一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元制造技术

本发明专利技术公开了一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元，包括位线、写字线、读字线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管；第一FinFET管和第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，第二FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管均为低阈值的N型FinFET管，第三FinFET管为高阈值的P型FinFET管；优点是在不影响电路性能的情况下，延时、功耗和功耗延时积均较小，写操作时噪声容限较大，电路功能稳定性较高。

A unit line asymmetric memory cell based on FinFET device

The invention discloses a non symmetric storage unit line based on FinFET devices, including a bit line and word line, write and read the first second FinFET tube, FinFET tube, third FinFET tube, fourth FinFET tube, fifth FinFET tube, sixth FinFET tube, seventh FinFET tube, eighth FinFET tube and ninth FinFET tube; the first seventh FinFET tube and FinFET tube are P type FinFET low threshold tube, second FinFET tube, fourth FinFET tube, fifth FinFET tube, sixth FinFET tube, eighth FinFET tube and FinFET tube are ninth N FinFET low threshold tube, third FinFET tube for the P type FinFET tube has the advantages of high threshold; in the case does not affect the performance of the circuit, delay, power consumption and power delay product are small, the write operation noise tolerance is large, high stability circuit function.

【技术实现步骤摘要】
一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元
本专利技术涉及一种存储单元，尤其是涉及一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元。
技术介绍
随着工艺尺寸进入纳米级，功耗成为集成电路设计者不得不关注的问题。在大部分的数字系统中存储器的功耗占据总电路功耗的比例越来越大。静态随机存取存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)，在存储器中是一个重要的组成部分，因而设计高稳定性低功耗SRAM具有重要的研究意义。静态随机存取存储器主要由存储阵列及其他外围电路构成，而存储阵列由存储单元构成，存储单元是静态随机存取存储器的核心，存储单元的性能直接决定静态随机存取存储器的性能。随着晶体管尺寸的不断缩小，受短沟道效应和当前制造工艺的限制，普通的CMOS晶体管尺寸降低的空间极度缩小。当普通CMOS晶体管的尺寸缩小到20nm以下时，器件的漏电流会急剧加大，造成较大的电路漏功耗。并且，电路短沟道效应变得更加明显，器件变得相当不稳定，极大的限制了电路性能的提高。FinFET管(鳍式场效晶体管，FinField-EffectTransistor)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元，其特征在于包括位线、写字线、读字线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管；所述的第一FinFET管和所述的第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第八FinFET管和所述的第九FinFET管均为低阈值的N型FinFET管，所述的第三FinFET管为高阈值的P型FinFET管；所述的第一F...

【技术特征摘要】
1.一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元，其特征在于包括位线、写字线、读字线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管和第九FinFET管；所述的第一FinFET管和所述的第七FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第八FinFET管和所述的第九FinFET管均为低阈值的N型FinFET管，所述的第三FinFET管为高阈值的P型FinFET管；所述的第一FinFET管的源极、所述的第一FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的源极、所述的第七FinFET管的源极和所述的第七FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的单位线非对称存储单元的电源端，所述的单位线非对称存储单元的电源端用于接入外部电源，所述的第一FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第三FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的漏极和所述的第五FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的单位线非对称存储单元的反相输出端，所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的背栅、所述的第七FinFET管的前栅和所述的第八FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的单位线非对称存储单元的输出端，所述的第二FinFET管的源极、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第六FinFET管的源极、所述的第六FinFET管的背栅、所述的第八FinFET管的源极和所述的第八FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的单位线...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡建平，杨会山，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33