【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】倒装芯片安装体的制造方法、倒装芯片安装体及先供给型底部填充用树脂组合物
本专利技术涉及倒装芯片安装体的制造方法、利用该制造方法制造的倒装芯片安装体及用于该制造方法的先供给型底部填充用树脂组合物。
技术介绍
近年来,作为能够应对电子设备的进一步布线等的高密度化、高频化的半导体芯片的安装方式,利用的是倒装芯片接合。一般而言,在倒装芯片接合中,利用被称作底部填充物的材料密封半导体芯片与基板的间隙。通常,在倒装芯片接合中,将半导体芯片和基板利用软钎焊等接合后,在半导体芯片与基板的间隙填充热固化性的半导体树脂密封组合物即底部填充剂(以下称作“后供给型”)。然而,近年来,首先,将底部填充剂涂布于基板,载置半导体芯片后,同时进行底部填充剂的固化和半导体芯片与基板的连接,由此可以缩短工序及缩短固化时间,其结果使能以低成本且低能量制作的先供给型倒装芯片接合工艺受到注目,对适合该工艺的密封材料树脂组合物(以下称作“先供给型底部填充用树脂组合物”)的要求变高。随着近年来的倒装芯片的凸点密度的进一步提高,在该先供给型倒装芯片接合工艺中存在先供给型底部填充用树脂组合物中残留孔隙(气泡)的问 ...
【技术保护点】
一种倒装芯片安装体的制造方法,其特征在于,其是将设置于半导体元件的连接用铜凸点电极和设置于电路基板的连接用电极对置、并利用设置于半导体元件的连接用铜凸点电极与设置于电路基板的连接用电极的焊料连接将半导体元件搭载于电路基板上、再用树脂将电路基板与半导体元件的空隙密封的倒装芯片安装体的制造方法,该倒装芯片安装体的制造方法依次包括:(1)在半导体元件的连接用铜凸点电极和电路基板的连接用电极中的至少一者上设置熔点为210~250℃的焊料层的工序;(2)向电路基板上供给包含(A)环氧树脂、(B)芳香族胺固化剂、(C)无机填充剂、(D)硅烷偶联剂及(E)焊剂的先供给型底部填充用树脂组合 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.19 JP 2015-0569351.一种倒装芯片安装体的制造方法,其特征在于,其是将设置于半导体元件的连接用铜凸点电极和设置于电路基板的连接用电极对置、并利用设置于半导体元件的连接用铜凸点电极与设置于电路基板的连接用电极的焊料连接将半导体元件搭载于电路基板上、再用树脂将电路基板与半导体元件的空隙密封的倒装芯片安装体的制造方法,该倒装芯片安装体的制造方法依次包括:(1)在半导体元件的连接用铜凸点电极和电路基板的连接用电极中的至少一者上设置熔点为210~250℃的焊料层的工序;(2)向电路基板上供给包含(A)环氧树脂、(B)芳香族胺固化剂、(C)无机填充剂、(D)硅烷偶联剂及(E)焊剂的先供给型底部填充用树脂组合物的工序;(3)将半导体元件和电路基板热压接,并将半导体元件的连接用铜凸点电极和电路基板的连接用电极以焊料熔点温度以上的温度加热1秒以上后,在先供给型底部填充用树脂组合物的反应率达到0.1以上且25%以下时,进行焊料连接的工序;以及(4)在压力为0.6MPa以上的加压下使所供给的先供给型...
【专利技术属性】
技术研发人员:宗村真一,池田行宏,明道太树,
申请(专利权)人:纳美仕有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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