共接触部半导体器件封装制造技术

本发明专利技术涉及一种共接触部半导体器件封装。具体而言，一种半导体器件封装，包括导电夹，所述导电夹具有凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底，并且所述半导体器件封装包括至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内，使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹，并且使得栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸。

Common contact semiconductor device packaging

The invention relates to a common contact semiconductor device package. In particular, a semiconductor device package, including a conductive clip, is provided with a concave part and is configured to be mounted on a first surface and a second surface along the boundary limiting the concave part, and the semiconductor device package includes at least two vertical channel crystal tubes, and at least two vertical channel crystals are described. The tube has the same type and is installed in the concave part with the same orientation so that the drain contact part or the source contact part is coupled to the conductive clamp, and enables the gate contact part and the source contact part or the drain contact part to be extended in the concave part and extends along the same long axis of the conductive clip.

【技术实现步骤摘要】
共接触部半导体器件封装
本公开内容涉及共接触部半导体器件封装。
技术介绍
表面安装技术是一种电子设备的生产方法，涉及将无源或有源部件(例如被实现为封装器件的那些)附接到例如印刷电路板。这样的部件可以被焊接到印刷电路板以建立与安装到所述印刷电路板的其它部件的连接。
技术实现思路
本公开内容涉及共接触部半导体器件封装。短语“共接触部”旨在表达：相同类型的至少两个器件以相同的取向耦合到半导体器件封装的一部分，使得器件的第一侧上的相似接触部耦合到半导体器件封装的所述部分，并且使得器件的第二侧上的相似接触部延伸而被暴露并以特定取向对齐。因此，根据本公开内容的一方面，半导体器件封装可以包括或包含：导电夹(conductiveclip)，所述导电夹包括凹部并且被配置为沿着限定凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底；以及至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在凹部内，使得漏极或源极接触部耦合到导电夹，并且使得栅极接触部和源极或漏极接触部延伸而在凹部内被暴露并且沿着导电夹的相同长轴延伸。这样的实施方式代表典范转移(paradigmshift)，因为例如在半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件封装，包括：导电夹，所述导电夹包括凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底；以及至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内，使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹，并且使得栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸。

【技术特征摘要】
2016.12.23 US 15/389,9741.一种半导体器件封装，包括：导电夹，所述导电夹包括凹部并且被配置为沿着限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底；以及至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述凹部内，使得漏极接触部或源极接触部耦合到所述导电夹，并且使得栅极接触部和源极接触部或漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的相同长轴延伸。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管中的每一个垂直沟道晶体管的所述漏极接触部电耦合到所述导电夹，并且所述栅极接触部和所述源极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的所述相同长轴延伸。3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管中的每一个垂直沟道晶体管的所述源极接触部电耦合到所述导电夹，并且所述栅极接触部和所述漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述导电夹的所述相同长轴延伸。4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管中的每一个垂直沟道晶体管是不同的半导体管芯。5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述至少两个垂直沟道晶体管集成在公共半导体管芯内。6.一种系统，包括：第一半导体封装，所述第一半导体封装包括第一导电夹和第一多个晶体管，其中：所述第一导电夹包括凹部并且被配置为沿着所述第一导电夹的限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到衬底；并且所述第一多个晶体管包括至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述第一导电夹的所述凹部内，使得漏极接触部耦合到所述第一导电夹，并且使得栅极接触部和源极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述第一导电夹的相同长轴延伸；以及第二半导体封装，所述第二半导体封装包括第二导电夹和第二多个晶体管，其中：所述第二导电夹包括凹部并且被配置为沿着所述第二导电夹的限定所述凹部的边界的第一表面和第二表面安装到所述衬底；并且所述第二多个晶体管包括至少两个垂直沟道晶体管，所述至少两个垂直沟道晶体管具有相同的类型并且以相同的取向安装在所述第二导电夹的所述凹部内，使得源极接触部耦合到所述第二导电夹，并且使得栅极接触部和漏极接触部延伸而在所述凹部内被暴露并且沿着所述第二导电夹的相同长轴延伸。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：赵应山，
申请(专利权)人：英飞凌科技美洲公司，
类型：发明
国别省市：美国,US