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本发明揭示了一种MOSFET失配测试结构及测试方法，所述MOSFET失配测试结构包括：多个检测单元，每个检测单元相互独立，所述多个检测单元呈阵列排布，所述阵列为m×n结构；其中，所述m、n为大于1的正整数。在进行测试时，分别测量所述多个检测...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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