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本发明提出一种三维纵向一次编程存储器（3D‑OTPV）。它含有多个在衬底电路上并肩排列的竖直存储串，每个竖直存储串垂直与衬底且含有多个垂直堆叠的OTP存储元，每个存储元含有一反熔丝膜，在编程时该反熔丝膜从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态。...
该专利属于成都海存艾匹科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海存艾匹科技有限公司授权不得商用。

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