半导体测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体测试结构，包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。本实用新型专利技术的半导体测试结构可实现热点的精确定位，提高失效分析的成功率，缩短失效分析的时间。

【技术实现步骤摘要】
半导体测试结构
本技术涉及半导体工艺器件
，特别是涉及一种半导体测试结构。
技术介绍
在WAT(WaferAcceptanceTest)测试结构中，用于测试连接通孔(Via或CT)的阻值的测试结构一般为如图1所示链状结构，所述测试结构包括：多个呈阵列分布的有源区11、位于靠近所述有源区11两端上方的连接通孔12及位于所述连接通孔12上方的金属层13，所述连接通孔12一端与所述有源区11相连接，另一端与所述金属层13相连接；所述金属层13将所述有源区11依次首尾连接；所述测试结构的两端与测试焊垫14相连接。如果上述测试结构中的所述连接通孔12的阻值出现异常需要进行失效分析(FA)时，一般会先进行热点分析以确定失效点，然后在热点处再做进一步的分析。在如图1中所示的测试结构中，所述有源区11及所述连接通孔12之间的排布比较稀疏，所以在OBIRCH(用来做热点分析的机台)的成像中，可以清楚地看到热点在哪一个连接通孔的上方，可以实现精确定位。然而，对于一些排列比较紧密的测试结构，在OBIRCH下无法获得清晰的图像，无法区分相邻的两块金属层，在这种情况下，即使有热点，也不能精确定位到某一个连接通孔，给后续的分析带来困难。目前对于排列比较紧密的测试结构无法精确定位的热点没有好的解决办法，一般是估计热点距离测试结构边缘的距离，并且扩大分析的范围，这样不仅耗时长，而且成功率比较低。因此，提供一种改进型的半导体测试结构非常必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体测试结构，用于解决现有技术中的测试结构对于排列比较紧密的测试结构无法将热点精确定位到某一个连接通孔的问题，以及为了将热点精确定位到某一个连接通孔而带来的测试耗时比较长、成功率低的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距相等。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距不等。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，相邻所述金属层之间的间距大于或等于所述连接通孔的高度。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，自所述半导体测试结构的一侧至相对的另一侧，各层所述金属层的金属块按由所述第二金属层中的所述金属块至所述第N层金属层中的所述金属块的顺序呈周期性排布。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，所述金属块为正方柱形金属块或圆柱形金属块。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，所述金属块的横向尺寸与所述连接通孔的横向尺寸相同。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，所述半导体测试结构还包括介质层，所述介质层位于各层金属层之间及同一金属层的所述金属块之间。作为本技术的半导体测试结构的一种优选方案，所述有源区及所述连接通孔均呈阵列分布。如上所述，本技术的半导体测试结构，具有以下有益效果：本技术的半导体测试结构可实现热点的精确定位，提高失效分析的成功率，缩短失效分析的时间；同时，本技术的半导体测试结构结构简单、易于操作，在现有的测试结构的基础上不需要增加额外的工艺步骤即可得到。附图说明图1显示为现有技术中的半导体测试结构的俯视结构示意图。图2显示为本技术的半导体测试结构的截面结构示意图。图3显示为本技术的半导体测试结构的金属块与连接通孔上下一一对应设置的俯视示意图。图4至图7显示为本技术的半导体测试结构的测试原理示意图，其中，图4为第五金属层中的金属块与热点的位置关系示意图，图5为第四金属层中的金属块与热点的位置关系示意图，图6为第三金属层中的金属块与热点的位置关系示意图，图7显示为第二金属层中的金属块与热点的位置关系示意图。元件标号说明11有源区12连接通孔13金属层14测试焊垫21有源区22连接通孔23第一金属层24第二金属层25第三金属层26第四金属层27第五金属层28金属块281第二金属层中的金属块282第三金属层中的金属块283第四金属层中的金属块284第五金属层中的金属块29热点具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图2至图7。须知，本说明书所附图示所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中部”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。本技术提供一种半导体测试结构，请参阅图2，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区21；连接通孔22，所述连接通孔22位于靠近各所述有源区21两端的上方，且一端与所述有源区21相连接；第一金属层23，所述第一金属层23与所述连接通孔22远离所述有源区21的一端相连接；金属叠层结构，所述金属叠层位于所述第一金属层23上方，且与所述第一金属层23相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层24至第N金属层，其中，N≥3，其中，图1以N＝5作为示例，即所述金属叠层右下至上包括依次间隔排布的第二金属层24、第三金属层25、第四金属层26及第五金属层27；所述第二金属层24、所述第三金属层25、所述第四金属层26及所述第五金属层27均包括若干个间隔排布的金属块28，所述金属块28的数量与所述连接通孔22的数量相同，且所述金属块28与所述连接通孔22一一上下对应分布。在一示例中，所述第一金属层23至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距相等，即以N＝5为例，所述第一金属层23、所述第二金属层24、所述第三金属层25、所述第四金属层26级所述第五金属层27相邻两者之间的间距相等。当然，在另一示例中，所述第一金属层23至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距也可以不等。作为示例，相邻所述金属层之间的间距可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，相邻所述金属层之间的间距大于或等于所述连接通孔22的高度。作为示例，自所述半导体测试结构的一侧至相对的另一侧，各层所述金属层的金属块28按由所述第二金属层24中的所述金属块281至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距相等。3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距不等。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏，何明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11