三维半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括包含单元阵列区和外围电路区的基底。半导体装置还包括设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串的单元阵列。位线在第一方向上延伸。半导体装置附加地包括设置在外围电路区中并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个第一单元的第一单元行。第一方向和第二方向平行于基底的上表面。半导体装置还包括多条第一互连线和多条第一电源线，所述多条第一互连线均具有在第一方向上的纵向轴并连接到多个第一单元，所述多条第一电源线在第二方向上延伸并通过第一互连线连接到多个第一单元。

Three dimensional semiconductor device

A semiconductor device includes a substrate including a cell array region and a peripheral circuit area. The semiconductor device also includes a cell array arranged in the cell array area and includes a plurality of unit strings connected to the incoming line. The bit lines extend in the first direction. The semiconductor device additionally includes a first unit line disposed in the peripheral circuit area and includes a plurality of first units arranged in a second direction intersecting the first direction. The first direction and the second direction are parallel to the upper surface of the base. A semiconductor device includes a plurality of first interconnect and a plurality of first power line, the plurality of the first interconnect has a longitudinal axis in a first direction and connected to the first unit, the plurality of first power line extending in a second direction and connected to the first unit through the first interconnect.

【技术实现步骤摘要】
三维半导体装置本专利申请要求于2016年3月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0037078号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种三维半导体装置。
技术介绍
由于半导体装置的小尺寸、多功能和/或低制造成本，电子行业已经以快的速率提高。半导体装置的类型包括用于存储逻辑数据的半导体存储装置、用于处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有半导体存储装置的功能和半导体逻辑器件的功能两者的混合半导体装置。随着电子行业已经成长，已经增大了对先进的半导体装置的需求。例如，存在对具有高速度和/或优异可靠性的半导体装置的增长的需求。为了处理这些需求并进一步使半导体装置最小化，半导体装置的图案被减小。然而，减小的图案宽度代表着对新设计的挑战。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体装置包括包含单元阵列区和外围电路区的基底。半导体装置还包括设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串的单元阵列。位线在第一方向上延伸。半导体装置附加地包括设置在外围电路区中并包括在与第一方向交叉的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区和外围电路区；单元阵列，设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串，其中，位线在第一方向上延伸；标准单元行，设置在外围电路区中，并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个标准单元，第一方向和第二方向平行于基底的上表面；多条第一互连线，均具有在第一方向上的纵向轴，并连接到所述多个标准单元：以及多条下电源线，在第二方向上延伸，并通过第一互连线连接到所述多个标准单元。

【技术特征摘要】
2016.03.28 KR 10-2016-00370781.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区和外围电路区；单元阵列，设置在单元阵列区中并包括连接到位线的多个单元串，其中，位线在第一方向上延伸；标准单元行，设置在外围电路区中，并包括在与第一方向交叉的第二方向上布置的多个标准单元，第一方向和第二方向平行于基底的上表面；多条第一互连线，均具有在第一方向上的纵向轴，并连接到所述多个标准单元：以及多条下电源线，在第二方向上延伸，并通过第一互连线连接到所述多个标准单元。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下电源线设置在距离基底的上表面的第一高度处，其中，半导体装置还包括：多条上电源线，设置在距离基底的上表面的第二高度处，其中，第二高度大于第一高度，上电源线延伸为平行于下电源线；以及多条第二互连线，设置在距离基底的上表面的第三高度处，其中，第三高度大于第一高度并小于第二高度，其中，第二互连线将上电源线连接到下电源线。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上电源线之间的间距大于下电源线之间的间距。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，下电源线包括在第一方向上交替地布置的第一下电源线和第二下电源线，上电源线包括在第一方向上交替地布置的第一上电源线和第二上电源线，其中，第一下电源线通过第二互连线中的一条连接到第一上电源线，第二下电源线通过第二互连线中的另一条连接到第二上电源线。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，标准单元在第一方向上具有基本上相同的长度，第一互连线具有沿第一方向延伸的比标准单元中的一个标准单元的长度短的长度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，单元阵列包括：多条字线，在第二方向上延伸，并在与基底的上表面垂直的第三方向上堆叠；多个竖直结构，在第三方向上延伸，并穿透字线：以及数据存储层，位于字线与竖直结构之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，标准单元行包括位于彼此相邻的标准单元之间的虚设区，其中，半导体装置还包括虚设线，所述虚设线在标准单元行的虚设区中位于与第一互连线基本上相同的高度处，其中，虚设线与下电源线并联电连接。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，虚设线沿第二方向平行于下电源线延伸。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，虚设线沿第一方向延伸，以与下电源线相交。10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一下电源线和第二下电源线，在距离基底的上表面的第一高度处沿第一方向延伸，并沿与第一方向交叉的第二方向交替地布置；第一上电源线和第二上电源线，在距离基底的上表面的第二高度处沿第二方向延伸，其中，第二高度大于第一高度，并且第一上电...

【专利技术属性】
技术研发人员：车永山，尹童奎，金泰成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR