MOSFET失配测试结构及测试方法技术

本发明专利技术揭示了一种MOSFET失配测试结构及测试方法，所述MOSFET失配测试结构包括：多个检测单元，每个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；其中，所述m、n为大于1的正整数。在进行测试时，分别测量所述多个检测单元的电参数，以任意一个检测单元的电参数为基准分别算得其他检测单元的电参数与该检测单元的电参数的差值，能够获得多个电参数的差值，从而提高了数据的可信度。

MOSFET mismatch test structure and test method

The invention discloses a MOSFET mismatch test structure and test method, the MOSFET comprises: a plurality of test structure detection unit, each detection unit independent of each other, the plurality of detection units are arrayed, the array is m * n; among them, the M and N in positive integer 1. During the test, the electrical parameters of the plurality of detection unit were measured and the difference in electrical parameters of an arbitrary detection unit for electrical parameters of electrical parameters was calculated with other benchmark detection unit and the detection unit, the difference can obtain a plurality of electrical parameters, so as to improve the reliability of data.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种MOSFET失配测试结构及测试方法。
技术介绍
在集成电路设计中，MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路，例如电流镜、差分运放、AD/DA转换器等的性能至关重要。MOSFET的失配（mismatch）是指在制造过程中由于物理工艺的随机波动或偏离导致芯片上相同设计的2个或者多个MOS管显现出参数和性能上的差异，并影响到整个集成电路的行为。目前，随着半导体制造加工工艺的深入发展，器件的特征尺寸进一步减小，这种差异表现的更加严重并且越发的难于控制，因此，势必受到业内的重点关注。目前，为了对MOSFET失配进行检测，常用的测试结构包括两种。如图1和图2所示，其分别为现有技术中的MOSFET失配测试结构的示意图。如图1中，所示测试结构包括两个横向排列（Parallelpair）的检测单元M1和M2，之后通过分别测量M1和M2的电参数，例如电流或者电压，并得到M1和M2之间的差值。如图2中，所示测试结构为交叉型（CrossCoupled本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET失配测试结构，其特征在于，包括：多个检测单元，每个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；其中，所述m、n为大于1的正整数。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET失配测试结构，其特征在于，包括：多个检测单元，每
个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；
其中，所述m、n为大于1的正整数。
2.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述每个
检测单元为边长是90nm～10000nm的矩形结构。
3.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述多个
检测单元由同一流程形成。
4.如权利要求1所述的MOSFET失配测试结构，其特征在于，所述MOSFET
失配测试结构还引出有多个焊盘，所述焊盘的数量多于所述检测单元的数量。
5...

【专利技术属性】
技术研发人员：范象泉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31