本实用新型的名称是一种全焊接IGBT模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有的芯片、温度传感器、DBC、散热底板、端子之间需要采用多次焊接的问题。它的主要特征是：包括外壳、盖板、散热底板、主端子、辅助端子、螺母、DBC、芯...

本实用新型的名称是一种半导体芯片自动磨角机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。主要是解决现有芯片四个顶角因不能同时打磨而导致打磨效率低的问题。它的主要特征是：包括连接板，所述连接板上设置有限位机构、打磨机构和移动机构；其中，所述打磨机...

本实用新型的名称是一种芯片腐蚀夹具。属于功率半导体器件生产设备技术领域。主要是解决现有夹具只能单独对一个芯片进行夹持固定而无法同时夹持多个芯片的问题。它的主要特征是：包括第一固定块、若干定位柱、若干夹片机构、第二固定块和挤压机构；其中，...

本实用新型的名称是一种具有芯片密封结构的功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有功率半导体模块中芯片和压块之间的缝隙会渗入硅凝（橡）胶的问题。它的主要特征是：包括散热底板、绝缘导热片电极、外壳、芯片、门极引线、压...

本实用新型的名称是一种主端子可换位的功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。主要是解决现有功率半导体模块的主端子不能根据客户PCB上安装孔的需要来调节的问题。它的主要特征是：包括盖板、外壳、散热底板、DBC、芯片、端子、承压件和...

本实用新型的名称是一种改善扩散气源分布的工装，属于功率半导体器件生产工艺技术领域。它主要是解决上述扩散气源在炉管内分布状态稳定、直接影响晶圆晶片高温扩散后的掺杂参数的问题。它的主要特征是：由散流套件和阻流套件构成；所述散流套件由散流承载...

本实用新型的名称是一种具有防分层结构的塑封功率器件，属于塑封功率器件制造技术领域。它主要是解决现有塑封功率器件在封装及使用过程中容易产生塑封体与框架分层现象的问题。它的主要特征是：包括框架及与框架连接的框架引脚，设置在框架上的芯片，芯片...

本实用新型的名称是一种铝饱和用预沉积筒形硅舟，属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有筒形舟极易出现裂纹、崩边等缺陷而直接导致筒形舟报废的问题。它的主要特征是：包括第一全封闭筒形硅舟、第二全封闭筒形硅舟、硅舟和全封闭筒形硅舟...

本实用新型的名称一种带水冷散热装置的凸台无氧铜管壳。属于功率半导体器件及组件技术领域。它主要是解决现有凸台管壳应用时因需另配散热装置而存在发热量大和散热慢的问题，特别是在船舶及交通运输领域，还存在占用体积大、耗材多、重量重以及装配复杂的...

本实用新型的名称一种电力电子模块一体化螺旋式底板。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有结构的电力电子模块产品在只设置一个螺纹安装孔或螺纹安装柱的电力电子设备中无法安装的问题。它的主要特征是：包括底板；在所述的底板上设有向...

本实用新型的名称一种硅凝胶灌注机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有人工灌注硅凝胶存在工艺流程时间长、混合和灌注量一致性差和大量浪费人力物力的问题。它的主要特征是：包括硅凝胶灌注机基座、载物平台、涂胶头、工业照相机和三...

本实用新型的名称为悬浮压接功率半导体模块。属于高压功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊接而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：包括模块底板，绝缘导热片，金属A、K电极，上、下钼圆片，功率半导体芯片...

本实用新型的名称为一种紧凑型高绝缘耐压功率半导体组件。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有组件因开关与各电路需分开装配而存在很难做到一体化和接线复杂的问题。它的主要特征是：包括安装底板、弹性组件、导电排、高压半导体器件、电极板、...

本实用新型名称为一种高压功率阀组在线监测系统。属于高压技术领域。它主要是解决现有的在线监测系统不能有效监测功率半导体阀片失效超过一定冗余数量的问题。它的主要特征是：由阀片均压监测单元、驱动监测单元和信号处理单元三部分组成；所述阀片均压监...

本发明的名称为悬浮压接功率半导体模块。属于高压功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊接而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：包括模块底板，绝缘导热片，金属A、K电极，上、下钼圆片，功率半导体芯片，门...

本发明名称为一种高压功率阀组在线监测系统。属于高压技术领域。它主要是解决现有的在线监测系统不能有效监测功率半导体阀片失效超过一定冗余数量的问题。它的主要特征是：由阀片均压监测单元、驱动监测单元和信号处理单元三部分组成；所述阀片均压监测单...

本实用新型名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P

本实用新型的名称为一种高压功率半导体开关驱动装置。属于功率半导体应用技术领域。它主要是为了满足脉冲器件对高压功率半导体开关存在门极驱动的门极电流上升率、抖动时间的较高要求。它的主要特征是：由主控系统、直线型脉冲变压器和驱动输出单元三部分...

本发明名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P

本实用新型的名称为一种高压功率半导体阀组驱动装置。属于功率半导体器件应用技术领域。它主要是解决现有高压半导体阀组的每只器件的驱动系统和低压控制系统之间的绝缘隔离问题。它的主要构成是：由分频系统、控制系统、隔离系统、驱动系统和保护系统五部...