【技术实现步骤摘要】
本技术属于功率半导体器件
,具体涉及一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,包括各类晶闸管和整流管。
技术介绍
目前,在功率半导体器件及制造
,功率半导体器件的封装技术越来越受到重视。常用的管壳形式为凸台式管壳,其阴、阳极台面凸出于器件,必须使用定位孔配合定位销的形式进行定位,装配难度大,装配失误极易使芯片受力不均而失效。同时器件高度在25mm~40mm,制造成本高,重量大,不利于器件及组件的小型化;而凹台管壳的导电层和阀栏材料大多为可阀,导热性能差,热阻大,且器件封装焊接均采用氩弧焊(或等离子焊)方式进行,焊后管壳封口外观不平整、也不美观、易漏气。封装时使用氢气燃烧高温灼烧氩气进行,氢气使用过程存在重大安全隐患,使用环境苛刻,不利于生产扩展。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提供一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,其特点是厚度薄、重量轻,且安装简便、封装安全。
本技术的技术解决方案是:一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,包括下封接件、固定薄膜、芯片、压块和上封接件,上封接件包括阴极导电层、上陶瓷环和上封装阀栏,下封接件包括下封装阀栏、下陶瓷环和阳极导电层,其特征在于:所述的阴极导电层、阳极导电层的中央设有形状相同的凹形台面;下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层材质为无氧铜,表面镀有镍层。
本技术的技术解决方案中所述的凹形台面为圆锥形凹形台面,且凹形台面的平面直径为15~50mm。
本技术的技术解决方案中所述的下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层的表面镍 ...
【技术保护点】
一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,包括下封接件(1)、固定薄膜(2)、芯片(3)、压块(4)和上封接件(7),上封接件(7)包括阴极导电层、上陶瓷环和上封装阀栏,下封接件(1)包括下封装阀栏、下陶瓷环和阳极导电层,其特征在于:还包括门极引线(5)和套装在门极引线(5)外的四氟套管(6);所述的芯片(3)为功率晶闸管、整流管芯片;所述的阴极导电层、阳极导电层的中央设有形状相同的凹形台面;下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层材质为无氧铜,表面镀有镍层。
【技术特征摘要】
1.一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,包括下封接件(1)、固定薄膜(2)、芯片(3)、压块(4)和上封接件(7),上封接件(7)包括阴极导电层、上陶瓷环和上封装阀栏,下封接件(1)包括下封装阀栏、下陶瓷环和阳极导电层,其特征在于:还包括门极引线(5)和套装在门极引线(5)外的四氟套管(6);所述的芯片(3)为功率晶闸管、整流管芯片;所述的阴极导电层、阳极导电层的中央设有形状相同的凹形台面;下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层材质为无氧铜,表面镀有镍层。
2.根据权利要求1所述的一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,其特征在于:所述的凹形台面为圆锥形凹形台面,且凹形台面的平面直径为15~50mm。
3.根据权利要求1或2所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏,杨成标,任丽,汝严,徐娇玉,黄俊,吕晨襄,
申请(专利权)人:湖北台基半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北;42
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