一种提纯液晶材料的方法技术

一种提纯液晶材料的方法，其中，该方法包括将盛装在半密封的导电盒中的液晶材料在电场环境中停留，然后在电场环境中取出液晶材料。本发明专利技术提供的提纯液晶材料的方法用电场作用来提高液晶材料的电阻率，一方面能够使液晶的电阻率达到６×１０↑［１３］欧姆.厘米以上，另一方面因为无需使用溶剂，因而不会造成对环境的污染问题；另外，因为电场环境通常是通过在半密封的导电玻璃盒内实现的，因而受环境和操作的影响小、不存在对液晶的二次污染问题，再现性好，能够稳定地生产高电阻率液晶材料。另外，该方法还有收率高、液晶损耗低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种提纯液晶材料的方法。
技术介绍
液晶显示器件因具有体积小、重量轻、功耗低、驱动电压低等优点，目前已广泛应用于各种显示终端中。液晶显示器件中的关键材料液晶对显示器的各方面性能有很大影响。液晶不仅要有很高的纯度，而且也需要有很高的电阻率，一般必须达到1011欧姆·厘米以上，尤其对于高档STN、TFT等显示类型，对电阻率的要求更高，一般需要达到1013欧姆·厘米以上。影响液晶纯度的因素很多，例如单体液晶或混合液晶中包含的溶剂、未反应完全的物质、各种反应副产物、水分、各种阴阳离子等，这些都会对液晶的性能造成影响，因此要获得性能良好的液晶必须要除去这些杂质。除去溶剂、未反应完全的物质、副反应物、水分等都可以用常规的化学方法使液晶单体达到所需的纯度。而其中的阴阳离子在达到一定纯度后很难再除去，从而使液晶电阻率的提高较为困难。而液晶中的阴阳离子又是影响液晶电阻率的关键因素之一，离子含量越高，液晶的电阻率越低。因而，要想提高液晶的电阻率，必须尽量除去液晶中的阴阳离子的含量。目前，吸附法因其直接、简便、效果相对较好，因此对吸附法的研究比较多，也是除去阴阳离子最普遍使用的方法，常用的吸附剂有氧化铝、硅胶、活性炭、分子筛、聚酰亚胺颗粒等。例如，US 6056892公开了用平均粒径为0.1-5000微米、比表面不低于1平方米/克的聚酰亚胺做吸附剂提纯液晶，可以使Merck Japan Ltd.生产的ZLI-4792液晶的电阻率提高到1.2×1012欧姆·厘米。-->US 5540857公开了一种抗铁电液晶的提纯方法，该方法包括制备抗铁电液晶溶液、将所得溶液与沸石、氧化铝和硅胶中的至少一种吸附剂接触、过滤所得液晶溶液以及除去液晶溶液中的溶剂，得到电阻率至少为5×1012欧姆·厘米的液晶。CN 1775908A公开了一种提纯液晶的方法，该方法包括将活性碳纤维或者活性碳纤维与活性氧化铝的混合物加入液晶材料中形成混合材料，将混合材料在有机溶剂中混合、搅拌，去除固体杂质和溶剂后，得到高纯度和高电阻率的液晶材料。使用该方法，可以将初始电阻率为6.0×1012欧姆·厘米的单体液晶的电阻率提高到3×1013欧姆·厘米以上，将初始电阻率为5.0×1012欧姆·厘米的混合液晶的电阻率提高到3×1013欧姆·厘米以上。虽然上述方法能在一定程度上能够提高液晶的电阻率，但上述吸附法均需要使用大量的有机溶剂，这一方面会造成环境污染，另一方面还会增加成本，延长生产周期，最重要的是，对溶剂本身的纯度要求很高，在实际操作中很容易将溶剂本身的杂质引入到液晶中，所以在液晶领域经常出现越提纯，纯度和/或电阻率反而越低的现象。因而，上述方法还不能稳定有效地提高液晶材料的电阻率。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有的提纯液晶材料的方法不能稳定有效地提高液晶材料的电阻率的缺点，提供一种能够稳定有效地提高液晶材料的电阻率的提纯液晶材料的方法。本专利技术提供的提纯液晶材料的方法包括将盛装在半密封的导电玻璃盒中的液晶材料在电场环境中停留，然后在电场环境中取出液晶材料。本专利技术提供的提纯液晶材料的方法通过在电场环境中，用电场作用来提高液晶材料的电阻率，一方面能够使液晶的电阻率达到6×1013欧姆·厘米以-->上，另一方面因为无需使用溶剂，因而不会造成对环境的污染问题；另外，因为电场环境通常是通过在半密封的导电玻璃盒内实现的，因而受环境和操作的影响小、不存在对液晶的二次污染问题，再现性好，能够稳定地生产高电阻率液晶材料。另外，该方法还有收率高、液晶损耗低的优点。附图说明图1为本专利技术所用导电盒的结构示意图。具体实施方式根据本专利技术提供的方法，其中所述电场环境优选为电压不低于50伏的电场环境，例如为电压为50-900伏的电场环境，更优选为电压为150-350伏的电场环境。电压越大，对液晶材料电阻率提高的效果越好，但对设备的要求也越高。可以通过在导电盒的两端施加电压来实现电场环境。所述导电盒可以是由各种导电材料制成的各种容器，如导电玻璃盒。