一种硅片清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开一种硅片清洗工艺，包括以下步骤：a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗；c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。所述一种硅片清洗工艺能够有效的去除附着在硅片表面的杂质，确保硅片表面的清洁度，从而大大提高了成品率，有效保证了产品的质量。

A silicon wafer cleaning process

The invention discloses a wafer cleaning process, which comprises the following steps: A, the silicon wafer into ultrasonic cleaning machine with citric acid cleaning; B, step a after cleaning the wafer into ultrasonic cleaning machine with deionized water cleaning; C, silicon step B after cleaning the oven drying. The silicon wafer cleaning process can effectively remove impurities that are attached to the silicon wafer surface, and ensure the cleanliness of the silicon wafer surface, thereby greatly improving the finished product rate and effectively ensuring the quality of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗工艺
本专利技术涉及一种光伏领域，尤其涉及一种硅片清洗工艺。
技术介绍
目前，硅片的清洗方法大多采用浸泡、喷淋的清洗方式，其清洗效果较差，清洗不够彻底，进而导致硅片表面的化学物、金属杂质、酸碱残留等过多，会使硅片制绒时出现白斑，产生色差现象，影响成品率及产品质量，由此，急需解决。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述问题，提供一种硅片清洗工艺，以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式，清洗效果差、清洗不够彻底，影响成品率及产品质量的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现：一种硅片清洗工艺，包括以下步骤：a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗；c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤a中柠檬酸的浓度为2～4％。作为本专利技术的一种优选方案，所述超声波清洗机的频率为90～100KHz，温度为50～60℃。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤c中，烘箱的温度为90～100℃，干燥时间为10～20min。本专利技术的有益效果为，所述一种硅片清洗工艺能够有效的去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗；c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、将硅片放入装有柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗；b、将步骤a清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗；c、将步骤b清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗工艺，其特征在于：所述步骤a...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔敏娟，
申请(专利权)人：崔敏娟，
类型：发明
国别省市：江苏,32