小间隙中互连结构的局部密封制造技术

本发明专利技术提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。

Local seal of interconnecting structures in small gaps

The present invention provides a device substantially related to microelectronic devices. In such a device, a first substrate having a first surface, wherein the first interconnection is positioned on the first surface, the second surface of the substrate has a first surface and second spaced, with a gap between the first surface and the second surface. The second interconnect is located on the second surface. The lower surface of the first interconnect and the upper surface of the second interconnect are coupled to each other for electrical conductivity between the first substrate and the second substrate. The conductive pad surrounds the sidewalls of the first interconnect and the second interconnect, and the dielectric layer surrounds the conductive lining.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】小间隙中互连结构的局部密封
以下描述涉及微电子器件。更具体地讲，以下描述涉及用于封装体叠层或管芯叠层微电子器件的小间隙中互连结构的局部密封。
技术介绍
微电子组件大体上包括一个或多个IC，诸如例如一个或多个封装的管芯(“芯片”)或一个或多个管芯。一个或多个此类IC可以安装在电路平台上，诸如将晶圆安装于诸如晶圆级封装(“WLP”)、印刷板(“PB”)、印刷布线板(“PWB”)、印刷电路板(“PCB”)、印刷布线组件(“PWA”)、印刷电路组件(“PCA”)、封装基板、插入器或芯片载体中。此外，一个IC可以安装在另一个IC上。插入器可以是IC，并且插入器可以是无源或有源IC，其中后者包括一个或多个有源器件，例如晶体管，而前者不包括任何有源器件。此外，可以形成像PWB一样的插入器，即没有任何电路元件诸如电容器、电阻器或有源器件。另外，插入器包括至少一个贯通基板的通孔。IC可以包括导电元件，例如可用于与电路平台进行电互连的导电元件，诸如路、迹线、轨道、通孔、触点、焊盘(诸如接触焊盘和接合焊盘)、插头、节点或端子。这些布置可以促进用于提供IC功能的电连接。IC可以通过例如将这种电路平台的接合迹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子器件，包括：第一基板，所述第一基板具有第一表面；第一互连件，所述第一互连件位于所述第一表面上；第二基板，所述第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，其中在所述第一表面和所述第二表面之间具有间隙；第二互连件，所述第二互连件位于所述第二表面上；所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面，所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性；导电衬圈，所述导电衬圈围绕所述第一互连件和所述第二互连件的侧壁；和介电层，所述介电层围绕所述导电衬圈。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.30 US 14/609,7201.一种微电子器件，包括：第一基板，所述第一基板具有第一表面；第一互连件，所述第一互连件位于所述第一表面上；第二基板，所述第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，其中在所述第一表面和所述第二表面之间具有间隙；第二互连件，所述第二互连件位于所述第二表面上；所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面，所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性；导电衬圈，所述导电衬圈围绕所述第一互连件和所述第二互连件的侧壁；和介电层，所述介电层围绕所述导电衬圈。2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中：所述第一互连件和所述第二互连件分别包括金属化结构；并且所述间隙为大约5微米或更小。3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中：所述第一互连件和所述第二互连件分别包括金属化结构；并且所述间隙等于或小于具有所述第一互连件和与所述第一互连件对应的所述第二互连件的至少两个相邻导电结构之间的间距，所述第一互连件和所述第二互连件彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中：所述第一互连件和所述第二互连件分别包括金属化结构；并且所述间隙等于或大于具有所述第一互连件和与所述第一互连件对应的所述第二互连件的至少两个相邻导电结构之间的间距，所述第一互连件和所述第二互连件彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间导电性。5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述介电层粘附到所述第一表面、所述第二表面和所述导电衬圈以用于气密地密封所述第一表面和所述第二表面之间的所述导电衬圈、所述第一互连件和所述第二互连件。6.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括：扩散接合层，所述扩散接合层位于所述第一互连件和所述第二互连件之间；其中所述第一互连件的所述下表面和所述第二互连件的所述上表面通过所述扩散粘合层彼此耦接以用于导电性。7.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括：金属间化合物层，所述金属间化合物层位于所述第一互连件和所述第二互连件之间；所述第一互连件的所述下表面和所述第二互连件的所述上表面利用所述金属间化合物层彼此耦接以用于导电性。8.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述导电衬圈包括金属间化合物。9.根据权利要求7所述的微电子器件，其中所述导电衬圈的所述金属间化合物围绕所述第一互连件和所述第二互连件的所述侧壁。10.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括位于所述第一互连件和所述第二互连件的所述侧壁与所述导电衬圈之间的扩散阻挡层。11.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一基板和所述第二基板分别包括半导体管芯和插入器或者分别包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。12.一种形成微电子器件的方法，包括：将其中悬浮有第一导电颗粒的第一自组装基质材料的第一层施加到第一互连件的第一侧壁和下表面上；所述第一互连件位于第一基板的第一表面上；将其中悬浮有第二导电颗粒的第二自组装基质材料的第二层施加到第二互连件的第二侧壁和上表面上；所述第二互连件位于第二基板的第二表面上；去除所述第一层的一部分以暂时暴露所述第一互连件的所述下表面；去除所述第二层的一部分以暂时暴露所述第二互连件的所述上表面；以及将所述第一导电颗粒与所述第一自组装基质材料进行相位分离，并且将所述第二导电颗粒与所述第二自组装基质材料进行相位分离，以提供围绕所述第一互连件和所述第二互连件的侧壁的导电衬圈和围绕所述导电衬圈的介电层；其中对于彼此扩散接合的所述第一互连件和所述第二互连件，所述第二表面与所述第一表面间隔开大约5微米或更小的间隙。13.根据权利要求12所述的方法，还包括将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·坎卡尔，C·E·尤佐，A·R·西塔拉姆，
申请(专利权)人：伊文萨思公司，
类型：发明
国别省市：美国,US