The invention discloses a method for manufacturing a thin film chip and thin film chip, including a light emitting epitaxial wafer, wherein the light-emitting wafer by growth substrate and light emitting epitaxial lamination structure, and in the production of several light emitting chip structure layer epitaxial lamination, between layer adjacent to the chip structure. Definition of luminous surface of the laminated cutting; in the cutting way of pre draw groove structure, and penetrates to the substrate; the substrate along the back, according to the size change of trench structure is thinned, until the removal of growth substrate, exposing the light emitting epitaxial lamination are single; processing, the light emitting wafer is separated into several thin film chip.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光器件的制作方法,更具体地为一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片。
技术介绍
固态发光器件的发光二极管(LED),具有低能耗,高寿命,稳定性好,体积小,响应速度快以及发光波长稳定等良好光电特性,被广泛应用于照明、家电、显示屏及指示灯等领域。此类型发光器件在光效、使用寿命等方面均已有可观的进步,有希望成为新一代照明及发光器件主流。对于采用蓝宝石、AlN等绝缘衬底的LED芯片来说,其衬底的导热率比较低,因此横向结构的LED的PN结温度比较高。为了提高LED的芯片散热能力,提高光电性能,目前垂直氮化镓(GaN)基LED芯片通常利用蓝宝石衬底激光剥离方法去除。但是采用激光剥离的方式会使局部高温对外延损伤,降低器件的可靠性。还有采用研磨或者干蚀刻的方法去除衬底,但是成本都较高,而且无法精确控制研磨位置和干蚀刻位置。此外,由于GaN与AlN晶格失配问题,目前,深紫外发光二极管通常采用蓝宝石衬底上生长AlN层,但是衬底很难进行激光剥离;高Al组分AlGaN层应力很大,用激光剥离瞬间释放应力,很容易破掉。对于倒装结构的LED芯片而言,其蓝宝石衬底粗化效果差,要粗化AlN层背面往往需要把蓝宝石研磨掉,而目前很难实现精确控制研磨蓝宝石而不磨掉外延层。
技术实现思路
为解决上述技术问题,克服现有技术的不足,本专利技术旨在提出一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片。本专利技术提供一种薄膜芯片的制作方法,包括工艺步骤:(1)提供一发光外延片,所述发光外延片由生长衬底和发光外延叠层构成,并在所述发光外延叠层上制作若干个芯片结构层,在相邻的芯片结构层之间,于发光外延叠 ...
【技术保护点】
一种薄膜芯片的制作方法,包括工艺步骤:(1)提供一发光外延片,所述发光外延片由生长衬底和发光外延叠层构成,并在所述发光外延叠层上制作若干个芯片结构层,在相邻的芯片结构层之间,于发光外延叠层表面定义出切割道;(2)在所述切割道上预划出沟槽结构,并贯穿至所述生长衬底内部;(3)沿着所述生长衬底背面,根据沟槽结构的尺寸变化进行减薄,直至去除生长衬底,露出所述发光外延叠层;(4)进行单一化处理,将所述发光外延片分离成若干个薄膜芯片。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜芯片的制作方法,包括工艺步骤:(1)提供一发光外延片,所述发光外延片由生长衬底和发光外延叠层构成,并在所述发光外延叠层上制作若干个芯片结构层,在相邻的芯片结构层之间,于发光外延叠层表面定义出切割道;(2)在所述切割道上预划出沟槽结构,并贯穿至所述生长衬底内部;(3)沿着所述生长衬底背面,根据沟槽结构的尺寸变化进行减薄,直至去除生长衬底,露出所述发光外延叠层;(4)进行单一化处理,将所述发光外延片分离成若干个薄膜芯片。2.根据权利要求1所述的一种薄膜芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(1)中的发光外延叠层,包括:N型的III-V族薄膜、发光主动层以及P型的III-V族薄膜。3.根据权利要求1所述的一种薄膜芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(1)中的芯片结构层,包括:接触层以及镜面反射层。4.根据权利要求1所述的一种薄膜芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中的沟槽结构的预划方式包括激光或者干蚀刻或者湿蚀刻工艺或者前...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟志白,杨力勋,李佳恩,郑锦坚,徐宸科,康俊勇,
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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