封装方法技术

本发明专利技术揭示了一种封装方法。包括提供待封装结构，所述待封装结构包括晶圆、形成于所述晶圆正面上的多个芯片、相邻所述芯片之间填充的封胶层、形成于所述晶圆背面上的载片；利用第一刀片切割所述封胶层，在每一所述封胶层形成第一开口；去除所述载片，利用第二刀片切割所述晶圆的背面形成第二开口，所述第一刀片比所述第二刀片薄，每一个所述第二开口与一个所述第一开口相对设置；利用第三刀片自所述第二开口进行切割至所述第一开口，所述第三刀片比所述第二刀片薄。由此，能够解决热膨胀系数不同所带来的晶圆翘曲的问题，避免了晶圆的破碎和刀片被堵塞的情况，保证了切割后的封装芯片的质量。

Encapsulation method

The invention discloses an encapsulation method. Including to provide packaging structure, the packaging structure comprises a wafer, formed on the wafer on the front side of a plurality of chips, the chip is filled between the adjacent sealing layer, formed on the back side of the wafer on the slide; the first blade cutting the sealing layer, the first opening is formed in each of the glue; the substrate removal, cutting back the wafer second opening is formed by the second blade, the first blade than the second blade thin, each of the second openings and one of the first opening oppositely arranged; using the third blade since the second opening is cut to the first opening the third blade than the second blade thin. Therefore, the warpage problem of the wafer caused by the different thermal expansion coefficient can be solved, and the situation of wafer crushing and blade blockage is avoided, and the quality of the chip after cutting is ensured.

【技术实现步骤摘要】
封装方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种封装方法。
技术介绍
目前，晶圆上芯片(chiponwafer，COW)封装是一种更为有效的封装方法，尤其对于多堆栈晶圆(multi-stackedwafer)，效果更佳。晶圆上芯片的封装过程起始于先将一薄的逻辑硅通孔晶圆(以下称为薄晶圆)通过连接层与一载片连接在一起，然后包括诸如DRAM、NAND等堆栈器件的芯片形成在所述薄晶圆上，之后进行的是晶圆级的塑模，使用封胶填充在芯片之间，然后将载片去除，进行切割，获得单独的封装芯片(package)。切割是一个很关键的过程，这关系到是否对封装芯片产生影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种封装方法，提高封装质量。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种封装方法，包括：提供待封装结构，所述待封装结构包括晶圆、形成于所述晶圆正面上的多个芯片、相邻所述芯片之间填充的封胶层、形成于所述晶圆背面上的载片；利用第一刀片切割所述封胶层，在每一所述封胶层形成第一开口；去除所述载片，利用第二刀片切割所述晶圆的背面形成第二开口，所述第一刀片比所述第二刀片薄，每一个所述第二开口与一个所述第一开口相对设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装方法，包括：提供待封装结构，所述待封装结构包括晶圆、形成于所述晶圆正面上的多个芯片、相邻所述芯片之间填充的封胶层、形成于所述晶圆背面上的载片；利用第一刀片切割所述封胶层，在每一所述封胶层形成第一开口；去除所述载片，利用第二刀片切割所述晶圆的背面形成第二开口，所述第一刀片比所述第二刀片薄，每一个所述第二开口与一个所述第一开口相对设置；利用第三刀片自所述第二开口进行切割至所述第一开口，所述第三刀片比所述第二刀片薄。

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，包括：提供待封装结构，所述待封装结构包括晶圆、形成于所述晶圆正面上的多个芯片、相邻所述芯片之间填充的封胶层、形成于所述晶圆背面上的载片；利用第一刀片切割所述封胶层，在每一所述封胶层形成第一开口；去除所述载片，利用第二刀片切割所述晶圆的背面形成第二开口，所述第一刀片比所述第二刀片薄，每一个所述第二开口与一个所述第一开口相对设置；利用第三刀片自所述第二开口进行切割至所述第一开口，所述第三刀片比所述第二刀片薄。2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一刀片的厚度为70μm-100μm。3.如权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述第二刀片的厚度为150μm-250μm。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31