读取非易失性存储设备的方法技术

一种读取包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面的非易失性存储设备的方法，其中，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储标志的标志区域，所述方法包括：将第一读取电压施加到选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志；将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑运算来产生确定数据；基于确定数据和读取标志确定移位电压；以及基于移位电压将第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据。

【技术实现步骤摘要】
读取非易失性存储设备的方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年5月10日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2016-0056818号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
示例性实施例涉及非易失性存储设备，更具体地，涉及读取非易失性存储设备的方法。
技术介绍
半导体存储设备可以分为易失性半导体存储设备和非易失性半导体存储设备。易失性半导体存储设备可以高速执行读和写操作，而当设备断电时，存储在其中的内容可能丢失。非易失性半导体存储设备即使在断电时也可以保存其中存储的内容。为此，非易失性半导体存储设备可以用于存储不管设备是通电还是断电都要保留的内容。非易失性半导体存储设备可以包括掩模只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)等。闪存设备可以是典型的非易失性存储设备。闪存设备可以被广泛用作电子装置(诸如计算机、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等)的语音和图像存储介质。因为近来越来越需要高度集成存储设备，因此存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读取非易失性存储设备的方法，非易失性存储设备包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储与数据区域的信息相对应的标志的标志区域，所述方法包括：通过读出多个位线，将第一读取电压施加到多个字线之中的选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志，所述第一读出数据和所述第一读出标志分别对应于存储在耦合到选择的字线的选择的页面中的存储数据和存储标志；通过读出多个位线，将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志，所述第二读出数据和所述第二读出标志分别对应于存储在选择的页面中的存储数据和存储标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑操作...

【技术特征摘要】
2016.05.10 KR 10-2016-00568181.一种读取非易失性存储设备的方法，非易失性存储设备包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储与数据区域的信息相对应的标志的标志区域，所述方法包括：通过读出多个位线，将第一读取电压施加到多个字线之中的选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志，所述第一读出数据和所述第一读出标志分别对应于存储在耦合到选择的字线的选择的页面中的存储数据和存储标志；通过读出多个位线，将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志，所述第二读出数据和所述第二读出标志分别对应于存储在选择的页面中的存储数据和存储标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑操作来产生确定数据；通过对包括在确定数据中的具有第一逻辑电平的位数进行计数产生计数值；通过对第一读出标志和第二读出标志中的一个执行错误检查和纠正操作产生读取标志；基于计数值和读取标志确定移位电压；以及通过读出多个位线，将通过将第一读取电压移位移位电压确定的第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据，所述读取数据对应于存储在选择的页面的存储数据。2.根据权利要求1所述的方法，其中，同时执行通过对包括在确定数据中的具有第一逻辑电平的位数进行计数产生计数值以及通过对第一读出标志和第二读出标志中的一个执行错误检查和纠正操作产生读取标志。3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过第一数据锁存器和第一标志锁存器分别锁存第一读出数据和第一读出标志，通过第二数据锁存器和第二标志锁存器分别锁存第二读出数据和第二读出标志，以及通过对第一数据锁存器锁存的第一读出数据和第二数据锁存器锁存的第二读出数据执行逻辑操作产生的确定数据以及由第一标志锁存器锁存的第一读出标志和由第二标志锁存器锁存的第二读出标志中的一个分别由数据高速缓存锁存器和标志高速缓存锁存器锁存。4.根据权利要求1所述的方法，其中，基于计数值和读取标志确定移位电压包括：基于读取标志纠正计数值以产生纠正的计数值；当纠正的计数值增加时增加移位电压；以及当纠正的计数值减小时减小移位电压。5.根据权利要求1所述的方法，其中，存储标志包括表示当对数据区域执行编程操作时的温度的温度值。6.根据权利要求5所述的方法，其中，基于计数值和读取标志确定移位电压包括：当包括在读取标志中的温度值增加时，减小计数值以产生纠正的计数值；当包括在读取标志中的温度值减小时，增加计数值以产生纠正的计数值；当纠正的计数值增加时增加移位电压；以及当纠正的计数值减小时减小移位电压。7.根据权利要求1所述的方法，其中，存储标志包括数据区域的编程/擦除周期的数量。8.根据权利要求7所述的方法，其中，基于计数值和读取标志确定移位电压包括：当包括在读取标志中的编程/擦除周期的数量增加时，减小计数值以产生纠正的计数值；当包括在读取标志中的编程/擦除周期的数量减小时，增加计数值以产生纠正的计数值；当纠正的计数值增加时增加移位电压；以及当纠正的计数值减小时减小移位电压。9.根据权利要求1所述的方法，其中，包括在多个页面的每一个中的数据区域包括对其独立执行编程操作的多个扇区，以及其中，对于多个页面中的每个页面，包括在该页面中的标志区域包括多个子标志区域，多个子标志区域存储指示是否已经对分别包括在页面的数据区域中的多个扇区执行编程操作的状态信息，存储在页面的标志区域中的标志包括存储在页面的标志区域的多个子标志区域中的状态信息。10.根据权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野诚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR