芯片制作方法技术

本发明专利技术涉及提供一种芯片制作方法，包括：将半导体板平贴于载体上，用第一粘贴介质将所述半导体板粘贴于所述载体上，将所述半导体板分割成至少两片芯片；用提取装置的提取面贴靠其中一个所述芯片，消除或消弱对应的所述芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的所述芯片与所述载体之间的粘贴关系，所述提取装置通过所述提取面将半导体板提取；其中，所述芯片平贴于所述提取面上，所述芯片落入所述提取面的范围内。避免提取芯片的过程导致芯片碎裂，提高芯片的合格率。

【技术实现步骤摘要】
芯片制作方法
本专利技术属于电子领域，具体涉及一种芯片制作方法。
技术介绍
传统的流水化作业的芯片制作过程是：先制成整片的半导体板，再将半导体板在平板上切割成若干小的芯片，再采用提取装置将芯片提起，然后转移芯片至下一工序。但是，由于切割后的芯片边沿常产生细微裂纹，提取芯片时常导致芯片裂纹生长、芯片破裂，从而降低芯片合格率；特别是，当芯片厚度很薄的时候，裂纹更易生长，芯片合格率更低。
技术实现思路
基于此，本专利技术在于克服现有技术的缺陷，提供一种芯片制作方法，避免提取芯片的过程导致芯片碎裂，提高芯片的合格率。其技术方案如下：一种芯片制作方法，包括：将半导体板平贴于载体上，用第一粘贴介质将所述半导体板粘贴于所述载体上，将所述半导体板分割成至少两片芯片；用提取装置的提取面贴靠其中一个所述芯片，消除或消弱对应的所述芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的所述芯片与所述载体之间的粘贴关系，所述提取装置通过所述提取面将半导体板提取；其中，所述芯片平贴于所述提取面上，所述芯片落入所述提取面的范围内。在其中一个实施例中，在所述提取面上设置第二粘贴介质，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被第二粘贴介质粘贴于所述提取面上。在其中一个实施例中，在所述提取装置上设置真空设备，所述真空设备在所述提取面上形成负压，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被吸附在于所述提取面上。在其中一个实施例中，在所述提取装置上设置静电吸附器，所述静电吸附器在所述提取面上产生吸力，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被静电吸附在于所述提取面上。在其中一个实施例中，将所述半导体板分割为至少三个所述芯片，在所述提取装置上设置至少两个所述提取面，至少两个所述提取面同时贴靠对应的所述芯片，消除或消弱对应的至少两个所述芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的至少两个所述芯片与所述载体之间的粘贴关系，同时将至少两个所述芯片提取。在其中一个实施例中，将所述芯片提取后，将所述提取装置上的至少两个所述芯片贴附于第一扩展片上，所述提取面释放对应的所述芯片。在其中一个实施例中，芯片制作方法还包括：在所述半导体板上制作至少两个电路单元，所述电路单元与所述芯片对应。在其中一个实施例中，芯片制作方法还包括：将所述芯片提取后，通过各向异性导电胶将所述芯片粘贴于第二扩展片上，其中，所述第二扩展片上设置扩展脚，所述电路单元的引脚与所述扩展脚对接。在其中一个实施例中，所提取的芯片粘贴材料粘贴于线路基板上，并采用封装层覆盖所述芯片，使所述封装层和所述线路基板将所述芯片合围其间。在其中一个实施例中，除去所述芯片连接的粘贴材料、以及线路基板，在所述芯片上通过金属积淀和绝缘积层的工艺生长，获得与所述芯片电联通的扩展互连线。本专利技术的有益效果在于：1、提取芯片时，消除或消弱对应的芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的芯片与载体之间的粘贴关系(以下称之为将芯片“释放”)，使得对应的芯片可以被提取装置提取；此时，与待提取的芯片相邻其他芯片上的第一粘贴介质的粘性没有被破坏，这些芯片仍然被粘贴于载体上，不能被提取装置提取(即芯片未被“释放”)；当提取装置的提取面贴靠对应的芯片时，被释放的芯片被提取面提取，由于第一粘贴介质的粘性，未被释放的芯片保持粘贴于载体的状态，不会受到损坏，如此，可以方便的提取特定的芯片，而不损坏其周边的芯片；并且，被释放的芯片平铺于提取面，芯片落入提取面的提取范围内，可以是提取面的覆盖面大于或等于被释放的芯片，此时芯片全部被提取面覆盖、芯片的边沿也被贴附于提取面会是哪个，芯片整体受力，没有弯曲褶皱、没有应力集中，避免切割导致的细微裂纹恶化，防止芯片碎裂产生残次品，提高生产合格率。特别是，对于很薄的半导体板或芯片，例如厚度小于或等于10μm，提取芯片时需要将芯片从载体上分离，在重力的作用下，如果芯片不落入提取面的范围内，提取范围外的芯片常产生弯折，裂痕加深，容易使芯片碎裂，产生残次品。采用本专利技术的芯片制作方法后，能有效地在提取芯片的过程中保护芯片不受损，提高产品合格率。另一方面，即使提取面的覆盖面大于被释放的芯片，此时提取面与未被释放的芯片接触，由于未被释放的芯片始终被第一粘贴介质粘贴于载体上，提取面不会对未被释放的芯片产生破坏。通过释放待提取的芯片、不释放其余的芯片，实现芯片的选择性释放，利于使芯片的全部平贴于提取面上，避免被提取的芯片受损，同时保障未释放的芯片不被提取面提起、不受损坏。