使用电介质骨架结构的超薄半导体部件制造制造技术

本发明专利技术涉及使用电介质骨架结构的超薄半导体部件制造。在一个实现方式中，一种用于形成超薄半导体部件的方法包括在半导体晶片中制造包括第一器件和第二器件的多个器件，以及在半导体晶片内和在第一和第二器件之间形成芯片间隔沟槽。方法以在半导体晶片之上形成电介质骨架结构而继续，电介质骨架结构横向延伸以至少部分地覆盖第一和第二器件，同时还基本上填充芯片间隔沟槽。方法以从背侧减薄半导体晶片以在芯片间隔沟槽中暴露电介质骨架结构以形成具有第一器件的第一超薄半导体部件以及具有第二器件的第二超薄半导体部件而继续。方法可以以切穿电介质骨架结构以单分第一和第二超薄半导体部件而结束。

Fabrication of ultra-thin semiconductor components using dielectric structure

The invention relates to the manufacture of ultra-thin semiconductor components using a dielectric skeleton structure. In one implementation mode, a method for forming ultrathin semiconductor components includes manufacturing multiple devices including first and second devices in semiconductor wafers, and forming chip spacer grooves between semiconductor wafers and between first and second devices. Methods the dielectric skeleton structure is continued on the semiconductor wafer, and the dielectric skeleton structure extends horizontally to at least partially cover the first and second devices, and at the same time, the chip gap grooves are basically filled. The method is to expand the semiconductor wafer from the back side to expose the dielectric skeleton structure in the chip gap trench, to form the first ultra thin semiconductor component with the first device and the second ultra thin semiconductor component with the second device. The method can be finished by cutting through the dielectric skeleton structure with the single first and second ultra thin semiconductor components.

【技术实现步骤摘要】
使用电介质骨架结构的超薄半导体部件制造背景本申请要求2015年9月9日提交的题为“StructureandMethodforThinDieSeparationandSupport”的临时申请序列号62/215,907的权益和优先权。该临时申请中的公开内容由此通过引用完整地合并到本申请中。
技术介绍
由于薄管芯上的半导体器件的制造所引起的潜在优点，诸如改进的电气性能，例如，用于提供薄和超薄半导体管芯的高效且可靠的技术是所期望的。然而，如本领域中已知的，薄和超薄管芯的生产和分离由于那些管芯对损坏的敏感性而可以是具有挑战性的。例如，薄和超薄管芯可能在锯切和单分期间碎裂，或者可能在单分和与管芯的封装相关联的处置期间破碎。专注于克服牵涉在生产薄和超薄半导体管芯中的挑战的常规技术包括在研磨晶片以减薄它之前将半导体晶片胶合到处置衬底，并且然后将经减薄的晶片安装到切分带上。切分经减薄的晶片，并且然后必须将其从处置衬底剥开。不幸的是，该常规技术，尽管在其生产和分离期间为薄和超薄管芯提供一些保护，是不合期望地昂贵和缓慢的。
技术实现思路
本公开涉及使用电介质骨架结构的超薄半导体部件制造，其基本上如至少一幅图中所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体晶片中制造包括第一器件和第二器件的多个器件；在所述半导体晶片内和在所述第一和第二器件之间形成芯片间隔沟槽；在所述半导体晶片之上形成电介质骨架结构，所述电介质骨架结构横向延伸以至少部分地覆盖所述第一和第二器件，所述电介质骨架结构基本上填充所述芯片间隔沟槽；从背侧减薄所述半导体晶片以在所述芯片间隔沟槽中暴露所述电介质骨架结构以形成具有所述第一器件的第一超薄半导体部件以及具有所述第二器件的第二超薄半导体部件；切穿所述电介质骨架结构以单分所述第一和第二超薄半导体部件。

【技术特征摘要】
2016.06.07 US 15/1752631.一种方法，包括：在半导体晶片中制造包括第一器件和第二器件的多个器件；在所述半导体晶片内和在所述第一和第二器件之间形成芯片间隔沟槽；在所述半导体晶片之上形成电介质骨架结构，所述电介质骨架结构横向延伸以至少部分地覆盖所述第一和第二器件，所述电介质骨架结构基本上填充所述芯片间隔沟槽；从背侧减薄所述半导体晶片以在所述芯片间隔沟槽中暴露所述电介质骨架结构以形成具有所述第一器件的第一超薄半导体部件以及具有所述第二器件的第二超薄半导体部件；切穿所述电介质骨架结构以单分所述第一和第二超薄半导体部件。2.权利要求1的方法，其中所述电介质骨架结构包括第一电介质材料和形成在所述第一电介质材料之上的第二电介质材料。3.权利要求1的方法，其中所述电介质骨架结构包括二氧化硅和氮化硅中的至少一个。4.权利要求1的方法，其中所述第一和第二超薄半导体部件的相应半导体管芯具有小于近似八十微米（80μm）的厚度。5.权利要求1的方法，其中所述第一和第二器件是IV族半导体器件。6.权利要求1的方法，其中所述第一和第二器件是硅器件。7.权利要求1的方法，其中所述第一和第二器件中的至少一个包括横向晶体管。8.权利要求1的方法，其中所述第一和第二器件中的至少一个包括垂直功率场效应晶体管（FET）。9.权利要求1的方法，其中所述第一和第二器件中的至少一个包...

【专利技术属性】
技术研发人员：R蒙哥马利，
申请(专利权)人：英飞凌科技美洲公司，
类型：发明
国别省市：美国,US