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本发明涉及使用电介质骨架结构的超薄半导体部件制造。在一个实现方式中，一种用于形成超薄半导体部件的方法包括在半导体晶片中制造包括第一器件和第二器件的多个器件，以及在半导体晶片内和在第一和第二器件之间形成芯片间隔沟槽。方法以在半导体晶片之上形成...
该专利属于英飞凌科技美洲公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技美洲公司授权不得商用。

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