晶边刻蚀机台的校准方法技术
Calibration method of crystal edge etching machine
The present invention provides a method of calibration of wafer edge etching machine, including a test wafer, forming an oxide layer of the test wafer; wafer edge etching of oxide layer on the wafer, the formation of crystal boundary notch; measurement of crystal edge notch and the chip side wall parallel, the center notch the crystal edge; the crystal edge notch center and the center of test wafer were compared, and judge the distance meets the control requirements. Compared with the prior art, the invention provides a wafer edge etching machine calibration method of fewer steps and reduce the measurement failures, and improve the alignment efficiency and measurement accuracy, than the existing technology higher.
【技术实现步骤摘要】
晶边刻蚀机台的校准方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶边刻蚀机台的校准方法。
技术介绍
随着半导体工艺的发展，半导体器件的尺寸不断缩小，相应的技术节点不断提高，晶边(aferbevel)对制程影响越来越大。晶边刻蚀(beveletch)技术由于可以改善缺陷(Defect)、击穿(Arcing)以及应力过剩(Excessivestress)等问题，提高制造的半导体器件的良率，因而越来越受到半导体制造业的重视。然而，如果晶边刻蚀不能被很好地实施，尤其当晶边刻蚀距离无法被严格地控制，将无法达到改善缺陷、击穿以及应力过剩等问题的效果。在现有技术中，各种晶边刻蚀的技术方案均没有很好地控制晶边刻蚀距离，因而所达到的提高半导体器件良率的效果往往并不理想。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶边刻蚀机台的校准方法，以解决现有技术中的测量误差大等问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种晶边刻蚀机台的校准方法，包括：提供测试晶圆，所述测试晶圆上形成有一氧化层；对所述测试晶圆的氧化层进行晶边刻蚀，形成晶边刻痕；量测所述晶边刻痕与所述测试晶圆侧壁的平行度，以得到所述...
【技术保护点】
一种晶边刻蚀机台的校准方法，其特征在于，所述晶边刻蚀机台的校准方法包括：提供测试晶圆，所述测试晶圆上形成有一氧化层；对所述测试晶圆的氧化层进行晶边刻蚀，形成晶边刻痕；量测所述晶边刻痕与所述测试晶圆侧壁的平行度，以得到所述晶边刻痕的圆心；将所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心进行对比，并判断其距离是否符合控制要求。
【技术特征摘要】
1.一种晶边刻蚀机台的校准方法，其特征在于，所述晶边刻蚀机台的校准方法包括：提供测试晶圆，所述测试晶圆上形成有一氧化层；对所述测试晶圆的氧化层进行晶边刻蚀，形成晶边刻痕；量测所述晶边刻痕与所述测试晶圆侧壁的平行度，以得到所述晶边刻痕的圆心；将所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心进行对比，并判断其距离是否符合控制要求。2.如权利要求1所述的晶边刻蚀机台的校准方法，其特征在于，量测所述晶边刻痕与所述测试晶圆侧壁的平行度，得到所述晶边刻痕的圆心包括：选取所述晶边刻痕上的多个测试点；量测所述晶边刻痕上的测试点与所述测试晶圆侧壁的平行度；将多个平行度进行拟合得到刻蚀圆；确定所述刻蚀圆的圆心。3.如权利要求1所述的晶边刻蚀机台的校准方法，其特征在于，所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心的达标距离小于等于1mm。4.如权利要求1所述的晶边刻蚀机台的校准方法，其特征在于，所述晶边刻蚀的距离在0...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘孟勇，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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