提供一种液晶显示(LCD)装置和制造该液晶显示装置的方法。该液晶显示装置包括第一基板；第二基板，设置为面对第一基板；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间并且包括多个液晶分子；以及自取向层，形成在第一基板与液晶层之间，自取向层包括具有分子结构的垂直取向添加剂，分子结构具有形成在核分子的两端的亲水基团和聚合基团，其中，垂直取向添加剂的主轴相对于第一基板的表面呈小于大约90°的角。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请要求于2014年9月12日提交至韩国知识产权局的第10-2014-0121268号 以及于2015年2月12日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0021782号韩国专利申请的 权益，通过引用将该韩国专利申请的公开内容全部包含于此。
本专利技术涉及一种液晶显示（IXD)装置和制造该液晶显示装置的方法。
技术介绍
液晶显示（IXD)装置是目前广泛使用的平板显示装置中的一种类型。IXD装置包 括两个基板以及插设在这两个基板之间的液晶层，其中，所述两个基板具有形成在基板上 的诸如像素电极、共电极等的场产生电极。LCD装置通过以下方式显示图像：将电压施加 到场产生电极以在液晶层上产生电场，通过使用该电场来确定液晶层的液晶分子取向的方 向，控制入射光的偏振。 LCD装置可以被分为通过利用形成在垂直于基板的方向上的电场来驱动液晶的垂 直取向式LCD装置以及利用形成为平行于基板的水平电场的平面转换式LCD装置。 与平面转换式IXD装置相比，垂直取向式IXD装置具有优异的对比度。为了确保 宽视角并提高这些垂直取向式LCD装置的开口率，将对应于一个像素的液晶层区域划分为 多个畴，具有不同预倾角的液晶分子存在于每个畴的内部。 近来，对曲面显示装置的需求不断增加。在弯曲加工工艺期间，上基板的弯曲程度 与下基板的弯曲程度彼此不同，使得在液晶层的一个畴中，在该畴的上部中的液晶分子的 预倾角与在该畴的下部中的液晶分子的预倾角不同。即，发生错位。这种错位导致固有的 织构。 在本
技术介绍
部分中公开的信息在实现本专利技术之前对专利技术者来说是已知的，或者 在本
技术介绍
部分中公开的信息是在实现本专利技术的过程期间获得的技术信息。因此，其可 以包括不形成本国公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的一个或更多个示例性实施例包括液晶显示（LCD)装置，该液晶显示装置 在被应用于曲面面板时能够减少由错位引起的织构的产生。 附加特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且通过描述将部分地明显，或者可 以通过对给出的实施例的实践而获知。 根据一个或更多个示例性实施例，一种液晶显示0XD)装置，包括：第一基板；第 二基板，设置为面对第一基板；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间并且包括多个液晶 分子；以及自取向层，形成在第一基板与液晶层之间，自取向层包括具有分子结构的垂直取 向添加剂，分子结构具有形成在核分子的一端的亲水基团，其中，亲水基团面对第一基板的 表面并且核分子的主轴相对于第一基板的表面呈小于大约90°的角。 聚合基团可以进一步形成在核分子的另一端。 核分子可以由联苯的介晶基元、多个苯或者环己烷环形成。 取向层可以形成在第二基板与液晶层之间。 接触自取向层的液晶分子的主轴和第一基板的表面之间的角与接触取向层的液 晶分子的主轴和第二基板的表面的之间的角之差可以大于大约0. 5°。 接触自取向层的液晶分子的主轴和第一基板的表面之间的角可以大于大约85° 并且小于大约89. 5°。 第一基板的接触自取向层的表面可以处于亲水处理的状态。 氮化硅层可以进一步形成在第一基板与自取向层之间。 滤色器可以形成在第一基板与第二基板中的一个基板上，薄膜晶体管（TFT)阵列 层可以形成在第一基板与第二基板中的另一个基板上。 滤色器和TFT阵列层可以形成在第一基板与第二基板中的一个基板上。 第一基板和第二基板可以弯曲以形成曲面显示表面。 