，显著提升了产品的热传导率，使产品在使用时性能更稳定；3、本技术的封装结构采用贴片形式，提升客户SMT的打件效率。附图说明图1为本技术的结构图。具体实施方式以下结合说明书附图，对本技术作进一步的说明。如图1所示，低能耗倒装二、三极管封装结构，在陶瓷基板1上表面溅镀三块第一导体层2；在陶瓷基板1的两个长边方向，一边有一块第一导体层，另一边有两块第一导体层，第一导体层均位于陶瓷基板1上；在三块第一导体层上方设置有倒装二、三极管芯片3，即倒装二极管芯片或倒装三极管芯片，三块第一导体层分别与倒装二、三极管芯片下方的三个芯片电极连接，芯片电极与芯片连接；陶瓷基板上方还设有用来包覆第一导体层、倒装二、三极管芯片的环氧树脂层4，环氧树脂层为环氧树脂黑胶，环氧树脂层4将第一导体层、倒装二、三极管芯片完全包覆住；陶瓷基板的下表面设置有三块第二导体层5，三块第二导体层5分别与陶瓷基板上表面的三块第一导体层位置一一对应；在陶瓷基板的侧面设置有三块第三导体层6，第三导体层用于连接第一、二导体层；在第二导体层5下表面镀镍镀锡作为产品焊接用电极。该低能耗倒装二三极管封装结构，采用低能耗倒装芯片封装，降低了产品总厚度的同时也降低了产品的能耗，并采用更具导热性能的陶瓷作为基材，适用市场主流需求，满足客户现代的设计理念。以上所述内容，尽是本技术的基本原理、主要特征及优点，并非对本技术作任何形式上的限制，虽然本技术已以如上较佳实施例，然而并非用以限定本技术。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围，但凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。本文档来自技高网...

【技术保护点】
低能耗倒装二三极管封装结构，包含陶瓷基板，其特征在于：陶瓷基板的上表面设置有三块第一导体层；陶瓷基板长边方向，一边有一块第一导体层，另一边有两块第一导体层；在三块第一导体层上方设置有倒装二、三极管芯片，三块第一导体层分别与倒装二、三极管芯片下方的3个芯片电极连接；陶瓷基板上方还设有用来包覆第一导体层、倒装二、三极管芯片的环氧树脂层；陶瓷基板的下表面设置有三块第二导体层，与陶瓷基板上表面的三块第一导体层位置一一对应；在陶瓷基板的侧面设置有三块第三导体层，第三导体层用于连接第一导体层和第二导体层。

【技术特征摘要】
1.低能耗倒装二三极管封装结构，包含陶瓷基板，其特征在于：陶瓷基板的上表面设置有三块第一导体层；陶瓷基板长边方向，一边有一块第一导体层，另一边有两块第一导体层；在三块第一导体层上方设置有倒装二、三极管芯片，三块第一导体层分别与倒装二、三极管芯片下方的3个芯片电极连接；陶瓷基板上方还设有用来包覆第一导体层、倒装二、三极管芯片的环氧树脂层；陶瓷基板的下表面设置有三块第二导体层，与陶瓷基板上表面的三块第一导体层位置一一对应；在陶瓷基板的侧面设置有三块第三导体层，第三导体层用于连接第一导体层和第二导体层。2.根据权利要求1所述的低能耗倒装二三...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国庆，褚宏深，黄正信，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32