2、在提取面上设置第二粘贴介质，通过粘贴将芯片粘贴于提取面上，提取装置结构简单，并且利于使芯片平贴于提取面上，减小芯片的形变，避免芯片受损；第二粘贴介质可以覆盖部分或全部被提取的芯片，优选地，第二粘贴介质使芯片的所有边沿粘贴于提取面上。3、在提取装置上设置真空设备，真空设备在提取面上形成负压，采用真空吸附的方式使芯片被吸附在于提取面上，利于使芯片受力均匀，减小芯片的形变，避免芯片受损，同时真空方式不污染芯片，利于保护半导体、以及对芯片进行后续操作；真空吸附面可以覆盖部分或全部被提取的芯片，优选地，真空吸附面使芯片的所有边沿吸附于提取面上。4、在所述提取装置上设置静电吸附器，所述静电吸附器在所述提取面上产生吸力，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被静电吸附在于所述提取面上。采用静电吸附的方式使芯片被吸附在于提取面上，利于使芯片受力均匀，减小芯片的形变，避免芯片受损，同时静电吸附方式不污染芯片，利于保护半导体、以及对芯片进行后续操作；静电吸附吸附面可以覆盖部分或全部被提取的芯片，优选地，静电吸附吸附面使芯片的所有边沿吸附于提取面上。5、将半导体板分割为至少三个芯片，在提取装置上设置至少两个提取面，至少两个提取面同时贴靠对应的芯片，消除或消弱对应的芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的芯片与载体之间的粘贴关系，同时将至少两个芯片提取；两个提取面可以是相互分离的，也可以是两个提取面相邻、并且融合成一体；将所述芯片提取后，将所述提取装置上的至少两个所述芯片贴附于第一扩展片上，所述提取面释放对应的所述芯片，芯片就被放置于第一扩展片上。在将芯片从载体转移至第一扩展片的转运过程中，由于芯片始终贴附于提取面上，转运过程中被提取的两个或两个以上的芯片相互之间的位置关系不改变、相互之间的间距不改变，在半导体板上预定的位置切割为芯片，再将芯片转移至第一扩展片上，芯片相互之间的排布不发生改变，方便芯片的进一步加工。6、芯片制作方法还包括：在半导体板上制作至少两个电路单元，电路单元与芯片对应。可以先在半导体板上制作电路单元，然后将半导体板平贴于载体上，然后将半导体板分割为芯片，便于流水化作业。电路单元可以是半导体板本身的材料制成，也可以是在半导体板上添加其他材料后制成。制作了电路单元的半导体板具备一定的电路功能，可以作为芯片转移到他处使用。不限于此，也可以先将半导体板平贴于，再将半导体板分割为芯片，然后在半导体板上制作电路单元。7、芯片制作方法还包括：将芯片提取后，通过各向异性导电胶粘贴于第二扩展片上，其中第二扩展片上设置扩展脚，电路单元的引脚与扩展脚对接。芯片的电路单元一般面积较小，电路单元的引脚间隔很小，不便使用，还容易损坏，第二扩展片面积大于芯片，扩展脚间隔大于芯片上引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片制作方法，其特征在于，包括：将半导体板平贴于载体上，用第一粘贴介质将所述半导体板粘贴于所述载体上，将所述半导体板分割成至少两片芯片；用提取装置的提取面贴靠其中一个所述芯片，消除或消弱对应的所述芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的所述芯片与所述载体之间的粘贴关系，所述提取装置通过所述提取面将半导体板提取；其中，所述芯片平贴于所述提取面上，所述芯片落入所述提取面的范围内。

【技术特征摘要】
1.一种芯片制作方法，其特征在于，包括：将半导体板平贴于载体上，用第一粘贴介质将所述半导体板粘贴于所述载体上，将所述半导体板分割成至少两片芯片；用提取装置的提取面贴靠其中一个所述芯片，消除或消弱对应的所述芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的所述芯片与所述载体之间的粘贴关系，所述提取装置通过所述提取面将半导体板提取；其中，所述芯片平贴于所述提取面上，所述芯片落入所述提取面的范围内。2.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，在所述提取面上设置第二粘贴介质，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被第二粘贴介质粘贴于所述提取面上。3.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，在所述提取装置上设置真空设备，所述真空设备在所述提取面上形成负压，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被吸附在于所述提取面上。4.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，在所述提取装置上设置静电吸附器，所述静电吸附器在所述提取面上产生吸力，当所述提取面贴靠所述芯片时，所述芯片被静电吸附在于所述提取面上。5.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，将所述半导体板分割为至少三个所述芯片，在所述提取装置上设置至少两个所述提取面，至少两...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡川，
申请(专利权)人：胡川，
类型：发明
国别省市：浙江,33