由于玻璃具有透明、易清洁、性能稳定、不含金属离子、基本不吸附液晶材料的优点，因此本专利技术优选导电容器为导电玻璃盒，如氧化铟锡导电玻璃盒。所述导电玻璃盒可以直接商购得到，一般为正六面体结构，如图1所示，其中相对的两个表面1均为导电表面，可以为表面涂覆有氧化铟锡(ITO)的导电玻璃，所述表面1优选为面积较大的两个表面，其余表面为绝缘表面。在两个表面1的涂覆有氧化铟锡的一面的各自的一端均贴有金属电极2，通过该金属电极2与电源的正负极电连接，实现导电盒的导电表面与电源的电连接，以获得本专利技术提纯液晶材料的电场环境。导电玻璃盒上分别有供液晶材料进出的液晶材料入口3和液晶材料出口3’，所述液晶材料入口3和液晶材料出口3’优选分别位于导电玻璃盒的不同表面上，这样可以避免未经提纯的液晶对提纯后液晶的污染，更优选所述液晶材料入口和液晶材料出口分别位于导电玻璃盒相-->对的两个绝缘表面上，以尽量提高液晶材料在电场环境中的时间。对导电玻璃盒的大小没有特别的限定，可以为任意大小，例如导电盒的表面积可以为1-2平方米。所述导电盒的厚度可以为50-1000微米，优选为100-300微米，也就是说，液晶材料的厚度可以为50-1000微米，优选为100-300微米。液晶材料在电场环境中停留的时间可以为1-10小时，优选为4-7小时。本专利技术提供的方法可以通过液晶材料注入上述导电玻璃盒中，然后在导电玻璃盒上施加电压，使液晶材料处于电场环境中。经过上述处理后的液晶材料的电阻率可以达到6×1013欧姆·厘米以上。该方法可以通过从导电玻璃盒的液晶材料进口注入液晶材料，然后从液晶材料出口处输出经过电场环境作用后的液晶材料，从而实现液晶材料的间歇式或连续式提纯。液晶材料可以通过真空吸附法或加压法注入导电玻璃盒中，真空吸附法或加压法的具体操作已为本领域技术人员所公知。注入的速度使液晶材料在电场环境下停留的时间为1-10小时，优选4-7小时，具体视导电玻璃盒的大小而定，例如，对于体积为0.1-1升的导电玻璃盒，液晶材料的注入速度可以为0.5-1升/6小时。本专利技术的液晶材料提纯原理是，通过在电场环境中停留一段时间，使液晶材料中的离子被电场吸附到电场的正极端或负极端也即导电表面的边缘，而液晶材料在电场作用下不发生重新排列，这样，在电场环境中实现了离子与液晶材料的分离，取出液晶材料后，离子仍留在导电盒中。经过一段时间或者吸附上一定量的离子后，可以更换导电盒或清洗导电盒。本专利技术提供的方法既适用于单体液晶的提纯，也适用于混合液晶的提纯。下面的实施例将对本专利技术作进一步的说明。-->实施例1该实施例用于说明本专利技术提供的提纯液晶材料的方法。使用真空泵通过加压法将初始电阻率为3.0×1011欧姆·厘米的2升4-(反式-4’-丙基环己基)苯氰单体液晶注入长为1.5米、宽为0.5米、高为1000微米的氧化铟锡导电玻璃盒(南玻公司生产)中，在该导电玻璃盒的两片导电玻璃上施加200伏的直流电压，控制单体液晶的注入速度为1升/6小时，在该导电玻璃盒的出口处接收提纯的液晶材料，得到1.99升电阻率为6.3×1013欧姆·厘米的液晶材料。实施例2该实施例用于说明本专利技术提供的提纯液晶材料的方法。使用真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提纯液晶材料的方法，其特征在于，该方法包括将盛装在半密封的导电盒中的液晶材料在电场环境中停留，然后在电场环境中取出液晶材料。

【技术特征摘要】
1.一种提纯液晶材料的方法，其特征在于，该方法包括将盛装在半密封的导电盒中的液晶材料在电场环境中停留，然后在电场环境中取出液晶材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电场环境为电压为50-900伏的电场环境。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电场环境为电压为150-350伏的电场环境。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述停留时间为1-10小时。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述停留时间为4-7小时。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述液晶材料的厚度为50-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬，江林，宫清，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]