一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置制造方法及图纸

技术编号:16876716 阅读:54 留言:0更新日期:2017-12-23 13:54
本方案提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置,其中该控制方法基于离子注入工艺(IMP Process),首先确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记,然后,根据所述预设标记,确定沟槽角度控制的第一方向,最后,基于所述第一方向,将所述三维存储器旋转预设角度,以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。可见,本方案在现有离子注入设备的基础上,通过旋转预设角度改变三维存储器的硅片离子注入方向,进而控制离子注入的角度,实现了对沟槽垂直角度的精确控制,避免了IMP剂量改变以及电荷迁移,保障离子注入工艺的稳定性以及存储器的性能。

A trench angle control method and control device for a three dimensional storage device

The utility model provides a three-dimensional groove angle storage device and control method and control device, wherein the control method based on ion implantation technology (IMP Process), first identified in the three dimensional memory substrate characterization to preset groove position marker, and then, according to the preset mark, first determine the direction, groove angle control finally, the first direction based on the three-dimensional rotation angle to the preset memory, the ion implantation device according to the second direction of the groove on the three-dimensional memory of ion implantation operation. Obviously, this scheme into existing ion devices based on silicon ion direction through the rotary preset angle change three-dimensional memory injection, then control the ion implantation angle, and achieve precise control of the vertical groove angle, IMP dose change and charge transfer to avoid the security, stability and performance of the ion implantation process memory.

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置
本专利技术涉及闪存存储器领域,更具体地说,涉及一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品,在电子产品中得到了广泛的应用。目前,平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限,为了进一步的提高存储容量,降低每比特的存储成本,提出了3D结构的NAND存储器。在三维存储器结构中,高深宽比的沟槽对离子注入的角度提出了更高的要求,为保障存储器稳定的电学性能,需要严格控制离子注入角度的精准度。而随着三维存储器的存储能量的提升,更多的存储结构导致沟槽的深度也越来越大,离子注入角度微小的偏差会大大影响IMP剂量,进而会导致电荷的迁移,因此离子注入角度的控制成为三维存储器件一大挑战。专利技术人发现,目前的离子注入设备只能对沟槽角度进行水平方向的控制,垂直方向没法控制,因此利用注入设备这种特性与深沟槽特殊结构相结合来精确控制三维存储器件沟槽离子注入角度。因此,如何提供一种三维存储器件的沟槽角度控制方法,避免IMP剂量改变以及电荷迁移,是本领域技术人员本文档来自技高网...
一种三维存储器件的沟槽角度控制方法以及控制装置

【技术保护点】
一种三维存储器件的沟槽角度控制方法,其特征在于,基于离子注入工艺,包括:确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记;根据所述预设标记,确定沟槽角度控制的第一方向;基于所述第一方向,将所述三维存储器旋转预设角度,以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器件的沟槽角度控制方法,其特征在于,基于离子注入工艺,包括:确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记;根据所述预设标记,确定沟槽角度控制的第一方向;基于所述第一方向,将所述三维存储器旋转预设角度,以使离子注入设备按照第二方向对所述三维存储器的沟槽进行离子注入操作。2.根据权利要求1所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法,其特征在于,当所述预设角度为90°时,所述第二方向与所述第一方向垂直。3.根据权利要求1所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法,其特征在于,在确定位于三维存储器件衬底中表征待开设沟槽位置的预设标记之前,还包括:提供衬底;在所述衬底中设置有预设标记。4.根据权利要求3所述的三维存储器件的沟槽角度控制方法,其特征在于,所述在所述衬底中设置有预设标记,包括:确定所述预设标记距离所述衬底的第一边的间距为第一预设间距值。5....

【专利技术属性】
技术研发人员:颜元李冠男程媛程挚王家友
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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