存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种存储器装置及其操作方法，所述装置包括存储单元阵列、暂存单元以及指令产生器。存储单元阵列包括多个存储单元。暂存单元用以记录多个自定义信息。指令产生器耦接于暂存单元以及存储单元阵列。指令产生器接收自定义命令，并且依据所接收的自定义命令以及自定义信息对存储单元阵列执行至少两个存储器操作。自定义信息是依据所述的至少两个存储器操作来产生。本发明专利技术技术方案在存储器装置的暂存单元中记录多个自定义信息，依据自定义命令以及自定义信息来执行至少两个存储器操作。据此，可提升存储器装置的存取效率并降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法
本专利技术是有关于一种存储器装置及其操作方法，且特别是有关于一种可自定义存储器命令的存储器装置及其操作方法。
技术介绍
同步动态随机存取存储器(synchronousdynamicrandom-accessmemory，SDRAM)是具有一个同步接口的动态随机存取存储器，通过时脉信号来与电脑的总线达成同步。随着存储器技术的进步，双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory，DDRSDRAM)也被发展出来。DDRSDRAM是具有双倍传输速率的SDRAM，其在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据的传输，因而其传输速率为系统时脉的两倍，具有较高的工作效率。为了进一步提升工作效率，第二代、第三代以及第四代的DDRSDRAM都已经发展出来。然而，由于JEDEC固态技术协会(JEDECSolidStateTechnologyAssociation)对DRAM所订定的标准，DRAM在执行动作时需要从存储器控制器陆续接收多个存储器命令，并且分别对逐个存储器命令执行对应的存储器操作才能完成动作。举例而言，当欲写入一笔数据时，存储器控制器会对DRAM陆续下达对应于存储器操作：激活(Activate)列地址、读取(Read)行地址以及预充电(Precharge)的三个存储器命令，并且由DRAM陆续完成上述的三个存储器操作。在另一个例子中，当欲连续写入多笔数据时，存储器控制器不仅需要多次对DRAM下达RD命令，还必须传输多个存储器地址给DRAM。因此，倘若能够减少存储器控制器与DRAM之间过多的传输，包括存储器命令或地址等，将能够提升系统的效率，并降低系统的功耗。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器装置及其操作方法，可减少存储器命令的传输次数，以提升存储器装置的效率并减少功耗。本专利技术的存储器装置包括存储单元阵列、暂存单元以及指令产生器。存储单元阵列包括多个存储单元。暂存单元用以记录多个自定义信息。指令产生器耦接于暂存单元以及存储单元阵列。指令产生器接收自定义命令，并且依据所接收的自定义命令以及自定义信息对存储单元阵列执行至少两个存储器操作。自定义信息是依据所述的至少两个存储器操作来产生。本专利技术的存储器装置操作方法适用于包括存储单元阵列以及暂存单元的存储器装置。此存储器装置操作方法包括以下步骤。写入多个自定义信息至暂存单元。接收自定义命令。依据所接收的自定义命令以及自定义信息对存储单元阵列执行至少两个存储器操作。自定义信息是依据所述的至少两个存储器操作来产生。基于上述，在本专利技术的实施例中，在存储器装置的暂存单元中记录多个自定义信息，此种存储器装置操作方法可在存储器装置接收到一个自定义命令时，依据自定义命令以及自定义信息来执行至少两个存储器操作。据此，可提升存储器装置的存取效率并降低功耗。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1示出本专利技术一实施例的存储器装置的概要方块图；图2示出本专利技术一实施例的自定义信息的示意图；图3示出现有的存储器装置操作方法的示意图；图4示出本专利技术一实施例的存储器装置操作方法的示意图；图5示出本专利技术一实施例的存储器装置的架构示意图；图6示出本专利技术一实施例的存储器装置操作方法的流程图。附图标记说明：100：存储器装置；110：暂存单元；120：指令产生器；121：自定义命令产生器；123：自定义地址产生器；130：存储单元阵列；140：检测单元；150：信号解码器；151：命令解码器；153：地址解码器；161、163：多工器；210：命令流程信息；220：地址递增信息；230：起始地址信息；240：回圈信息；ACT、WR、RD、PRE、PREA、PD、PRE：存储器命令；BA_INI：区块地址；BS：区块递增信息；CA_INI：行地址；CK：时脉周期；CMD1、CMD2、CMD3：命令信息；CS：行递增信息；D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8：数据；DL1、DL2、DL3：延迟信息；LP：回圈数；RA、CA、BNK：地址信息；RA_INI：列地址；RL：读取延迟；RS：列递增信息；S610、S611、S613、S615、S620、S630、S640、S650：存储器装置操作方法的步骤；T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、T13、T14、T15：时脉周期；TRCD：列控制器至行控制器传输延迟；TRTP：内部读取到预充电命令延迟；UD_CMD：自定义命令；UD_INFO：自定义信息。具体实施方式图1示出本专利技术一实施例的存储器装置的概要方块图。请参考图1，本实施例的存储器装置100包括暂存单元110、指令产生器120以及存储单元阵列130。在本实施例中，暂存单元110例如为模式暂存器(ModeRegister，MR)，其中记录有多个自定义信息UD_INFO。