用于倒装芯片封装件的热超声接合的连接制造技术

本公开涉及用于倒装芯片封装件的热超声接合的连接，具体公开了制造封装件的方法。该方法可以包括：在衬底的第一表面上形成接合焊盘；通过在衬底的第二表面中蚀刻凹部在衬底中形成引线，第二表面与第一表面相对；以及使引线的顶面的至少一部分镀敷有表面镀敷层。该方法还可以包括：通过将表面镀敷层热超声地接合至裸片来将引线热超声地接合至裸片，以及在密封剂中密封裸片和引线。

Joining of thermal ultrasonic bonding for flip chip packages

The present disclosure relates to the connection of thermal ultrasonic bonding for flip chip packages, and specifically discloses methods for manufacturing packages. The method may include forming on the first surface of the substrate bonding pads; by etching on the second surface of the substrate lead recess is formed in the substrate, the second surface is opposite to the first surface; and the top surface of the lead at least a portion of the plated surface plating layer. The method can also include: bonding the surface of the coating to the bare sheet by thermal bonding of the surface coating to the bare sheet, and sealing the bare sheet and lead in the sealant.

【技术实现步骤摘要】
用于倒装芯片封装件的热超声接合的连接
本公开总体上涉及倒装芯片封装件，并且更具体地，涉及热超声接合的倒装芯片封装件。
技术介绍
无铅(或不含铅)的封装件通常被用于期望小型封装的应用。通常，平坦的无铅封装件提供近似芯片规模的密封封装件，其由附接至半导体裸片的平坦引线框来形成。位于封装件底面上的引线在半导体裸片与衬底(诸如印刷电路板(PCB))之间提供电连接。典型地，无铅封装件包括半导体裸片或安装至裸片焊盘的芯片，并且电耦合至引线(诸如通过导线)。使封装件更薄的改进消除了裸片焊盘的需要。具体地，引线上芯片(COL)封装件使得半导体裸片直接安装在引线上而不需要裸片焊盘。裸片和引线被密封在封装中以形成封装件。用于半导体封装的当前应用期望封装件具有减小的厚度以及裸片和引线框架的引线之间的简化连接，以减小体积并增加封装件的信号承载能力。
技术实现思路
公开了一种制造封装件的方法。该方法可包括：在衬底的第一表面上形成接合焊盘；通过在衬底的第二表面中蚀刻凹部而在衬底中形成引线，第二表面与第一表面相对；以及用表面镀敷(finishplating)层镀敷引线的顶面的至少一部分。该方法还可以包括：通过将表面镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造封装件的方法，包括：在引线框架的第一表面上形成多个表面镀敷层；蚀刻所述引线框架的所述第一表面以形成引线，其中所述引线的端部包括所述表面镀敷层；通过热超声接合工艺，将所述表面镀敷层热超声地接合至裸片的接合焊盘；以及在密封剂中密封所述裸片和所述引线。

【技术特征摘要】
2016.03.30 US 15/085,2851.一种制造封装件的方法，包括：在引线框架的第一表面上形成多个表面镀敷层；蚀刻所述引线框架的所述第一表面以形成引线，其中所述引线的端部包括所述表面镀敷层；通过热超声接合工艺，将所述表面镀敷层热超声地接合至裸片的接合焊盘；以及在密封剂中密封所述裸片和所述引线。2.根据权利要求1所述的制造封装件的方法，还包括：在所述裸片的有源表面上形成钝化层；在所述裸片的所述有源表面上的所述钝化层中形成开口；以及将所述引线的顶面上的所述表面镀敷层插入到所述钝化层的开口中。3.根据权利要求2所述的制造封装件的方法，其中所述钝化层中的开口形成有第一尺寸和形状，并且所述表面镀敷层形成有对应于所述第一尺寸和形状的第二尺寸和形状。4.根据权利要求3所述的制造封装件的方法，其中所述第二尺寸小于所述第一尺寸。5.根据权利要求2所述的制造封装件的方法，其中所述钝化层中的开口形成有第一厚度，并且所述表面镀敷层形成有对应于所述第一厚度的第二厚度。6.根据权利要求5所述的制造封装件的方法，其中所述第一厚度小于所述第二厚度。7.根据权利要求1所述的制造封装件的方法，在所述引线框架的第一表面上形成多个表面镀敷层包括：在所述引线的顶面的至少一部分上镀敷第一表面镀敷子层；以及至少在所述第一表面镀敷子层的顶面上镀敷第二表面镀敷子层。8.根据权利要求7所述的制造封装件的方法，其中所述第一表面镀敷子层是镍或镍合金。9.根据权利要求7所述的制造封装件的方法，其中所述第二表面镀敷子层是银或金。10.一种形成芯片级封装件的方法，包括：在引线框架的第一表面上形成接触焊盘；通过在所述引线框架的第二表面中蚀刻凹部而在所述引线框架中形成引线，所述第二表面与所述第一表面相对；将所述引线热超声地接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·马佐拉，B·维塔利，M·德桑塔，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT