用于提升源线电压以减少电阻式存储器中的泄漏的设备制造技术

描述了一种设备，所述设备包括：泄漏跟踪器，所述泄漏跟踪器用于跟踪电阻式存储器单元列的泄漏；以及电路，所述电路用于调整所述电阻式存储器单元列的源线(SL)上的电压。描述了一种设备，所述设备包括：存储器阵列，所述存储器阵列具有电阻式存储器单元行和列；泄漏跟踪器，所述泄漏跟踪器用于跟踪与所述存储器阵列相关联的电阻式存储器单元列的泄漏电流；以及电路，所述电路被耦合到所述泄漏跟踪器，用于在读取操作过程中自适应地提升所述电阻式存储器单元列的SL上的电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提升源线电压以减少电阻式存储器中的泄漏的设备优先权声明本申请要求于2014年12月12日提交的题为“APPARATUSFORBOOSTINGSOURCE-LINEVOLTAGETOREDUCELEAKAGEINRESISTIVEMEMORIES(用于提升源线电压以减少电阻式存储器中的泄漏的设备)”的美国专利申请序列号14/569,573的优先权，并且所述专利申请以其全部内容通过引用结合。
技术介绍
电阻式存储器是其中数据由电阻存储元件存储的非易失性随机存取存储器(NVRAM)。电阻式存储器元件可以被置于两种状态(例如，高电阻和低电阻)以存储位数据。一种类型的电阻式存储器单元是1T1R(1个晶体管，1个电阻)存储器单元。1T1R存储器单元由与存取晶体管串联连接的电阻式存储器单元组成，并且存储器单元提供三个端子：字线(WL)、位线(BL)以及源线(SL)。然后将1T1R存储器单元堆叠成列，每列共享BL端子和SL端子。在读/写操作过程中，通过断言接通存取晶体管的WL来访问1T1R存储器单元。通过感测位于BL节点与SL节点之间的电阻式存储器元件的电阻来实现对存储器单元的读取。在最常见的读取技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：泄漏跟踪器，所述泄漏跟踪器用于跟踪电阻式存储器单元列的泄漏电流；以及电路，所述电路被耦合到所述泄漏跟踪器，用于调整所述电阻式存储器单元列的源线(SL)上的电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.12 US 14/569,5731.一种设备，包括：泄漏跟踪器，所述泄漏跟踪器用于跟踪电阻式存储器单元列的泄漏电流；以及电路，所述电路被耦合到所述泄漏跟踪器，用于调整所述电阻式存储器单元列的源线(SL)上的电压。2.如权利要求1所述的设备，其中，所述电路用于自适应地调整所述SL上的所述电压。3.如权利要求1所述的设备，其中，所述泄漏跟踪器包括电阻式存储器单元复制列，并且其中，所述复制列包括位线(BL)和SL。4.如权利要求3所述的设备，其中，所述电路包括电流镜。5.如权利要求4所述的设备，其中，所述电路包括负反馈路径，所述负反馈路径用于控制晶体管的栅极端子上的电压以使得通过所述复制列的泄漏电流基本上等于所述电流镜的电流比。6.如权利要求3所述的设备，其中，所述复制列的所述SL被电短路至数据列的SL。7.如权利要求3所述的设备，其中，所述电阻式存储器单元中的至少一个包括具有耦合到地的栅极端子的存取晶体管，并且其中，所述存取晶体管包括耦合到所述SL的源极/漏极端子。8.如权利要求1所述的设备，其中，所述电路可操作用于在存储器读取操作期间接通。9.如权利要求1所述的设备，其中，所述电路可操作用于在非读取操作期间断开。10.如权利要求1所述的设备，其中，所述复制列被定位在存储器阵列的数据列内。11.如权利要求1所述的设备，其中，所述电阻式存储器单元包括以下各项中的至少一者：磁隧道结器件；相变存储器单元；或者电阻式随机存取存储器。12.如权利要求1所述的设备，其中，所述泄漏跟踪器包括模拟电阻式存储器单元列的泄漏行为的一个或多个晶体管。13.如权利要求12所述的设备，其中，所述一个或多个晶体管与所述电路的晶体管是相同或不同类型的。14.如权利要求1所述的设备，其中，所述泄漏跟踪器在结构上与数据列基本上相同。15.如权利要求1所述的设备，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：U·阿斯兰，C·德雷，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US