指令产生器120例如为状态机(statemachine)，通过系统的时脉来驱动，以依据所接收到的自定义命令UD_CMD以及暂存单元110中所记录的自定义信息UD_INFO来对存储单元阵列130进行至少两个存储器操作。举例而言，在存储器装置100启动(PowerOn)后，例如可经历包括初始化(Initialization)、闲置(Idle)、激活(Activate)或预充电(Precharge)等状态，其中在闲置状态中可进入模式暂存器设置(ModeRegisterSet，MRS)状态。在一实施例中，上述自定义信息UD_INFO可例如是于此MRS状态中写入暂存单元110。倘若指令产生器120接收到自定义命令UD_CMD，则可依据暂存单元110中的自定义信息UD_INFO来对存储单元阵列130执行至少两个存储器操作。以下利用图1的存储器装置100来举例说明本专利技术的存储器装置操作方法。图2示出本专利技术一实施例的自定义信息的示意图。请参考图2，本实施例的自定义信息UD_INFO为使用者可自行定义以让存储器装置100对应执行存储器操作的信息，记录于暂存单元110中。在本实施例中，自定义信息UD_INFO包括命令流程信息210、地址递增信息220、起始地址信息230以及回圈信息240。然而，本专利技术并不限于此。在其他实施例中，所属领域具备通常知识者可依不同的需求来调整自定义信息UD_INFO中所包括的信息，使存储器装置100接收到自定义命令UD_CMD时，可依据自定义信息UD_INFO来执行所需的至少两个存储器操作。在本实施例中，命令流程信息210包括命令信息CMD1至CMD3以及延迟信息DL1至DL3，用以提供对存储器阵列130执行操作的操作信息。例如，命令信息CMD1至CMD3分别为1、3与4，分别对应激活(ACT)、读取(RD)以及预充电(PRE)三个存储器操作。延迟信息DL1至DL3皆对应于0个时脉周期(CK)，分别代表执行完对应命令信息CMD1至CMD3的存储器操作后，除存储器本身规范所须延迟的时间外，使用者所自订额外延迟的时间。详细来说，命令信息CMD1与CMD2例如分别是对应激活与读取的存储器操作。通常在存储器装置100执行激活操作后，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，包括：一存储单元阵列，包括多个存储单元；一暂存单元，用以记录多个自定义信息；以及一指令产生器，耦接于所述暂存单元以及所述存储单元阵列，其中所述指令产生器接收一自定义命令，并且依据所述自定义命令以及所述多个自定义信息对所述存储单元阵列执行至少两个存储器操作，其中所述多个自定义信息是依据所述至少两个存储器操作来产生。

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：一存储单元阵列，包括多个存储单元；一暂存单元，用以记录多个自定义信息；以及一指令产生器，耦接于所述暂存单元以及所述存储单元阵列，其中所述指令产生器接收一自定义命令，并且依据所述自定义命令以及所述多个自定义信息对所述存储单元阵列执行至少两个存储器操作，其中所述多个自定义信息是依据所述至少两个存储器操作来产生。2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：一检测单元，用以接收一写入信号，并检测所述写入信号是否对应于所述多个自定义信息的至少其中之一，其中若所述写入信号对应于所述多个自定义信息的至少其中之一，依据所述写入信号记录对应的所述至少一自定义信息于所述暂存单元。3.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：一信号解码器，用以接收并解码一外部信号，并依据所述信号解码器的一解码结果对所述存储单元阵列执行所述外部信号对应的单一存储器操作。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述暂存单元为一模式暂存器，并且所述多个自定义信息的至少其中之一在所述存储器装置的一模式暂存器设置状态写入所述模式暂存器。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个自定义信息包括至少两个命令信息以及至少一延迟信息，其中所述至少两个命令信息对应于所述至少两个存储器操作。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述多个自定义信息还包括一回圈信息，其中所述指令产生器依据所述回圈信息重复对所述存储单元阵列执行所述至少两个存储器操作。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述多个自定义信息还包括一起始地址信息以及一地址递增信息，其中所述指令产生器依据所述起始地址信息、所述地址递增信息以及所述回圈信息依序操作所述存储单元阵列中的至少一所述存储单元。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少两个存储器操作包括一第一存储器操作以及一第二存储器操作，且所述第一存储器操作相同于所述第二存储器操作。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器操作为无操作、激活、读取、写入、预充电以及省电的其中之一。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述自定义命令系由至少一热键来产生。11.一种存储器装置操作方法，适用于一存储器装置，其中所述存储器装置包括一存储单元阵列以及一暂存单元，所述存储器装置操作方法包括：写入多个自定义信息至所述暂存单元；接收一自定义命令；以及依据所述自定义命令以及所述多个自定义信息对所述存储单元阵列执行至少两个存储器操作，其中所述自定...

【专利技术属性】
技术研发人员：张智翔，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71