根据一个或更多个示例性实施例，制造液晶显示（LCD)装置的方法，包括：设置第 一基板和第二基板，其中，像素电极和共电极分别形成在第一基板和第二基板上；通过将添 加剂与多个液晶分子进行混合来形成液晶混合物，添加剂由具有形成在核分子的一端的亲 水基团的多个分子形成；对第一基板与第二基板中的一个基板进行亲水处理；以及在第一 基板与第二基板之间设置液晶混合物并且执行场暴露。 在核分子的另一端可以进一步形成聚合基团。 液晶混合物中所包括的添加剂的量可以为大约0. 001 %至大约0. 5%。 液晶混合物还可以包括烯基或烷氧基。 在第一基板和第二基板中的一个基板的亲水处理中，第一基板和第二基板中的一 个基板相对于蒸馏水的接触角可以小于大约70°。 第一基板和第二基板中的一个基板的亲水处理可以包括在第一基板和第二基板 中的一个基板上形成亲水层。 所述方法还可以包括对第一基板和第二基板中的一个基板执行加热处理或紫外 (UV)发射处理。 第一基板和第二基板的准备可以包括：在第一基板上形成滤色器并且在第二基板 上形成薄膜晶体管（TFT)阵列层。 第一基板和第二基板的准备可以包括在第二基板上形成薄膜晶体管（TFT)阵列 层和滤色器。 所述方法还可以包括使第一基板和第二基板弯曲以形成曲面显示表面。【附图说明】 当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，本专利技术的更全面的解释及其许多 附加优点将显而易见，同时变得更好理解，在附图中同样的附图标号表示相同或相似的组 件，其中： 图1是示意性地示出根据本专利技术的实施例的液晶显示（LCD)装置的剖视图； 图2是示出在用于形成曲面面板的弯曲加工工艺中上基板的弯曲程度与下基板 的弯曲程度彼此不同的概念图； 图3A和图3B概念性地不出了根据对比不例和实施例的因基板的弯曲而发生的畴 错位（domainmisalignment，畴未对准）； 图4是示意性地示出根据本专利技术的另一实施例的LCD装置的剖视图； 图5是示出图4的LCD装置中采用的像素电极的示例性形状的平面图； 图6是示意性地示出根据本专利技术的另一实施例的LCD装置的剖视图； 图7是示意性地示出根据本专利技术的另一实施例的LCD装置的剖视图； 图8是示意性地示出根据本专利技术的另一实施例的LCD装置的剖视图； 图9是示出根据本专利技术的另一实施例的LCD装置的外部的透视图； 图10是示出根据本专利技术的实施例的制造LCD装置的方法的流程图； 图11A至图11C示出了由液晶分子和垂直取向添加剂的液晶混合物形成取向层。【具体实施方式】 现在将对示例性实施例做出详细参照，在附图中示出了示例性实施例的示例，在 附图中同样的附图标号始终指示同样的元件。就这一点而言，本示例性实施例可以具有不 同的形式并且不应当被解释为限制于这里所阐述的描述。因此，在下面仅通过参照附图来 描述示例性实施例，以解释本描述的方面。如这里所使用的，术语"和/或"包括一个或更 多个相关所列项的任意组合和所有组合。 在下面的实施例中，诸如"第一"、"第二"等术语仅用于将一个组件与另一个组件 区分开，而不是出于限制性含义。 在下面的实施例中，除非上下文另外明确地指明，否则单数形式也意图包括复数 形式。 在下面的实施例中，当在本说明书中使用术语"包括（包含）"和/或"具有"时， 说明存当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括：第一基板；第二基板，设置为面对所述第一基板；液晶层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间并且包括多个液晶分子；以及自取向层，形成在所述第一基板与所述液晶层之间，所述自取向层包括具有分子结构的垂直取向添加剂，所述分子结构具有形成在核分子的一端的亲水基团，其中，所述亲水基团面对所述第一基板的表面并且所述核分子的主轴相对于所述第一基板的所述表面呈小于90°的角。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴兴植，裵智弘，权五正，申旗澈，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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