三维纵向一次编程存储器制造技术

本发明专利技术提出一种三维纵向一次编程存储器（3D‑OTPV）。它含有多个在衬底电路上并肩排列的竖直存储串，每个竖直存储串垂直与衬底且含有多个垂直堆叠的OTP存储元，每个存储元含有一反熔丝膜，在编程时该反熔丝膜从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态。

Three dimensional longitudinal primary programming memory

The invention provides a three-dimensional vertical time programmable memory (3D OTPV). It contains a plurality of substrate in circuit together with the vertical storage string, each string in vertical and vertical storage substrate and comprises a plurality of vertically stacked OTP memory cell, each memory element containing an antifuse film, in programming the anti fuse film from a high resistance state irreversible transition to a low resistance state.

【技术实现步骤摘要】
三维纵向一次编程存储器
本专利技术涉及集成电路存储器领域，更确切地说，涉及一次编程存储器（OTP）。
技术介绍
三维一次编程存储器（3D-OTP）是一种单体（monolithic）半导体存储器，它含有多个垂直堆叠的OTP存储元。3D-OTP的存储元分布在三维空间中，而传统的平面型OTP的存储元分布在二维平面上。相对于传统OTP，3D-OTP具有存储密度大，存储成本低等优点。此外，3D-OTP数据寿命长（>100年），适合长久存储数据。美国专利5,835,396（专利技术人：张国飙；授权日：1998年11月10日）披露了一种3D-OTP。3D-OTP芯片含有一衬底及多个堆叠于衬底电路层上的OTP存储层。衬底上的晶体管及其互连线构成衬底电路（包括3D-OTP的周边电路）。每个OTP存储层含有多条水平地址线（包括字线和位线）及多个OTP存储元。每个OTP存储层含有多个OTP阵列，每个OTP阵列是共享有至少一条地址线的OTP存储元的集合。接触通道孔将地址线与衬底电路电耦合。由于其地址线都是水平的，该3D-OTP被称为橫向3D-OTP（3D-OTPH）。当3D-OTPH的存储容量超过10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维纵向一次编程存储器（3D‑OTPV），其特征在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；一位于该衬底电路(0K)上的OTP存储串(1A)，该OTP存储串(1A)含有多个相互垂直堆叠、且与一竖直地址线(4a)电耦合的OTP存储元(1aa‑1ha)；每个OTP存储元(1aa)含有一层反熔丝膜(6a)，在编程时该反熔丝膜(6a)从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态。

【技术特征摘要】
2016.04.16 CN 20161023499951.一种三维纵向一次编程存储器（3D-OTPV），其特征在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；一位于该衬底电路(0K)上的OTP存储串(1A)，该OTP存储串(1A)含有多个相互垂直堆叠、且与一竖直地址线(4a)电耦合的OTP存储元(1aa-1ha)；每个OTP存储元(1aa)含有一层反熔丝膜(6a)，在编程时该反熔丝膜(6a)从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于含有：多条位于该衬底电路(0K)上的水平地址线(8a-8h)，所述OTP存储元(1aa-1ha)位于所述水平地址线(8a-8h)和所述竖直地址线(4a)之间。3.一种三维纵向一次编程存储器（3D-OTPV），其特征还在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；多层处于该衬底电路(0K)之上、且相互垂直堆叠的水平地址线(8a-8h)；至少一穿透所述多层水平地址线(8a-8h)的存储井(2a)；一层覆盖该存储井(2a)边墙的反熔丝膜(6a)，在编程时该反熔丝膜(6a)从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态；一条通过对存储井(2a)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：成都海存艾匹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51