本技术的名称一种正装结构的功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是提供一种芯片反装结构变成正装结构的压接方式。它的主要特征是：包括铝底板、外壳、以及两组芯片组件；其中，一组芯片组件由第一碟形弹簧、第一绝缘板、电极K极、第...

本技术的名称一种单水路、多孔型材的方腔散热器。属于功率半导体器件用散热器及组件技术领域。它主要是解决现有水冷散热器存在加工复杂、废料多、加工量大和焊缝影响台面美观的问题。它的主要特征是：包括方腔散热体和与方腔散热体内水道连接的进、出水嘴...

本发明的名称是一种快速开通扩展放大门极结构的晶闸管

本实用新型的名称一种电极折弯机

本发明的名称是一种载流子隔离的高压半导体器件

本实用新型的名称一种集成式半导体模块阴极

本发明的名称是一种低功耗快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有结构的快速晶闸管存在通态压降V

本实用新型的名称一种显影清洗装置。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有光学玻璃静态显影存在液体浸润速度较慢的问题。它的主要特征是：包括设备控制箱体及箱体内自上而下设置的控制部分、显影清洗部分和输入输出排管部分；所述控制部...

本发明名称为一种高压低阻尼振荡软恢复二极管及制造方法，以N

本实用新型的名称一种具有自密封结构的模块。属于功率器件制造技术领域。它主要是解决现有悬浮压接功率器件存在灌封材料渗入芯片表面影响器件压降稳定性的问题。它的主要特征是：包括模块底板、绝缘导热片、金属电极A、下垫块、下钼圆片、压接芯片、上钼...

本实用新型的名称一种工件折弯装置。属于机械加工技术领域。它主要是解决现有折弯装置无法满足多种不同的折弯需要以及通用性和固定效果均较差的问题。它的主要特征是：包括底座及通过固定柱固定在底座上的工作台；所述工作台上设置有包括固定夹板和移动夹...

本实用新型的名称是一种载流子隔离的高压半导体器件。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决2个或多个半导体器件集成在同一晶片上时存在挖槽工艺或浓度较难掌握、更高电压时易出现换向失败的问题。它的主要特征是：包括2个或多个半导体器件集成在同...

本实用新型的名称是一种低功耗快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有结构的快速晶闸管存在通态压降V

本实用新型的名称是一种快速开通扩展放大门极结构的晶闸管。属于半导体器件技术领域。它主要是解决半导体器件放大门极指条太长存在开通延迟、开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：晶闸管包括由P型中心门极、辅助晶闸管N+区、P型放大门极环和P型放大...

本实用新型的名称是一种附着于半导体硅芯片表面的金属接触层，属于功率半导体器件制造技术领域。它主要是解决在半导体硅芯片表面真空镀膜金属镍、钛等金属接触层存在蒸发速率过慢或出现薄膜表面不平坦的问题。它的主要特征是：包括金属接触层；所述金属接...

本实用新型的名称是一种半导体芯片喷砂机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。主要是解决现有技术中存在设备及其使用成本高的问题。它的主要特征是：包括圆筒形防护箱、喷砂管、喷砂枪、若干晶圆安装组件、漏斗、分离箱、第一驱动机构和第二驱动机构；...

本实用新型的名称为一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置。属于功率半导体器件制造技术领域。它主要是解决现有电阻测试仪因锥型尖头探针会刺破或穿透半导体晶片表面镀膜而无法用于半导体晶片表面镀膜电阻检测的问题。它的主要特征是：包括电阻测试仪；所述...

本实用新型的名称是一种用于脉冲功率应用的电流峰值采集装置。属于大功率半导体脉冲功率器件应用技术领域。主要是解决目前在脉冲功率应用中采集电流峰值存在相对成本偏高和结构复杂的问题。它的主要特征是：由电流采集单元、电流峰值采集单元、PLC单元...

本实用新型的名称是一种螺栓型二极管测试装置。属于功率半导体器件测试技术领域。主要是解决现有螺栓型二极管在生产过程中测试存在测试效率不高和不便定位的问题。它的主要特征是：该装置由阳极底座和阴极底座构成；其中，所述阳极底座包括阳极底座绝缘板...

本实用新型的名称一种针式大功率模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有采用铜排制作的主端子存在不易往PCB板上安装的问题。它的主要特征是：包括盖板、外壳、散热底板、芯片、DBC、主端子、承压件和硅凝胶；所述的主端子是针状的...