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本发明提供了一种晶边刻蚀机台的校准方法，包括提供测试晶圆，所述测试晶圆上形成有一氧化层；对所述测试晶圆的氧化层进行晶边刻蚀，形成晶边刻痕；量测晶边刻痕与晶片侧壁的平行度，得到晶边刻痕的圆心；将所述晶边刻痕的圆心与所述测试晶圆的圆心进行对比，...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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