用于背面金属化的晶片切片的方法技术

提供了用于背面金属化的晶片切片的方法实施例。一种方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，所述半导体晶片的所述正面包括有源电路；切割所述半导体晶片的背面，所述背面与所述正面相对，其中，所述切割在所述半导体晶片的划道中形成逆行空腔，所述逆行空腔具有在所述半导体晶片的所述背面的间隙宽度，以及所述逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在所述半导体晶片的所述背面上沉积金属层，其中，所述间隙宽度大到足以防止在所述逆行空腔上形成所述金属层；以及在所述沉积所述金属层之后，穿过所述半导体晶片的所述划道进行切割。

A method for wafer slicing for back metallization

An example of a method for wafer slicing for back metallization is provided. A method includes applying to the front section of semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer includes the positive active circuit; the back cut of the semiconductor wafer, the back and the relatively positive, among them, the cutting is formed on the semiconductor wafer cavity retrograde of scratch, the the retrograde cavity has a gap width at the back of the semiconductor wafer, and the retrograde cavity has a side wall with a negative slope; depositing a metal layer, on the back of the semiconductor wafer on which the gap width is large enough to prevent the formation of the metal layer in the retrograde cavity; and after the deposition of the metal layer, through the semiconductor wafer of the zoned for cutting.

【技术实现步骤摘要】
用于背面金属化的晶片切片的方法
本公开大体上涉及半导体装置制造，并且更具体地，涉及将其中晶片也接收背面金属化的半导体晶片切片的方法。
技术介绍
半导体装置制造包括将半导体晶片切单成多个半导体管芯。该多个半导体管芯被布置在半导体晶片上，该半导体晶片具有在多个半导体管芯之间在半导体晶片上的在水平方向和垂直方向中延伸的切单线路或划道。
技术实现思路
在本公开的一个实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，半导体晶片的正面包括有源电路；切割该半导体晶片的背面，该背面与该正面相对，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过该半导体晶片的划道进行切割。上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过划道的切割。上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过划道的切割之前，在金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于背面金属化的晶片切片的方法，其特征在于，所述方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，所述半导体晶片的所述正面包括有源电路；切割所述半导体晶片的背面，所述背面与所述正面相对，其中，所述切割在所述半导体晶片的划道中形成逆行空腔，所述逆行空腔具有在所述半导体晶片的所述背面的间隙宽度，并且所述逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在所述半导体晶片的所述背面上沉积金属层，其中，所述间隙宽度大到足以防止在所述逆行空腔上形成所述金属层；以及在所述沉积所述金属层之后，穿过所述半导体晶片的所述划道进行切割。

【技术特征摘要】
2016.06.14 US 15/182,2241.一种用于背面金属化的晶片切片的方法，其特征在于，所述方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，所述半导体晶片的所述正面包括有源电路；切割所述半导体晶片的背面，所述背面与所述正面相对，其中，所述切割在所述半导体晶片的划道中形成逆行空腔，所述逆行空腔具有在所述半导体晶片的所述背面的间隙宽度，并且所述逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在所述半导体晶片的所述背面上沉积金属层，其中，所述间隙宽度大到足以防止在所述逆行空腔上形成所述金属层；以及在所述沉积所述金属层之后，穿过所述半导体晶片的所述划道进行切割。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述逆行空腔从所述半导体晶片的所述背面向所述半导体晶片的所述正面延伸，以及在所述半导体晶片的所述正面的所述逆行空腔的宽度大于在所述半导体晶片的所述背面的所述逆行空腔的所述间隙宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述逆行空腔从所述半导体晶片的所述背面延伸至一定深度，使得在所述逆行空腔下面的所述半导体晶片的一部分形成所述逆行空腔的底部，以及在所述逆行空腔的所述底部的所述空腔的宽度大于在所述半导体晶片的所述背面的所述逆行空腔的所述间隙宽度。4.一种用于背面金属化的晶片切片的方法，其特征在于，所述方法包括：向半导体晶片的正面施加玻璃贴，其中，所述半导体晶片的所述正面包括有源电路；切割所述半导体晶片的背面，所述背面与所述正面相对，其中，所述切割在所述半导体晶片的划道中形成逆行空腔，所述逆行空腔具有在所述半导体晶片的所述背面的间隙宽度，所述逆行空腔具有在所述半导体晶片中的深度，所述半导体晶片的一部分保持在所述空腔下面并形成所述空腔的底部，并且所述逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在所述半导体晶片的所述背面上沉积金属层，其中，所述间隙宽度大到足以...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳伦斯·斯科特·克林拜尔，科利·格雷格·兰普莱，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US