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成都海存艾匹科技有限公司专利技术
成都海存艾匹科技有限公司共有63项专利
三维纵向电编程存储器制造技术
本发明提出一种三维纵向电编程存储器(3D‑EPMV)。它含有多层堆叠的水平地址线,多个穿透水平地址线的存储井,一层覆盖存储井边墙、厚度小于100nm的薄存储膜(包括编程膜和二极管膜),多条形成在存储井中的竖直地址线。由于薄存储膜具有较大...
地址线含有不同金属材料的三维纵向多次编程存储器制造技术
本发明提出一种地址线含有不同金属材料的三维纵向多次编程存储器(3D‑MTPV)。它含有多个相互垂直堆叠的水平地址线,多个穿透水平地址线的存储井,一层覆盖存储井边墙的编程膜,多条形成在存储井中的竖直地址线。水平地址线和竖直地址线含有不同金...
含有多层编程膜的三维纵向多次编程存储器制造技术
本发明提出一种含有多层编程膜的三维纵向多次编程存储器(3D‑MTPV)。它含有多个相互垂直堆叠的水平地址线,多个穿透水平地址线的存储井,一层覆盖存储井边墙的编程膜,多条形成在存储井中的竖直地址线。编程膜含有多层次膜,这些次膜含有不同的编...
不含单独二极管膜的三维纵向多次编程存储器制造技术
本发明提出一种不含单独二极管膜的三维纵向多次编程存储器(3D‑MTPV)。它含有多个相互垂直堆叠的水平地址线,多个穿透水平地址线的存储井,一层覆盖存储井边墙的编程膜,多条形成在存储井中的竖直地址线。存储井中不含单独的二极管膜。水平地址线...
不含单独二极管膜的三维纵向一次编程存储器制造技术
本发明提出一种不含单独二极管膜的三维纵向一次编程存储器(3D‑OTPV)。它含有多个垂直堆叠的水平地址线,多个穿透水平地址线的存储井,一层覆盖存储井边墙的反熔丝膜,多条形成在存储井中的竖直地址线。存储井中不含单独的二极管膜。水平地址线和...
采用不连续边界结构的半导体基板制造技术
为了降低异质外延的片中应力,本发明提出一种采用不连续边界结构的半导体基板及其制造方法。通过在边界区域的特定位置移除边界结构,尤其是在边角附近移除边界结构,使在边角附近的应力能释放出来,从而避免了以边角为起源的裂痕。
适合划片且能避免裂痕的半导体晶粒制造技术
本发明提出一种适合划片且能避免裂痕的晶粒及其制造方法,该方法主要适用于衬底材料和基板材料热膨胀系数严重失配的情况。基板材料形成的器件区域为多边形,其所有内角均为钝角。划片道不横穿器件区域,它与至少部分包围器件区域的边界区域重合。器件区域...
兼具渲染功能的图形存储器制造技术
本发明提出一种兼具渲染功能的图形存储器。它含有多个储算单元,每个储算单元都含有一本地渲染电路和至少一三维存储(3D‑M)阵列。本地渲染电路形成在衬底中并实现至少部分渲染操作,3D‑M阵列堆叠在本地渲染电路上方并存储至少部分模型数据,它们...
采用双面集成的可编程门阵列制造技术
本发明提出一种采用双面集成的可编程门阵列,它是一单芯(monolithic)芯片并含有多个可编程计算单元、多个可编程逻辑芯片和多个可编程连接,每个可编程计算单元含有一存储一基本函数查找表(LUT)的可写存储阵列。可编程计算单元和可编程逻...
基于三维纵向可写存储阵列的可编程门阵列制造技术
基于三维纵向可写存储阵列的可编程门阵列,本发明提出一种可编程门阵列,它含有多个可编程计算单元、多个可编程逻辑单元和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有至少一三维纵向可写存储器并存储一基本函数的至少部分查找表(LUT),该三维纵向可写存...
含有可编程计算单元的可编程门阵列封装制造技术
本发明提出一种可编程门阵列封装,它含有至少一可编程计算芯片和一可编程逻辑芯片。可编程计算芯片含有多个可编程计算单元,每个可编程计算单元含有一可写存储阵列,该可写存储阵列存储一基本函数的查找表(LUT)。可编程计算芯片和可编程逻辑芯片垂直...
含有可编程计算单元的可编程门阵列制造技术
含有可编程计算单元的可编程门阵列,本发明提出一种可编程门阵列,它含有多个可编程计算单元、多个可编程逻辑单元和多个可编程连接。每个可编程计算单元含有至少一个可写存储阵列,该可写存储阵阵列存储一函数的查找表(LUT)。
三维计算封装制造技术
本发明提出一种三维计算(3D‑COM)封装,它含有至少一计算芯片和至少一存储芯片,它们相互垂直堆叠并通过芯片间连接电耦合。3D‑COM封装将海量的计算参数存储在封装内部的存储芯片中。3D‑COM封装为微尺度下的三维集成,可实现超大规模平...
含有三维存储阵列的三维计算芯片制造技术
本发明提出一种含有三维存储(3D‑M)阵列的三维计算(3D‑COM)芯片。不同于传统的、计算数据的存储,3D‑COM中3D‑M阵列主要用于计算参数的存储。一个3D‑COM芯片含有成千上万个储算单元,每个储算单元在微尺度下实现3D‑M阵列...
兼具图像识别功能的存储器制造技术
本发明提出一种兼具图像识别功能的存储器。该存储器含有多个存储处理单元,每个单元都含有一模式处理电路和至少一三维存储(3D‑M)阵列。该3D‑M阵列堆叠在模式处理电路上方,并存储用户图像数据等。模式处理电路根据输入的图像模型对存储在3D‑...
增强网络安全的处理器制造技术
本发明提出一种增强网络安全的处理器,它是一种含有三维存储(3D‑M)阵列的分布式模式处理器。该处理器含有多个存储处理单元,每个单元都含有一模式处理电路和至少一3D‑M阵列。该3D‑M阵列堆叠在模式处理电路上方,并存储病毒标识(virus...
增强计算机安全的处理器制造技术
本发明提出一种增强计算机安全的处理器,它是一种含有三维存储(3D‑M)阵列的分布式模式处理器。该处理器含有多个存储处理单元,每个单元都含有一模式处理电路和至少一3D‑M阵列。该3D‑M阵列堆叠在模式处理电路上方,并存储病毒标识(viru...
兼具查毒功能的存储器制造技术
本发明提出一种兼具查毒功能的存储器。该存储器含有多个存储处理单元,每个单元都含有一模式处理电路和至少一三维存储(3D‑M)阵列。该3D‑M阵列堆叠在模式处理电路上方,并存储用户数据。模式处理电路将输入的病毒标识与该用户数据进行模式匹配或...
兼具语音识别功能的存储器制造技术
本发明提出一种兼具语音识别功能的存储器。该存储器含有多个存储处理单元,每个单元都含有一模式处理电路和至少一三维存储(3D‑M)阵列。该3D‑M阵列堆叠在模式处理电路上方,并存储用户语音数据等。模式处理电路根据输入的声学模型(或语言模型)...
兼具数据分析功能的大数据存储器制造技术
本发明提出一种兼具数据分析功能的大数据存储器。该存储器含有多个存储处理单元,每个单元都含有一模式处理电路和至少一三维存储(3D‑M)。该3D‑M阵列堆叠在模式处理电路上方,并存储大数据的至少部分大数据。模式处理电路将输入的关键词与该部分...
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