封装结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构的制作方法，包括下列步骤。设置晶片于衬底上。晶片包括多个切割道及多个数组排列的芯片。芯片以切割道彼此分隔。各芯片包括相对的有源表面及背面。有源表面朝向衬底。形成重分布线路层于各背面上，以电性连接各芯片的有源表面以及背面。形成阻焊层于各背面上，且阻焊层暴露各芯片的部分重分布线路层。形成多个焊球于各背面上并电性连接暴露的重分布线路层。沿切割道同时对衬底以及晶片进行隐型激光切割工艺，以于受激光照射的衬底以及晶片形成变质层。沿变质层分离衬底与晶片，以形成多个彼此独立的封装结构。本发明专利技术可提高工艺效率以及增加产品良率。

【技术实现步骤摘要】
封装结构的制作方法
本专利技术涉及一种封装结构的制作方法，尤其涉及一种晶片级封装结构的制作方法。
技术介绍
随着科技日新月异，集成电路(integratedcircuits，IC)组件已广泛地应用于我们日常生活当中。一般而言，集成电路的生产主要分为三个阶段：半导体晶片(wafer)的制造、集成电路的制作及集成电路的封装。一般而言，在制作封装结构时，先将玻璃衬底装设到晶片上，再进行切割玻璃衬底以及晶片的工艺，然而，由于玻璃衬底以及晶片的材质不同，也就是说，切割工艺须切穿至少两层以上不同的材质，所以通常都必须利用两种不同的切割刀具分别切穿玻璃衬底以及晶片，因而使工艺步骤繁琐复杂，导致工艺效率低落。并且，在切割晶片以及衬底之后往往会因切割应力而造成晶片以及衬底破损甚而产生背崩(chipping)现象，进而影响所形成的封装结构的质量。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构的制作方法，其可提高工艺效率以及增加产品良率。本专利技术的封装结构的制作方法包括下列步骤。首先，设置晶片于衬底上。晶片包括多个切割道以及多个数组排列的芯片。芯片以切割道彼此分隔。各芯片包括相对的有源表面以及背面，且有源表面朝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：设置晶片于衬底上，所述晶片包括多个切割道以及多个数组排列的芯片，所述多个芯片以所述多个切割道彼此分隔，各所述芯片包括相对的有源表面以及背面，所述有源表面朝向所述衬底；形成重分布线路层于各所述背面上，以电性连接各所述芯片的所述有源表面以及所述背面；形成阻焊层于各所述背面上，且所述阻焊层暴露各所述芯片的部分重分布线路层；以及形成多个焊球于各所述背面上并电性连接暴露的重分布线路层；沿所述多个切割道分别对所述衬底以及所述晶片进行隐型激光切割工艺，以于受激光照射的所述衬底以及所述晶片形成变质层；以及沿所述变质层分离所述衬底与所述晶片，以单体化所述多个芯片而形成多...

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：设置晶片于衬底上，所述晶片包括多个切割道以及多个数组排列的芯片，所述多个芯片以所述多个切割道彼此分隔，各所述芯片包括相对的有源表面以及背面，所述有源表面朝向所述衬底；形成重分布线路层于各所述背面上，以电性连接各所述芯片的所述有源表面以及所述背面；形成阻焊层于各所述背面上，且所述阻焊层暴露各所述芯片的部分重分布线路层；以及形成多个焊球于各所述背面上并电性连接暴露的重分布线路层；沿所述多个切割道分别对所述衬底以及所述晶片进行隐型激光切割工艺，以于受激光照射的所述衬底以及所述晶片形成变质层；以及沿所述变质层分离所述衬底与所述晶片，以单体化所述多个芯片而形成多个彼此独立的封装结构。2.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：设置所述晶片于所述衬底上之后，对各所述芯片的背面进行薄化工艺，以减薄所述晶片的厚度。3.根据权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述薄化工艺包括机械研磨。4.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，各所述芯片为硅芯片，所述衬底为玻璃衬底。5.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，各所述芯片为影像感测芯片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉航，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71