The invention relates to an embedded power module, and the embedded power module comprises a substrate, a first semiconductor die and second semiconductor bare parts, a first gate and a second gate, and a first through hole and a second through hole. The first semiconductor bare piece is embedded in the substrate and is separated between the first surface of the substrate and the second surface. The second semiconductor die is embedded in the substrate, and is spaced between the first surface and the second surface, and is spaced from the first semiconductor die. The first gate is located on the first surface. The second gate is located on the second surface. The first through hole is electrically bonded to the first gate and the second semiconductor die, and the second through hole is electrically bonded to the second gate and the first semiconductor die.
【技术实现步骤摘要】
嵌入功率模块专利技术背景本公开涉及一种嵌入功率模块,并且更具体地涉及一种运输系统的嵌入功率模块。典型功率模块设计(诸如运输系统中使用的那些(例如,电梯、自动扶梯等等))包括硅绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和二极管。半导体器件可附接到陶瓷基板和接合的导线,以便形成必要的电连接。然后,可以将组件放在塑料外壳中,塑料外壳通过螺钉端子或压配合销来连接到用户设计应用。专利技术概要一种根据本公开的一个非限制性实施方案的嵌入功率模块包括:基板,所述基板包括相对的第一表面和第二表面;第一半导体裸片,所述第一半导体裸片嵌埋在所述基板中,并且隔置在所述第一表面与所述第二表面之间;第二半导体裸片,所述第二半导体裸片嵌埋在所述基板中,隔置在所述第一表面与所述第二表面之间,并且与所述第一半导体裸片间隔开来;第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体裸片;以及第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体裸片。除了上述实施方案之外,第一导体焊盘位于所述第二表面上,并且与所述第二栅极间隔开来;至少一个第三通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第一导体焊盘;并且至少一个第四通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第一导体焊盘。作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括:第二导体焊盘位于所述第一表面上;第三导体焊盘位于所述第一表面上,并且与所述第一导体焊盘间隔开来;至少一个第五通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第二导体焊盘;并且至少一个第六通孔 ...
【技术保护点】
一种嵌入功率模块,所述嵌入功率模块包括:基板,所述基板包括相对的第一表面和第二表面;第一半导体裸片,所述第一半导体裸片嵌埋在所述基板中,并且隔置在所述第一表面与所述第二表面之间;第二半导体裸片,所述第二半导体裸片嵌埋在所述基板中,隔置在所述第一表面与所述第二表面之间,并且与所述第一半导体裸片间隔开来;第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体裸片;以及第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体裸片。
【技术特征摘要】
2016.07.08 US 15/2059361.一种嵌入功率模块,所述嵌入功率模块包括:基板,所述基板包括相对的第一表面和第二表面;第一半导体裸片,所述第一半导体裸片嵌埋在所述基板中,并且隔置在所述第一表面与所述第二表面之间;第二半导体裸片,所述第二半导体裸片嵌埋在所述基板中,隔置在所述第一表面与所述第二表面之间,并且与所述第一半导体裸片间隔开来;第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体裸片;以及第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体裸片。2.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其还包括:第一导体焊盘,所述第一导体焊盘位于所述第二表面上,并且与所述第二栅极间隔开来;至少一个第三通孔,所述至少一个第三通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第一导体焊盘;以及至少一个第四通孔,所述至少一个第四通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第一导体焊盘。3.如权利要求2所述的嵌入功率模块,其还包括:第二导体焊盘,所述第二导体焊盘位于所述第一表面上;第三导体焊盘,所述第三导体焊盘位于所述第一表面上,并且与所述第一导体焊盘间隔开来;至少一个第五通孔,所述至少一个第五通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第二导体焊盘;以及至少一个第六通孔,所述至少一个第六通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第三导体焊盘。4.如权利要求3所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘是相导体焊盘,所述第二导体焊盘是DC正焊盘,并且所述第三导体焊盘是DC负焊盘。5.如权利要求4所述的嵌入功率模块,其还包括:电容器,所述电容器电连接在所述第二导体焊盘与所述第三导体焊盘之间。6.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片是半导体器件。7.如权利要求3所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘是集电极/发射极焊盘。8.如权利要求7所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘中的至少一个被配置为提供电屏蔽和基板冷却中的至少一个。9.如权利要求8所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘中的至少一个是铜迹线。10.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其还包括:至少一个隔离迹线,所述至少一个隔离迹线位于所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上,用于进行屏蔽。11.如权利要求3所述的嵌入功率模块,其中所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述...
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