半导体测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体测试结构，包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。本实用新型专利技术的半导体测试结构可实现热点的精确定位，提高失效分析的成功率，缩短失效分析的时间。

【技术实现步骤摘要】
半导体测试结构
本技术涉及半导体工艺器件
，特别是涉及一种半导体测试结构。
技术介绍
在WAT(WaferAcceptanceTest)测试结构中，用于测试连接通孔(Via或CT)的阻值的测试结构一般为如图1所示链状结构，所述测试结构包括：多个呈阵列分布的有源区11、位于靠近所述有源区11两端上方的连接通孔12及位于所述连接通孔12上方的金属层13，所述连接通孔12一端与所述有源区11相连接，另一端与所述金属层13相连接；所述金属层13将所述有源区11依次首尾连接；所述测试结构的两端与测试焊垫14相连接。如果上述测试结构中的所述连接通孔12的阻值出现异常需要进行失效分析(FA)时，一般会先进行热点分析以确定失效点，然后在热点处再做进一步的分析。在如图1中所示的测试结构中，所述有源区11及所述连接通孔12之间的排布比较稀疏，所以在OBIRCH(用来做热点分析的机台)的成像中，可以清楚地看到热点在哪一个连接通孔的上方，可以实现精确定位。然而，对于一些排列比较紧密的测试结构，在OBIRCH下无法获得清晰的图像，无法区分相邻的两块金属层，在这种情况下，即使有热点，也不能精确定位到某一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：若干个间隔排布的有源区；连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距相等。3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距不等。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏，何明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11