共享位线MRAM的系统和方法技术方案

一种STT磁性存储器，其包括毗邻列的STT磁性存储器元件，这些STT磁性存储器元件具有顶部电极和底部电极。共享位线耦合到至少两个毗邻列中的STT磁性存储器元件的顶部电极。毗邻列中的一列中的STT磁性存储器元件的底部电极选择性地耦合到一条源线，并且毗邻列之中的另一列中的STT磁性存储器元件的底部电极选择性地耦合到另一条源线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共享位线MRAM的系统和方法公开领域本公开的
涉及磁阻式存储器，尤其涉及对随机存取存储器(RAM)阵列内的磁阻式存储器元件的读和写访问。背景磁阻式存储器(下文称为“磁性存储器”)被认为用于下一代非易失性存储器的颇具前景的技术。潜在的特征包括但不限于快速切换、高切换周期耐久性、低功耗、以及扩展的断电归档存储。自旋转移矩(STT)磁性存储器是用于磁性存储器的一种已知技术。STT磁性存储器通常具有可寻址的STT位单元阵列，每个STT位单元具有STT磁性存储器元件，该STT磁性存储器元件包括在两个稳定的、相对的磁化状态之间可切换的“自由”磁化层。两个状态中的一个状态是与固定层的磁化对准平行(P状态)，并且另一个状态是与固定磁层相反或反平行(AP状态)。STT磁性存储器元件的电阻在P状态中低于AP状态中，这实现了读取该状态。STT位单元可被布置在具有地址解码和访问电路系统的行-列阵列中，以形成STT随机存取存储器(STT-MRAM)。在STT-MRAM设计中考虑的因素包括热预算、以及在各种应用中对与设计和处理集成电路(IC)芯片中所使用的某些已知技术和惯例的兼容性的偏好。IC领域中已知的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种STT磁性存储器，包括：多列STT磁性存储器元件，其中，各STT磁性存储器元件包括顶部电极和底部电极；多条共享位线，所述多条共享位线覆盖所述多列STT磁性存储器元件，其中，所述共享位线中的至少一条共享位线耦合到具有至少两列STT磁性存储器元件的组中的STT磁性存储器元件的顶部电极；以及多条源线，所述源线中的每条源线能够切换地耦合到对应一列STT磁性存储器元件列中的STT磁性存储器元件的底部电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.03 US 14/559,5281.一种STT磁性存储器，包括：多列STT磁性存储器元件，其中，各STT磁性存储器元件包括顶部电极和底部电极；多条共享位线，所述多条共享位线覆盖所述多列STT磁性存储器元件，其中，所述共享位线中的至少一条共享位线耦合到具有至少两列STT磁性存储器元件的组中的STT磁性存储器元件的顶部电极；以及多条源线，所述源线中的每条源线能够切换地耦合到对应一列STT磁性存储器元件列中的STT磁性存储器元件的底部电极。2.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线被配置在上部金属化层中。3.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线中的第一共享位线耦合到具有至少两列STT磁性存储器元件的第一组中的STT磁性存储器元件的顶部电极，并且其中，所述多条共享位线中的第二共享位线耦合到具有至少两列STT磁性存储器元件的第二组中的STT磁性存储器元件的顶部电极。4.如权利要求3所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述具有至少两列STT磁性存储器元件的第一组包括至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件，并且其中，所述具有至少两列STT磁性存储器元件的第二组包括另一至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件。5.如权利要求4所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述具有至少两列STT磁性存储器元件的第一组毗邻于所述具有至少两列STT磁性存储器元件的第二组。6.如权利要求5所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件由中心到中心列间距间隔开，其中，所述另一至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件由所述中心到中心列间距间隔开，并且其中，所述第一共享位线与所述第二共享位线间隔开共享位线间距，所述共享位线间距大于所述中心到中心列间距。7.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线的至少子集中的每条共享位线耦合到具有至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件的对应不同组中的STT磁性存储器元件的顶部电极，其中，R是大于一的整数。8.如权利要求7所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线的至少所述子集中的每条共享位线在至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件上方延伸。9.如权利要求8所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述具有至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件的组中的至少一组包括至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件，其中，所述至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件由中心到中心列间距间隔开，其中，所述共享位线中的至少两条共享位线毗邻地延伸并且由共享位线间距间隔开，并且其中，所述共享位线间距大于所述中心到中心列间距。10.如权利要求9所述的STT磁性存储器，其特征在于，R为2，并且其中，所述中心到中心列间距是所述中心到中心位线间距的大约一半。11.如权利要求9所述的STT磁性存储器，其特征在于，R为4，并且其中，所述中心到中心列间距是所述中心到中心位线间距的大约四分之一。12.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件中的STT磁性存储器元件的顶部电极耦合到所述共享位线中的对应一条共享位线。13.如权利要求12所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述共享位线中的对应一条共享位线在所述至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件上方并与其平行延伸。14.如权利要求12所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述共享位线中的对应一条共享位线包括金属导体，所述金属导体平行于至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件延伸并且至少部分地覆盖所述至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件。15.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线中的第一共享位线耦合到具有至少四个毗邻列的STT磁性存储器元件的第一组中的STT磁性存储器元件的顶部电极，并且其中，所述多条共享位线中的第二共享位线耦合到具有至少四个毗邻列的STT磁性存储器元件的第二组中的STT磁性存储器元件的顶部电极。16.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多列STT磁性存储器元件、所述多条共享位线、以及所述多条源线被集成在至少一个半导体管芯中。17.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，进一步包括其中集成有所述多列STT磁性存储器元件、所述多条共享位线、以及所述多条源线的设备，所述设备选自由以下各项构成的组：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。18.一种用于个体地访问耦合到共享位线的多个STT磁性存储器元件之中的STT磁性存储器元件的方法，包括：并发地耦合到访问电压、第一列STT磁性存储器元件中的多个STT磁性存储器元件的顶部电极以及第二列STT磁性存储器元件中的多个STT磁性存储器元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：X·朱，X·李，S·H·康，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US